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기판의 일면 상에 복수의 트랜지스터부가 2차원으로 배열된 트랜지스터 어레이 기판; 및상기 복수의 트랜지스터부와 연결되어 개별 점소등을 통해 복수의 발광 패턴을 구현하는 복수의 발광다이오드부를 포함하며, 상기 트랜지스터 어레이 기판 상에 배치되는 발광다이오드 어레이 모듈;상기 트랜지스터 어레이 기판이 본딩되어, 상기 발광다이오드 어레이 모듈과 상기 트랜지스터 어레이 기판의 조립체가 실장되는 회로 기판; 및상기 회로 기판에 전류를 제공하여 상기 복수의 발광 패턴 중에서 선택된 발광 패턴에 따라 상기 발광다이오드 어레이 모듈을 구동하는 드라이버 모듈;을 포함하고,상기 복수의 트랜지스터부 각각은 밴드갭이 서로 다른 하부 반도체층과 상부 반도체층이 적층된 반도체 적층구조물을 포함하며,상기 트랜지스터 어레이 기판은 상기 기판의 가장자리 영역에 관통 형성되는 복수의 제2 비아홀에 전도성 물질이 충진되어 형성되며, 상기 복수의 트랜지스터부에 전기적으로 연결되는 복수의 관통 전극을 포함하고,상기 회로 기판은 상기 복수의 관통 전극에 대응되어 형성되며, 상기 복수의 관통 전극이 본딩되는 복수의 전극 패드를 포함하고,상기 드라이버 모듈은 서로 분리되어 상기 회로 기판의 양측에 각각 연결되는 로직 회로부와 파워 회로부를 포함하는 조명 장치
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청구항 1에 있어서,상기 하부 반도체층과 상기 상부 반도체층은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로 이루어진 조명 장치
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청구항 1에 있어서,상기 상부 반도체층의 밴드갭은 상기 하부 반도체층의 밴드갭보다 큰 조명 장치
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청구항 1에 있어서,상기 트랜지스터 어레이 기판은,상기 반도체 적층구조물 상에 형성되는 층간 절연층; 및상기 층간 절연층의 적어도 일부와 상기 기판을 관통하는 제1 비아홀에 열전도성 물질이 충진되어 형성되며, 상기 기판의 타면으로 노출되는 방열부재를 포함하는 조명 장치
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청구항 4에 있어서,상기 발광다이오드부는 상기 트랜지스터부에 전기적으로 연결되는 p형 전극을 포함하고,상기 방열부재는 상기 p형 전극에 정렬되어 상기 p형 전극의 하부 영역에 위치하는 조명 장치
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청구항 1에 있어서,상기 트랜지스터부는,상기 발광다이오드부와 전기적으로 연결되는 제1 트랜지스터; 및상기 제1 트랜지스터에 전기적으로 연결되어 상기 제1 트랜지스터의 게이트를 스위칭하는 제2 트랜지스터를 포함하는 조명 장치
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청구항 6에 있어서,상기 트랜지스터 어레이 기판은 상기 제1 트랜지스터의 게이트와 상기 제2 트랜지스터의 드레인에 전기적으로 연결되는 제1 전극; 및 상기 제1 전극과 이격되어 위치하는 제2 전극을 구비하는 저장 캐패시터를 더 포함하는 조명 장치
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청구항 6에 있어서,상기 트랜지스터 어레이 기판은,제1 방향으로 복수의 상기 제2 트랜지스터의 소스를 연결하는 복수의 소스 라인; 및상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 복수의 상기 제2 트랜지스터의 게이트를 연결하는 복수의 게이트 라인을 포함하는 조명 장치
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청구항 6에 있어서,상기 제1 트랜지스터의 소스에는 제1 전원전압이 인가되고,상기 발광다이오드부는 제2 전원전압이 인가되는 n형 전극을 포함하는 조명 장치
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