| 1 |
1
성장용 기판 상에 개별화된 발광 구조체를 형성하는 단계;상기 발광 구조체 상에 상기 발광 구조체의 평탄화를 위해 표면 평탄화층 및 상기 표면 평탄화층 상에 특정 방향으로 자화된 자성층을 형성하는 단계;상기 자성층에 이송 헤드를 통해 유도 자계를 인가하고, 상기 성장용 기판으로부터 발광 구조체를 분리하여 이송 헤드로 상기 발광 구조체를 픽업하는 단계; 및상기 이송 헤드에 접합된 상기 발광 구조체를 수용 기판 상에 접합하고, 상기 발광 구조체로부터 상기 이송 헤드를 분리하는 단계를 포함하는 마이크로 소자의 이송 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 발광 구조체를 형성하는 단계는,성장용 기판 상에 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제1 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 반도체층을 부분 식각하여 상기 성장용 기판의 일부를 노출하고, 상기 발광 구조체를 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 이송 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 발광 구조체를 형성하는 단계 이후에,분리된 상기 발광 구조체의 상기 제1 반도체층 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 제2 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 이송 방법
|
| 4 |
4
제2항에 있어서, 상기 발광 구조체로부터 상기 이송 헤드를 분리하는 단계 이후에,상기 자성층 및 상기 표면 평탄화층을 제거하는 단계; 및상기 발광 구조체의 노출된 상기 제1 반도체층 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 제2 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 이송 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 표면 평탄화층 및 상기 자성층을 형성하는 단계는,상기 발광 구조체들 사이의 이격공간을 매립하고, 상기 발광 구조체를 차폐하는 상기 표면 평탄화층을 형성하는 단계;상기 표면 평탄화층 상에 상기 자성층을 형성하는 단계; 및상기 표면 평탄화층 및 상기 자성층에 대한 부분 식각을 통해 상기 성장용 기판의 표면 일부를 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 이송 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 표면 평탄화층은 PMMA, siloxane SOG(spin on glass) 또는 포토레지스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 이송 방법
|
| 7 |
7
제5항에 있어서, 상기 표면 평탄화층은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 이송 방법
|
| 8 |
8
제5항에 있어서, 상기 표면 평탄화층 상에 상기 자성층을 형성하는 단계 이후에, 상기 자성층에 자기력을 인가하여 상기 자성층을 영구자석으로 기능하게 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 이송 방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 발광 구조체를 상기 수용 기판 상에 접합하는 단계는,접합층이 형성된 상기 수용 기판 상에 상기 이송 헤드에 접합된 상기 발광 구조체를 배치시키는 단계;상기 이송 헤드를 통해 상기 접합층과 상기 발광 구조체를 접합하여 상기 발광 구조체를 상기 수용 기판 상에 접합하는 단계; 및상기 이송 헤드로부터 상기 발광 구조체를 분리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 이송 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 접합층은 In, Bi, Sn, Ag, Au, Ga, Sb, Cu, Cd, Pb, Zn, V, W, Ni 또는 Co를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 이송 방법
|
| 11 |
11
성장용 기판 상에 개별화된 발광 구조체를 형성하는 단계;상기 발광 구조체 상에 상기 발광 구조체의 평탄화를 위해 표면 평탄화층 및 상기 표면 평탄화층 상에 자성층을 순차적으로 형성하는 단계;이송 헤드에 유도자계를 형성하여 특정방향으로 자화된 상기 자성층이 형성된 상기 발광 구조체를 상기 성장용 기판으로부터 분리하는 단계; 및상기 이송 헤드를 이용하여 상기 성장용 기판으로부터 분리된 상기 발광 구조체를 수용 기판 상에 배치시키는 단계를 포함하는 마이크로 소자의 이송 방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 발광 구조체를 상기 성장용 기판으로부터 분리하는 단계는,상기 이송 헤드에서 형성된 유도자계를 통해 상기 자성층이 형성된 상기 발광 구조체와 상기 이송 헤드 사이에 인력을 유도하는 단계; 및상기 성장용 기판에 레이저를 조사하여 상기 성장용 기판과 상기 발광 구조체를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 이송 방법
|
| 13 |
13
제11항에 있어서, 상기 발광 구조체로부터 상기 이송 헤드를 분리하는 단계 이후에,상기 표면 평탄화층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 이송 방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서, 상기 표면 평탄화층은 PMMA, siloxane SOG(spin on glass) 또는 포토레지스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 소자의 이송 방법
|
