맞춤기술찾기

이전대상기술

플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기

  • 기술번호 : KST2018010071
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 메탄을 아세틸렌 및 다른 화학 물질들로 전환하며, 고효율 및 대형화를 구현하는 플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기는, 방전 가스 및 1차 반응물로 고온의 플라즈마를 생성하는 고온 발생부, 상기 고온 발생부에 각각 연결되는 복수의 토출 유로, 상기 고온 발생부 및 상기 토출 유로 중 일측에 연결되어 고온의 플라즈마에 2차 반응물을 공급하는 2차 반응물 공급부, 및 상기 토출 유로의 외곽에 각각 배치되어 상기 토출 유로의 내부를 냉각시켜서 2차 반응물에서 화학 물질로 전환시키는 냉각부를 포함한다.
Int. CL B01J 19/08 (2015.01.01) C07C 2/76 (2006.01.01) C07C 11/24 (2006.01.01)
CPC B01J 19/088(2013.01) B01J 19/088(2013.01) B01J 19/088(2013.01) B01J 19/088(2013.01)
출원번호/일자 1020170003431 (2017.01.10)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0082129 (2018.07.18) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.01.10)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조성권 대한민국 세종특별자치시 갈매로 ***,
2 이대훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 김관태 대한민국 대전광역시 서구
4 송영훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0028758-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.03.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0008995-57
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0267866-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0504480-04
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0504479-57
8 등록결정서
Decision to grant
2018.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0740421-36
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
방전 가스 및 1차 반응물로 고온의 플라즈마를 생성하는 고온 발생부;상기 고온 발생부에 각각 연결되는 복수의 토출 유로;상기 고온 발생부 및 상기 토출 유로 중 일측에 연결되어 고온의 플라즈마에 2차 반응물을 공급하는 2차 반응물 공급부; 및상기 토출 유로의 외곽에 각각 배치되어 상기 토출 유로의 내부를 냉각시켜서 2차 반응물에서 화학 물질로 전환시키는 냉각부를 포함하며,상기 2차 반응물 공급부는상기 2차 반응물로 메탄을 공급하고,상기 냉각부는상기 메탄에 대한 고온 노출 시간이 CH2 단계에서 냉각 시점(P1) 또는 CH 단계에서 냉각 시점(P2)을 제어하며,상기 복수의 토출 유로는전환된 상기 화학 물질인 에틸렌(C2H4) 또는 아세틸렌(C2H2)을 각각 토출하는플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기
2 2
제1항에 있어서,상기 2차 반응물 공급부는복수의 토출 유로에 각각 연결되어 2차 반응물을 공급하는 플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기
3 3
제1항에 있어서,복수의 토출 유로는 제어밸브를 개재하여 상기 고온 발생부에 각각 연결되는 플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기
4 4
제3항에 있어서,상기 2차 반응물 공급부는상기 제어밸브의 후방에서 복수의 토출 유로에 각각 연결되어 2차 반응물을 공급하는 플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기
5 5
제3항에 있어서,상기 2차 반응물 공급부는상기 제어밸브의 전방에서 복수의 토출 유로 전체에 대응하여 연결되어 2차 반응물을 공급하는 플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기
6 6
제5항에 있어서,상기 2차 반응물 공급부는복수의 토출 유로 전체에 대응하여 상기 고온 발생부의 일측을 구획하여 상기 고온 발생부에 공간적으로 연통되는 연통구를 가지는 격벽, 및상기 격벽으로 구획된 상기 토출 유로 측에 연결되는 2차 반응물 공급구를 포함하는 플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 고온 발생부는일측에 제1유입구와 제2유입구를 구비하여 방전 가스와 1차 반응물을 유입하고 좁아지는 목부를 형성하는 하우징, 및상기 하우징 내에 절연 장착되고 구동 전압이 인가되는 전극을 포함하며,상기 하우징은상기 목부에 연결되어 확장된 공간을 형성하고 전기적으로 접지되어 상기 전극에 연결되는 회전 아크를 길게 유도하여, 상기 토출 유로에 연결되는 확장부를 더 포함하는 플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기
9 9
제1항에 있어서,상기 고온 발생부는중심에 길이 방향으로 배치되는 제1전극,상기 제1전극의 외주에 방전갭을 형성하여 길이 방향으로 배치되고 상기 제1전극과의 사이에 제1유입구와 제2유입구를 구비하여 방전 가스와 1차 반응물을 유입하는 제2전극, 및원통으로 형성되어 상기 제2전극을 수용하고, 상기 토출 유로에 연결되는 하우징을 포함하고,상기 제1전극과 상기 제2전극은내부에 냉각수를 순환시키는 냉각수 통로를 더 구비하는 플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기
10 10
제1항에 있어서,상기 고온 발생부는원통으로 형성되고 구동 전압이 인가되며, 제1유입구를 구비하여 1차 반응물을 유입하는 전극, 및상기 전극에 절연 상태로 연결되고 전기적으로 접지되어 방전갭을 형성하며 상기 방전갭 측에 제2유입구를 구비하여 방전 가스를 유입하는 하우징을 포함하며,상기 하우징은상기 전극의 반대측에서 확장된 공간을 형성하여, 상기 토출 유로에 연결되는 확장부를 더 포함하는 플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기
11 11
제1항에 있어서,상기 고온 발생부는전원을 공급받아 마이크로웨이브를 발생시키는 마이크로웨이브 소스, 및상기 마이크로웨이브 소스에 윈도우로 연결되어 전달되는 마이크로웨이브를 안내하며, 제1유입구와 제2유입구를 구비하여 방전 가스와 1차 반응물을 유입하는 웨이브 가이드를 포함하며,상기 웨이브 가이드는상기 토출 유로에 연결되는 플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기
12 12
제1항에 있어서,상기 냉각부는상기 토출 유로의 외면에 구비되는 냉각 재킷,상기 냉각 재킷의 일측에 연결되어 저온의 냉각수를 유입하는 유입구, 및상기 냉각 재킷의 다른 일측에 연결되어 순환 후 가열된 고온의 냉각수를 유출하는 유출구를 포함하는 플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기
13 13
제1항에 있어서,상기 냉각부는상기 토출 유로의 외면에 구비되는 냉각 핀들로 형성되는 플라즈마를 이용한 고속 열제어 반응기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 기계연구원 주요사업 플라즈마 기반 C1 → C2 직접 전환 공정 원천 기술 개발 (2/3)