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TDS(Total Dissolved Solids)가 58,000mg/L 이상인 원수와 기포를 동시에 유입하여 막 증발법을 수행하되,상기 기포는 하기 수학식 1의 막의 오염 지수(FI)에 따라 계산하여 기포의 분사 주기를 결정하여 막 증발법에 의한 해수 담수화와 동시에 상기 증발 막을 세정하는 것을 특징으로 하는 막 증발법용 막의 세정 방법:[수학식 1]FI(%)=[(Q0-Qt)/Q0]×100(식 중, FI는 막오염 지수이고, Q0는 여과시작 후 첫 한 시간 동안의 생산 수량이며, Qt 는 현재 한 시간 동안의 생산 수량임)
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청구항 1에 있어서, 상기 막의 오염 지수(FI)가 5% 미만이면 기포를 간헐적으로 주입하되 1분 주입하고 9분 정지하고;상기 막의 오염 지수(FI)가 5% 이상 내지 10% 미만이면 기포를 간헐적으로 주입하되 1분 주입하고 4분 정지하고;상기 막의 오염 지수(FI)가 10% 이상 내지 15% 미만이면 기포를 간헐적으로 주입하된 1분 주입하고 1분 정지하며상기 상기 막의 오염 지수(FI)가 15%를 이상이면 기포를 연속적으로 주입하는 것을 특징으로 하는 막 증발법용 막의 세정 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 기포는 직경이 0
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원수를 공급하는 원수탱크 및 원수 배관; 원수를 여과시키는 막증발 모듈; 기포를 공급하기 위한 기포 발생기 및 기포 주입 배관; 냉각수를 공급하기 위한 냉각수탱크 및 냉각수 배관; 및상기 막의 막오염 지수를 계산하고, 상기 계산된 막오염지수에 따라 기포의 분사주기를 결정하는 제어부를 포함하고, 상기 제어부는 하기 수학식 1을 이용하여 막오염 지수를 결정하는 것을 특징으로 하는 막 증발법용 막의 세정 장치:[수학식 1]FI(%)=[(Q0-Qt)/Q0]×100(식 중, FI는 막오염 지수이고, Q0는 여과시작 후 첫 한 시간 동안의 생산 수량이며, Qt 는 현재 한 시간 동안의 생산 수량임)
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청구항 4에 있어서, 상기 제어부는 막의 오염 지수(FI)가 5% 미만이면 기포를 간헐적으로 주입하되 1분 주입하고 9분 정지하고;상기 막의 오염 지수(FI)가 5% 이상 내지 10% 미만이면 기포를 간헐적으로 주입하되 1분 주입하고 4분 정지하고;상기 막의 오염 지수(FI)가 10% 이상 내지 15% 미만이면 기포를 간헐적으로 주입하된 1분 주입하고 1분 정지하며상기 상기 막의 오염 지수(FI)가 15%를 이상이면 기포를 연속적으로 주입하는 것을 특징으로 하는 막 증발법용 막의 세정 장치
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청구항 4에 있어서, 상기 원수는 TDS(Total Dissolved Solids)가 58,000mg/L 이상인 것을 특징으로 하는 막 증발법용 막의 세정 장치
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청구항 4에 있어서, 상기 기포는 직경이 0
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청구항 1에 있어서, 상기 제어부는 유량을 이용하여 막오염 지수를 계산하고, 계산된 막오염 지수에 따라 1차 막오염 단계를 결정하는 연산부;상기 1차 막오염 단계를 이전 주기의 막오염 단계와 비교하여 2차 막오염 단계를 결정하는 비교판단부; 및상기 2차 막오염 단계에 따라 기포발생기를 제어하는 처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 막 증발법용 막의 세정 장치
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청구항 8에 있어서, 상기 연산부는 막의 오염 지수(FI)가 5% 미만이면 막오염 단계를 1단계로 판단하고,상기 막의 오염 지수(FI)가 5% 이상 내지 10% 미만이면 막오염 단계를 2단계로 판단하고,상기 막의 오염 지수(FI)가 10% 이상 내지 15% 미만이면 막오염 단계를 3단계로 판단하고,상기 막의 오염 지수(FI)가 15%를 이상이면 막오염 단계를 4단계로 판단하며,상기 비교판단부는 상기 연산부에서 계산된 1차 막오염 단계와 이전 주기의 막오염 단계의 차이가 3단계 미만인 경우에는 상기 1차 막오염 단계를 2차 막오염 단계로 결정하는 것을 특징으로 하는 막 증발법용 막의 세정 장치
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