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기판 상에 비정질 전도성 산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 비정질 전도성 산화물층에 광을 조사하여 상기 비정질 전도성 산화물층을 결정화시키는 단계;를 포함하는 전도성 산화물 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 비정질 전도성 산화물층을 형성하는 단계는 상기 전도성 산화물을 상기 기판 상에 상온 증착하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 산화물 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 전도성 산화물은 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO (Zinc Oxide), SnO2 (Tin Dioxide), TiO2 (Titanium Dioxide), GZO (Ga-doped ZnO) 및 AZO (Al-doped ZnO)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 전도성 산화물 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 비정질 전도성 산화물층을 형성하는 단계 전에 상기 기판에 금속층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 산화물 박막 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 금속층은 상기 광을 반사시키는 것을 특징으로 하는 전도성 산화물 박막 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 금속층은 은, 알루미늄 및 이들의 합금 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 산화물 박막 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 비정질 전도성 산화물층을 결정화시키는 단계는, 상기 비정질 전도성 산화물층에 흡수되는 파장의 광은 투과하고, 상기 금속층에 흡수되는 파장의 광은 차단하는 광학필터를 통해 상기 광을 조사하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 산화물 박막 제조방법
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기판 상에 비정질 전도성 산화물층을 형성하는 단계; 상기 비정질 전도성 산화물층 상에 마스크를 위치시키고 광을 조사하여 상기 비정질 전도성 산화물층을 결정화시키는 단계; 및상기 비정질 전도성 산화물층을 습식식각하여 상기 광이 조사되지 않은 영역을 제거하는 단계;를 포함하는 전도성 산화물 박막 제조방법
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