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폴리이미드와 그래핀 옥사이드 복합소재를 기반으로 한 저항 변화 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2018010714
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판(104), 상기 기판 상에 형성된 하부 전극층(103), 상기 하부 전극층(103) 상에 형성된 저항 변화 물질층(102), 상기 저항 변화 물질층(102) 상에 형성된 상부 전극층(101)을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01) C08K 9/04 (2006.01.01) C08K 3/20 (2006.01.01) C08L 79/08 (2006.01.01) C08G 73/10 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01) H01L 45/1608(2013.01)
출원번호/일자 1020170010942 (2017.01.24)
출원인 연세대학교 원주산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0086903 (2018.08.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020190057189;
심사청구여부/일자 Y (2017.01.24)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 원주산학협력단 대한민국 강원도 원주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정찬문 대한민국 강원도 원주시
2 조수행 대한민국 서울특별시 송파구
3 최주영 대한민국 강원도 원주시
4 김문영 대한민국 강원도 속초시
5 유환철 대한민국 경기도 남양주시 도농로 **,
6 홍민기 대한민국 경기도 수원시 장안구
7 남기용 대한민국 서울특별시 광진구
8 정진원 대한민국 경기도 광명시 사성로 ***,
9 조유진 대한민국 서울특별시 광진구
10 김범준 대한민국 경기도 화성시 금반*길 **-
11 진승원 대한민국 경기도 광주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍현경 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *층 (양재동, 보은빌딩)(노바국제특허법률사무소)
2 김보민 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, ***호 (역삼동)(특허법인한성)
3 특허법인미주 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 **(우면동, 선일빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0083010-15
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2017.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0086845-36
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5098886-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0257804-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2018-5085255-51
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0578194-18
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0687633-84
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0796627-33
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0913061-69
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2018.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0911277-77
11 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2018.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0145580-88
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0971527-82
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0971516-80
14 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2018.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-1220594-40
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0120093-12
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2019.03.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0297498-58
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0297543-15
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2019.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0284037-77
19 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2019.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0498863-24
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번호 청구항
1 1
기판(104);상기 기판 상에 위치하는 하부 전극층(103);상기 하부 전극층(103) 상에 위치하는 저항 변화 물질층(102); 및저항 변화 물질층(102) 상에 위치하는 상부 전극층(101)을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 하부 전극층(103)과 상부 전극층(101)은 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티탄(Ti), 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 아연(Zn), 텅스텐(W), 코발트(Co), 바나듐(V), 알루미늄(Al), 이리듐(Ir), 금(Au), 루테늄(Ru)을 포함하는 금속계열 또는 이리듐 산화물(IrO2),루테늄 산화물(RuO2),티타늄 산화물(TiN), 탄탈륨 질화물(TaN), 인듐 주석 산화물(Indium-tin-oxide, ITO)을 포함하는 산화물 계열 또는 그래핀 중에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 저항 변화 물질층(102)은 제 1 다이아민으로 표면 개질된 그래핀 옥사이드와 폴리이미드를 화학적으로 결합한 복합 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
4 4
제 3 항에 있어서,상기 저항 변화 물질층(102)의 두께는 20 nm 내지 150 nm인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
5 5
제 3 항에 있어서,상기 제 1 다이아민은 하기의 화학식 1의 다이아민이고,003c#화학식 1003e#상기 화학식 1에서 R2는 아래의 화학구조로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는,저항 변화 메모리 소자
6 6
제 5 항에 있어서,상기 x는 1≤x≤50을 만족하는 정수이고, 상기 n은 1 내지 20 범위의 자연수이며, W, X, Y는 각각 탄소수 1 내지 30 사이의 알킬기 또는 아릴기이고, Z는 에스테르기, 아미드기, 이미드기 및 에테르기로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는,저항 변화 메모리 소자
7 7
제 3 항에 있어서,상기 폴리이미드는 다이안하이드라이드 단량체와 제 2 다이아민 단량체를 용매에 넣고 교반하여 생성된 전방향족(fully aromatic), 부분지방족(partially aliphatic) 또는 전지방족(fully aliphatic) 폴리이미드 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
8 8
제 7 항에 있어서,상기 다이안아이드라이드는 하기의 화학식 2의 다이안하이드라이드이고,003c#화학식 2003e# 상기 화학식 1에서 R1은 아래의 화학구조로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는,저항 변화 메모리 소자
9 9
제 7 항에 있어서,상기 제 2 다이아민 단량체는 하기의 화학식 3의 다이아민이고,003c#화학식 3003e# 상기 화학식 3에서 R2는 아래의 화학구조로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는,저항 변화 메모리 소자
10 10
제 9 항에 있어서,상기 x는 1≤x≤50을 만족하는 정수이고, 상기 n은 1 내지 20 범위의 자연수이며, W, X, Y는 각각 탄소수 1 내지 30 사이의 알킬기 또는 아릴기이고, Z는 에스테르기, 아미드기, 이미드기 및 에테르기로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는,저항 변화 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020190055053 KR 대한민국 FAMILY
2 KR1020200031595 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.