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제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성된 전자전달층;상기 전자전달층 상에 형성된 페로브스카이트 광흡수층; 및상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 형성되는 제2 전극;을 포함하고,상기 전자전달층은 상기 제1 전극 상에 결정화된 TiO2층 및 상기 결정화된 TiO2층 상에 금속산화물층을 포함하고,상기 결정화된 TiO2층이 아나타제(anatase) 결정(crystal)을 포함하고,상기 금속산화물층이 SnO2을 포함하고,상기 페로브스카이트 광흡수층이 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물을 포함하고,상기 페로브스카이트 구조의 화합물이 CH3NH3PbI3인 것인 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 태양전지가 광흡수층과 제2 전극 사이에 정공전달층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제2항에 있어서상기 정공전달층이 Spiro-OMeTAD, P3HT, P3AT, P3OT, PEDOT:PSS, PTAA 및 전도성고분자 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 페로브스카이트 태양전지가 상기 전자전달층에 대향하는 방향의 반대 방향으로 제1 전극상에 기재를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제4항에 있어서,상기 기재가 전도성 투명기재 또는 플라스틱 기재를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제2 전극은 Ag, Au, Pt, Ni, Cu, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C 및 전도성 고분자 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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(a) 제1 전극 상에 티타늄층을 형성하는 단계;(b) 상기 티타늄층을 양극산화법으로 산화시켜 이산화티타늄(TiO2)층을 제조하는 단계;(c) 상기 이산화티타늄층을 열처리하여 결정화된 이산화티타늄층을 제조하는 단계; (d) 상기 결정화된 이산화티타늄층 상에 금속산화물 전구체를 코팅하는 단계; (e) 상기 금속산화물 전구체를 열처리하여 상기 결정화된 이산화티타늄층 상에 금속산화물층을 포함하는 전자전달층을 형성하는 단계;(f) 페로브스카이트 전구체를 상기 전자전달층상에 코팅하는 단계;(g) 상기 페로브스카이트 전구체를 열처리하여 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계; 및(h) 상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 단계 (b)의 상기 양극산화법이 3 내지 10V의 전압 조건에서 수행되고,단계 (e)가 100 내지 300℃에서 수행되고,상기 금속산화물 전구체는 SnO2의 전구체이고,상기 페로브스카이트 전구체는 CH3NH3PbI3의 전구체이고,상기 결정화된 TiO2층이 아나타제(anatase) 결정(crystal)을 포함하고,상기 금속산화물층이 SnO2를 포함하고,상기 페로브스카이트 광흡수층이 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물을 포함하고,상기 페로브스카이트 구조의 화합물이 CH3NH3PbI3인 것인, 제1항의 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서상기 양극산화법이 3 내지 40분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 금속산화물 전구체가 SnCl4인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서, 단계 (h) 전에, 정공전달층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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