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플라즈마의 전자 에너지 분포 함수(EEDF)를 진단하는 방법으로서, (a) 10 eV 이상 고에너지 전자의 분포 확률이 맥스웰 분포보다 큰, 대상 플라즈마의 EEDF 함수식을 벌크 전자(fbulk)의 맥스웰리안 EEDF 및 빔전자(fbeam)의 쉬프트된 맥스웰리안 EEDF의 선형 결합으로 선정하는 단계;(b) 여기 분광 물성의 특성을 기반으로 하는 파장 선택과 빛 방출 모델 설립 단계; 및(c) 상기 설립된 빛 방출 모델에 기초하여 상기 EEDF를 진단하는 단계를 포함하고,상기 (b) 단계에서, 상기 여기 분광 물성의 특성을 기반으로 한 파장 선택은, 상기 대상 플라즈마의 10 eV 이상의 고에너지 전자와의 충돌에 의한 여기 입자의 스핀-포비든(spin-forbidden) 준위에서 방출되는 빛과 다이폴-포비든(dipole-forbidden) 준위에서 방출되는 빛의 파장을 선택하는 것이고,상기 (b) 단계에서, 선택한 파장의 빛의 세기 비율에 따른 빛 방출 모델은,(Ipk는 p 상태에서 k 상태로 천이에 의한 빛의 세기, Ipr은 p 상태에서 r 상태로 천이에 의한 빛의 세기, θpk는 p 상태에서 k 상태로의 단방향 탈출 인자(mono-directional escape factor), Apk 및 Apr은 천이 확률 또는 방사 감쇠 계수(radiative dacay coefficient)(s-1))로 설립하는 것이며,상기 (c) 단계에서, 상기 빛 방출 모델로부터 측정되는 빛(Imeasured)의 세기 비 및 예상되는 빛(Iexpected)의 세기 비의 절대 오차(AE)를 만족하는, 2개의 솔루션 곡선의 교차점으로부터 빔전자의 분률(α) 및 빔전자의 에너지 (E0)를 결정하여 상기 EEDF를 진단하는, 플라즈마의 EEDF 진단 방법
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제1항에 있어서,상기 고에너지 전자는 비등방성으로 가속되어 가열된 것을 포함하는, 플라즈마의 EEDF 진단 방법
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제1항에 있어서,상기 대상 플라즈마는, 수평 방향으로 형성되고 대향하는 한 쌍의 전극 사이에서 상기 전극에 수직한 방향으로 가속되어 BRH(bounce-resonance heating)에 의해 증진된 에너지의 전자군을 포함하는, 플라즈마의 EEDF 진단 방법
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제1항에 있어서,상기 EEDF 함수식 fe(E)는, 맥스웰 분포를 가지는 벌크 전자의 EEDF(fbulk)와 빔전자의 쉬프트된 맥스웰리안(shifted Maxwellian) EEDF(fbeam)의 합으로서,(α는 빔전자의 분률(%), N은 정규화 요소(normalization factor))으로 선정하는, 플라즈마의 EEDF 진단 방법
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제7항에 있어서,(E는 전자 역학적 에너지, Te는 전자 온도)및(E0는 빔전자의 전파 에너지)인, 플라즈마의 EEDF 진단 방법
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플라즈마의 전자 에너지 분포 특성 변동을 모니터링하는 방법으로서,(a) 10 eV 이상 고에너지 전자의 분포 확률이 맥스웰 분포보다 큰, 대상 플라즈마의 EEDF 함수식을 벌크 전자(fbulk)의 맥스웰리안 EEDF 및 빔전자(fbeam)의 쉬프트된 맥스웰리안 EEDF의 선형 결합으로 선정하는 단계;(b) 여기 분광 물성의 특성을 기반으로 하는 파장 선택과 빛 방출 모델을 설립하는 단계;(c) 상기 설립된 빛 방출 모델에 기초하여 상기 EEDF를 진단하는 단계; 및(d) 상기 진단된 EEDF의 변동에 기초하여 대상 플라즈마 상태에 관한 전자 에너지 분포 특성 변동의 모니터링을 수행하는 단계를 포함하고,상기 (b) 단계에서, 상기 여기 분광 물성의 특성을 기반으로 한 파장 선택은, 상기 대상 플라즈마의 10 eV 이상의 고에너지 전자와의 충돌에 의한 여기 입자의 스핀-포비든(spin-forbidden) 준위에서 방출되는 빛과 다이폴-포비든(dipole-forbidden) 준위에서 방출되는 빛의 파장을 선택하는 것이고,상기 (b) 단계에서, 선택한 파장의 빛의 세기 비율에 따른 빛 방출 모델은,(Ipk는 p 상태에서 k 상태로 천이에 의한 빛의 세기, Ipr은 p 상태에서 r 상태로 천이에 의한 빛의 세기, θpk는 p 상태에서 k 상태로의 단방향 탈출 인자(mono-directional escape factor), Apk 및 Apr은 천이 확률 또는 방사 감쇠 계수(radiative dacay coefficient)(s-1))로 설립하는 것이며,상기 (c) 단계에서, 상기 빛 방출 모델로부터 측정되는 빛(Imeasured)의 세기 비 및 예상되는 빛(Iexpected)의 세기 비의 절대 오차(AE)를 만족하는, 2개의 솔루션 곡선의 교차점으로부터 빔전자의 분률(α) 및 빔전자의 에너지 (E0)를 결정하여 상기 EEDF를 진단하는, 플라즈마의 전자 에너지 분포 특성 변동 모니터링 방법
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