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제1 지지 기판 상에 제1 평탄화층을 형성하는 단계;제2 지지 기판 상에 직물 기판을 형성하는 단계;상기 제1 지지 기판 상에 형성된 상기 제1 평탄화층과, 상기 제2 지지 기판 상에 형성된 상기 직물 기판을 접합하는 단계;상기 제2 지지 기판을 제거하는 단계;상기 제1 평탄화층을 경화(curing)시키는 제1 경화 단계; 상기 제1 지지기판을 제거하는 단계;상기 제1 평탄화층을 상기 제1 경화 단계보다 비교적 고온에서 재경화시키는 제2 경화 단계;상기 제1 평탄화층 상에 중간층을 형성하는 단계; 및상기 중간층 상에 제2 평탄화층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 평탄화층은 2단계 경화 공정을 통해 경화되어, 상기 제1 지지 기판이 용이하게 제거되는 동시에 상기 직물 기판과 상기 제1 평탄화층 사이의 접합력이 증가되는 직물 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 평탄화층은 드랍 캐스팅 방식을 사용하여 상기 제1 지지 기판 상에 형성되고, 상기 제2 평탄화층은 스핀 코팅 방식으로 형성하는 직물 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 경화 단계는 90℃ 내지 100℃의 온도에서 진행되는 직물 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 경화 단계는 110℃ 내지 130℃의 온도에서 진행되는 직물 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 지지 기판을 제거하는 상기 단계는,상기 제1 평탄화층을 표면 처리하는 제1 표면 처리 단계를 포함하는 직물 기판 제조 방법
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제7 항에 있어서,상기 제1 표면 처리는 UV-O3(자외선-오존)처리를 사용하는 직물 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 평탄화층 상에 중간층(intermediate layer)을 형성하는 상기 단계는,상기 중간층을 표면 처리하는 제2 표면 처리 단계를 포함하는 직물 기판 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 제2 표면 처리는 UV-O3(자외선-오존)처리를 사용하는 직물 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 중간층 상에 제2 평탄화층을 형성하는 상기 단계는,상기 제2 평탄화층을 표면 처리하는 제3 표면 처리 단계를 포함하는 직물 기판 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제3 표면 처리는 UV-O3(자외선-오존)처리를 사용하는 직물 기판 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 평탄화층 또는 상기 제2 평탄화층은 polydimethylsiloxane(PDMS), ethylene-vinyl acetate(EVA), Chlorosulfonated polyethylene(CSM), Polyether block amides(PEBA), Perfluoroelastomers(FFKM), Fluoroelastomers(FKM), Fluorosilicone Rubber(FVMQ), Silicone rubber(SI), Polyacrylic rubber(ACM), Epichlorohydrin rubber(ECO), ethylene propylene rubber(EPM), Hydrogenated Nitrile Rubbers(HNBR) 및 Styrene-butadiene Rubber(SBR) 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 직물 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 직물 기판은 폴리아미드(polyamide), 폴리아크릴(polyacrylic), 폴리에스테르(polyester), 폴리우레탄(polyurethane), 천(cotton), 린넨(linen), 울(wool) 및 실크(silk) 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 직물 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 중간층은 poly(methyl methacrylate)(PMMA), polyethylene terephthalate(PET), polyethylene naphthalate(PEN), polycarbonate(PC), polyether sulfone(PES), polyimide(PI) 및 polyurethan acrylate(PUA) 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 직물 기판 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 평탄화층, 상기 중간층 및 상기 제2 평탄화층은 양자점, 나노 입자 및 무기 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 직물 기판 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 양자점은 Si, GaAs, Ge, AlAs, AlGaAs, GaP, InP, InAs, InGaAs, InSb, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnS, ZnO, GaN, AlGaN, InAlN, HgCdTe, graphene, CdSe/CdS, ZnSe/ZnS, Si/Ge, InP/GaAs, ZnO/graphene, InSb/InAs, HgTe/InP, CdTe/CdS/ZnSe 및 CdSe/CdS/ZnS 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 직물 기판 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 나노 입자는 Al, Au, Ag, Cu, Pt, W, Ni, Zn, Ti, Zr, Hf, Cd 및 Pd 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 직물 기판 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 무기 산화물은 SiO2, MoO2, NiO2, WO3, Al2O3, Fe2O3, AgO2, CuO, ZnO, Cu2O, TiO2, ZrO2, BaTiO3, PbTiO3, BaZrTiO3 및 PbZrTiO3 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 직물 기판 제조 방법
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제1 지지 기판 상에 제1 평탄화층을 형성하는 단계;제2 지지 기판 상에 직물 기판을 형성하는 단계;상기 제1 지지 기판 상에 형성된 상기 제1 평탄화층과, 상기 제2 지지 기판 상에 형성된 상기 직물 기판을 접합하는 단계;상기 제2 지지 기판을 제거하는 단계;상기 제1 평탄화층을 경화(curing)시키는 제1 경화 단계;상기 제1 지지기판을 제거하는 단계;상기 제1 평탄화층을 상기 제1 경화 단계보다 비교적 고온에서 재경화시키는 제2 경화 단계;상기 제1 평탄화층 상에 중간층을 형성하는 단계;상기 중간층 상에 제2 평탄화층을 형성하는 단계; 및상기 제2 평탄화층 상에 나노선 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 평탄화층은 2단계 경화 공정을 통해 경화되어, 상기 제1 지지 기판이 용이하게 제거되는 동시에 상기 직물 기판과 상기 제1 평탄화층 사이의 접합력이 증가되는 플렉서블 나노선 전극 제조 방법
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제20항에 있어서,상기 나노선 전극은 바코팅(bar coating), 스프레이 코팅(spray coating), 스핀 코팅(spin coating), 브러쉬 코팅(brush coating), 딥 코팅(dip coating) 및 그라비아 코팅(gravure coating) 중 적어도 어느 하나의 방법으로 형성되는 플렉서블 나노선 전극 제조 방법
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