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적어도 2 이상의 세라믹 기재를 준비하는 단계;상기 세라믹 기재 사이에 이산화규소 및 서로 반응하여 스피넬 구조 화합물을 형성하는 제 1 세라믹 및 제 2 세라믹을 포함하며, 1100℃ 이상의 온도에서 공융 액상을 형성하는 혼합 분말을 포함하는 접합재층을 형성하는 단계; 및상기 접합재층을 열처리하는 단계를 포함하며,상기 열처리하는 단계에서, 스피넬 구조 화합물을 포함하는 제 1 접합층 및 상기 제 1 접합층 상에 형성되어 있으며, 유리질 상을 가지는 금속 실리케이트 및 상기 유리질 상을 가지는 금속 실리케이트에 분산된 스피넬 구조 화합물을 포함하는 제 2 접합층의 구조를 형성하고, 상기 혼합 분말은 30 중량% 초과 내지 41 중량%의 제 1 세라믹, 26 중량% 내지 33 중량%의 제 2 세라믹 및 32 중량% 내지 39 중량% 미만의 이산화규소를 포함하는 세라믹 접합체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 적어도 2 이상의 세라믹 기재 및 제 1 접합층을 포함하고, 상기 세라믹 기재는 제 2-1 세라믹 기재 및 제 2-2 세라믹 기재를 포함하며, 상기 제 1 접합층은 제 1-1 접합층 및 제 1-2 접합층을 포함하고, 상기 제 2-1 세라믹 기재 상에 제 1-1 접합층이 형성되며, 상기 제 2-2 세라믹 기재 상에 제 1-2 접합층이 형성되고, 상기 제 1-1 접합층 및 제 1-2 접합층 사이에 제 2 접합층이 형성되어 있는 세라믹 접합체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 세라믹 기재는 마그네슘, 알루미늄, 지르코늄, 이트리움 및 규소로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 산화물, 금속 탄화물, 금속 붕화물 또는 금속 질화물을 포함하는 세라믹 접합체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 스피넬 구조 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 세라믹 접합체의 제조방법:[화학식 1]AxByOn상기 A는 2가의 양이온 금속을 나타내고, B는 3가의 양이온 금속을 나타내며, O는 산소를 나타내고, x 및 y는 각각 1 내지 2를 나타내고, n은 2 내지 7을 나타낸다
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제 4 항에 있어서, 2가의 양이온 금속은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 망간(Mn), 철(Fe), 아연(Zn), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 세라믹 접합체의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 3가의 양이온 금속은 알루미늄(Al), 이트리움(Y), 란타니움(La), 망간(Mn), 철(Fe), 크롬(Cr) 및 바나듐(V)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 세라믹 접합체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 접합재층을 열처리한 후 형성된 접합층의 두께가 10 ㎛ 내지 200 ㎛인 세라믹 접합체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 제 1 접합층의 두께는 5 내지 25㎛이고, 제 2 접합층의 두께는 5 내지 175㎛인 세라믹 접합체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 접합재층을 열처리한 후 형성된 접합층은 ASTM C1161에 의해 측정된 접합강도가 100 MPa 내지 300 MPa인 세라믹 접합체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 세라믹 기재와 접합재층을 열처리한 후 형성된 접합층 사이의 열팽창 계수 차이는 2×10-6/℃ 이하인 세라믹 접합체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 접합재층을 열처리하기 전에 접합재층과 세라믹 기재를 압착하는 단계를 추가로 포함하는 세라믹 접합체의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 압착하는 단계는 0
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제 1 항에 있어서, 접합재층을 형성하는 단계는 혼합 분말을 포함하는 슬러리 조성물을 캐스팅법으로 주조한 테이프를 세라믹 기재 사이에 삽입하거나 또는 상기 조성물을 세라믹 기재 사이에 도포하고 건조하여 수행되는 세라믹 접합체의 제조방법
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14
제 1 항에 있어서, 열처리하는 단계는 진공, 공기 또는 산소 분위기 하에서 수행되는 세라믹 접합체의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 열처리하는 단계는 1100℃ 이상의 온도에서 수행되는 세라믹 접합체의 제조방법
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