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광학 장치, 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드의 제조방법, 및 광학 장치의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018010325
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광학 장치, 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드의 제조방법 및 광학 장치의 제조방법을 개시한다. 광학 장치는, 냉각 소자 및 상기 냉각 소자의 일측 상의 리세스 영역을 포함하는 하부 클래드를 갖고, 상기 냉각 소자의 타측으로 연결되는 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드, 및 상기 냉각 소자와 상기 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드 사이의 에어 갭을 포함한다. 상기 에어 갭은 상기 리세스 영역 내의 상기 하부 클래드의 하부 면과 상기 냉각 소자의 상부 면으로 정의될 수 있다.
Int. CL H01S 5/125 (2015.01.01) H01S 5/024 (2006.01.01) H01S 5/042 (2006.01.01) H01S 5/22 (2006.01.01)
CPC H01S 5/125(2013.01) H01S 5/125(2013.01) H01S 5/125(2013.01) H01S 5/125(2013.01)
출원번호/일자 1020170006421 (2017.01.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-2188960-0000 (2020.12.03)
공개번호/일자 10-2018-0084002 (2018.07.24) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.07.19)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권오기 대한민국 대전광역시 유성구
2 오수환 대한민국 대전광역시 서구
3 이철욱 대한민국 대전광역시 유성구
4 김기수 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0046133-10
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-0740275-54
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0082217-09
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0435622-99
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2020-0843124-20
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.08.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0843125-76
8 등록결정서
Decision to grant
2020.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0839016-05
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
냉각 소자;상기 냉각 소자의 일측 상의 리세스 영역을 포함하는 하부 클래드를 갖고, 상기 냉각 소자의 타측으로 연결되는 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드; 및상기 냉각 소자와 상기 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드 사이의 에어 갭을 포함하되,상기 에어 갭은 상기 리세스 영역 내의 상기 하부 클래드의 하부 면과 상기 냉각 소자의 상부 면으로 정의되는 광학 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드는:상기 하부 클래드의 일측 상의 패시브 도파로와, 상기 하부 클래드의 타측 상의 액티브 도파로를 포함하는 도파로;상기 도파로 상에 배치된 상부 클래드;상기 액티브 도파로의 상기 상부 클래드 상에 배치된 제 1 상부 전극; 및상기 패시브 도파로의 상기 상부 클래드 상에 배치된 제 2 상부 전극을 더 포함하되,상기 리세스 영역은 상기 제 2 상부 전극 아래에 배치된 광학 장치
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드는 상기 제 2 상부 전극 아래의 상기 하부 클래드 내에 배치된 격자들을 더 포함하되,상기 격자들은 상기 리세스 영역 내의 상기 하부 클래드의 하부 면으로부터 5㎛이상의 깊이 내에 배치된 광학 장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 장치는, 상기 하부 클래드와 상기 냉각 소자의 타측 사이의 범프들을 더 포함하되, 상기 냉각 소자는:열전대; 및상기 열전대와 상기 범프들 사이에 배치되는 상의 금속 광학 벤치를 포함하는 광학 장치
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 장치는, 상기 하부 클래드와 상기 냉각 소자의 타측 사이의 범프들을 더 포함하되, 상기 냉각 소자는:열전대;상기 열전대와 상기 범프들 사이에 형성된 마운트 블록; 및상기 마운트 블록과 상기 범프들 사이에 형성되고, 접지된 금속 패턴을 포함하는 광학 장치
6 6
하부 클래드 내에 격자들을 형성하는 단계;상기 격자들 상의 패시브 도파로, 및 상기 패시브 도파로와 연결되는 액티브 도파로를 포함하는 도파로를 형성하는 단계;상기 도파로 상에 상부 클래드를 형성하는 단계;상기 상부 클래드 상에 복수개의 상부 전극들을 형성하는 단계;상기 하부 클래드 아래에 하부 전극 층을 형성하는 단계; 및상기 격자들 아래의 상기 하부 전극 층의 일부와 상기 하부 클래드의 일부를 식각하여 하부 전극과 리세스 영역을 형성하는 단계를 포함하는 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 하부 클래드의 두께가 100㎛일 때, 상기 하부 클래드는 80㎛이하로 식각되되,상기 격자들은 상기 리세스 영역 내의 상기 하부 클래드의 하부 면으로부터 5㎛이상의 깊이 내에 형성되는 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드의 제조 방법
8 8
제 6 항에 있어서, 상부 전극들 중 하나와 상기 상부 클래드 사이에 절연 층을 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 절연 층이 100nm의 두께를 가질 때, 상기 리세스 영역은 45㎛의 깊이로 형성되는 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드의 제조방법
9 9
제 6 항에 있어서,상기 하부 클래드는 상기 격자들의 하부 면과 상기 리세스 영역 내의 상기 하부 클래드의 하부 면 사이에 3마이크로 이상의 두께를 갖도록 식각되는 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드의 제조방법
10 10
제 6 항에 있어서,상기 리세스 영역은 트렌치들을 포함하되,상기 트렌치들은 라인 모양으로 형성되는 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드의 제조방법
11 11
제 6 항에 있어서,상기 리세스 영역은 홀들을 포함하되,상기 홀들은 벌집 모양으로 배열되는 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드의 제조방법
12 12
제 6 항에 있어서,상기 상부 전극들은:상기 액티브 도파로 상에 형성된 제 1 상부 전극;상기 1 상부 전극에 인접하고 상기 패시브 도파로 상에 형성된 제 2 상부 전극; 및상기 제 2 상부 전극에 인접하고, 상기 패시브 도파로 상에 형성된 제 3 상부 전극을 포함하되,상기 제 3 상부 전극은 상기 패시브 도파로를 가열하는 히터 전극으로 사용되는 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 상부 클래드와 상기 1 및 제 2 상부 전극들 사이에 형성된 제 1 및 제 2 오믹 콘택 층들을 형성하는 단계를 더 포함하는 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드의 제조방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 상부 전극들 상에 제 1 및 제 3 패드들을 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 층, 상기 제 1 및 제 2 상부 전극들, 및 상기 제 1 및 제 2 패드들은 티타늄/백금/금의 적층 구조로 형성되는 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드의 제조방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 제 3 상부 전극과 상기 제 3 패드는 크롬과 금을 각각 포함하는 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드의 제조방법
16 16
분포 브라그 반사형 레이저 다이오드를 형성하는 단계;상기 분포 브라그 반사형 레이저 다이오드의 아래에 범프들을 형성하는 단계; 및상기 범프들에 냉각 소자를 접합하는 단계를 포함하되,상기 분파 반사형 파장가변 광원의 제조 방법은, 하부 클래드 내에 격자들을 형성하는 단계;상기 격자들 상의 패시브 도파로, 및 상기 패시브 도파로와 연결되는 액티브 도파로를 포함하는 도파로를 형성하는 단계;상기 도파로 상에 상부 클래드를 형성하는 단계;상기 상부 클래드 상에 복수개의 상부 전극들을 형성하는 단계;상기 하부 클래드 아래에 하부 전극 층을 형성하는 단계; 및상기 격자들 아래의 상기 하부 전극 층의 일부와 상기 하부 클래드의 일부를 식각하여 하부 전극과 리세스 영역을 형성하는 단계를 포함하는 광학 장치의 제조방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 패시브 도파로 아래의 상기 하부 클래드와 상기 냉각 소자는 에어 갭을 형성하되,상기 에어 갭은 상기 리세스 영역 내의 상기 하부 클래드의 하부 면의 깊이보다 크게 형성된 광학 장치의 제조 방법
18 18
제 16 항에 있어서,상기 냉각 소자는:열전대; 및상기 열전대와 상기 범프들 사이에 형성된 상의 금속 광학 벤치를 포함하는 광학 장치의 제조방법
19 19
제 16 항에 있어서,상기 냉각 소자는:열전대;상기 열전대와 상기 범프들 사이에 형성된 마운트 블록; 및상기 마운트 블록과 상기 범프들 사이에 형성되고, 접지된 금속 패턴을 포함하는 광학 장치의 제조 방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 마운트 블록은 세라믹을 포함하는 광학 장치의 제조방법
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1 미래창조과학부 (주) 큐에스아이 특구기술사업화사업(상용화지원) 스마트보드용 850nm 200mW 고출력 single-mode 레이저 개발