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탄소나노입자-탄소재 복합체 제조방법에 있어서,탄소재가 혼합된 유기용매를 준비하는 단계와;상기 유기용매 내에 한 쌍의 금속 와이어를 배치하는 단계와;상기 금속와이어에 직류 전원(direct current power)을 인가하여 플라즈마 방전(plasma discharge)을 통해 상기 유기용매로부터 탄소나노입자를 형성함과 동시에, 상기 탄소나노입자와 상기 탄소재가 탄소-탄소 공유결합(C-C covalent bond)하여 탄소나노입자-탄소재 복합체를 형성하는 단계를 포함하며,상기 탄소재는 선형의 탄소재인 탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT), 탄소섬유(carbon fiber), 그래핀(graphene) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소나노입자-탄소재 복합체 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 유기용매는,선형 구조로 이루어진 유기용매 또는 고리형 구조로 이루어진 유기용매이며,상기 선형 구조로 이루어진 유기용매는 펜탄(pentane), 헥산(hexane), 도데칸(dodecane) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로 선택되며,상기 고리형 구조로 이루어진 유기용매는 포화 고리를 가지는 용매인 사이클로헥산(cyclohexane), 방향족 고리를 가지는 용매인 벤젠(benzene), 자일렌(xylene), 톨루엔(toluene) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소나노입자-탄소재 복합체 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 유기용매는, 상온에서 액상으로 존재하며 탄화수소(HC)로 구성되고, 독성이 낮은 유기용매인 것을 특징으로 하는 탄소나노입자-탄소재 복합체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속와이어는 녹는점이 2000℃를 초과하는 소재로 이루어지며,상기 금속와이어는 하프늄(Hf), 탄탈럼(Ta), 네오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 테크네튬(Tc), 레늄(Re), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소나노입자-탄소재 복합체 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속와이어는 녹는점이 2000℃ 이하의 소재로 이루어지며,플라즈마 방전을 통해 상기 금속와이어가 금속입자로 형성되어 금속입자-탄소나노입자-탄소재 복합체를 이루는 것을 특징으로 하는 탄소나노입자-탄소재 복합체 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 금속와이어는 금(Au), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 주석(Sn), 납(Pb) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소나노입자-탄소재 복합체 제조방법
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탄소나노입자-탄소재 복합체에 있어서,금속와이어에 직류 전원(direct current power)을 인가하여 플라즈마 방전(plasma discharge)을 통해 유기용매로부터 탄소나노입자를 형성함과 동시에, 상기 탄소나노입자와 탄소재가 탄소-탄소 공유결합(C-C covalent bond)하여 형성되며, 상기 탄소재는 선형의 탄소재인 탄소나노튜브(carbon nanotube, CNT), 탄소섬유(carbon fiber), 그래핀(graphene) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 탄소나노입자-탄소재 복합체
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제 8항에 있어서,상기 금속와이어는 녹는점이 2000℃ 이하의 소재로 이루어지며,플라즈마 방전을 통해 상기 금속와이어가 금속입자로 형성되어 금속입자-탄소나노입자-탄소재 복합체를 이루는 것을 특징으로 하는 탄소나노입자-탄소재 복합체
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탄소나노입자-탄소재 복합체에 있어서,탄소나노입자와 탄소재가 탄소-탄소 공유결합(C-C covalent bond)하여 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노입자-탄소재 복합체
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