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ＯＬＥＤ 조명 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2018010742
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강 미소공진 효과를 이용하여 발광 특성을 조절할 수 있는 OLED 조명 소자와 그 제조 방법에 관한 것으로, 투명한 재질의 제1 기판; 상기 제1 기판의 일면 위에 형성된 색변환부; 상기 제1 기판의 타면 위에 형성된 투명한 제1 전극부; 상기 제1 전극부 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제1 청색 발광부; 및 상기 제1 청색 발광부 위에 형성된 제2 전극부를 포함하여 구성되며, 상기 색변환부는 상기 제1 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있고, 상기 제1 전극부는 상기 제1 기판에 접하는 금속층 및 상기 제1 청색 발광부에 접하는 제1 유전체층을 포함하는 MD 전극이다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 27/32 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01)
출원번호/일자 1020170012051 (2017.01.25)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1989086-0000 (2019.06.07)
공개번호/일자 10-2018-0087699 (2018.08.02) 문서열기
공고번호/일자 (20190614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.01.25)
심사청구항수 50

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강경태 대한민국 서울특별시 서초구
2 김성진 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 조관현 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 임중혁 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0090050-06
2 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction		 2017.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0016897-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.05.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0169788-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0793933-21
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0069134-18
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2019-0069130-36
9 등록결정서
Decision to grant		 2019.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0383697-24
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번호 청구항
1 1
투명한 재질의 제1 기판;상기 제1 기판의 일면 위에 형성된 색변환부;상기 제1 기판의 타면 위에 형성된 투명한 제1 전극부;상기 제1 전극부 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제1 청색 발광부; 및상기 제1 청색 발광부 위에 형성된 제2 전극부를 포함하여 구성되며,상기 색변환부는 상기 제1 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있고,상기 제1 전극부는 상기 제1 기판에 접하는 금속층 및 상기 제1 청색 발광부에 접하는 제1 유전체층을 포함하는 MD(Metal/Dielectric) 전극이며,상기 제1 유전체층의 두께를 1nm 내지 150nm 사이에서 변경함으로써, 미소공진효과에 의해서 제1 청색 발광부에서 발산된 청색광의 발광 피크점이 조절된 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1 전극부는, 상기 금속층 및 상기 제1 기판 사이에 제2 유전체층을 더 포함하는 OLED 조명 소자
3 3
삭제
4 4
청구항 1에 있어서,상기 금속층은 Ag 재질인 OLED 조명 소자
5 5
청구항 1에 있어서,상기 제1 유전체층은, MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질인 OLED 조명 소자
6 6
청구항 1에 있어서,상기 제1 유전체층은, CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료인 OLED 조명 소자
7 7
청구항 2에 있어서,상기 제2 유전체층은, MoO3, WO3, Ni2O3, V2O5, SiO₂ 및 SiNx 중에서 선택된 하나의 재질인 OLED 조명 소자
8 8
청구항 1에 있어서,상기 색변환부에 분산된 양자점 물질이, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에 하나 이상인 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자
9 9
투명한 재질의 제1 기판;상기 제1 기판의 일면 위에 형성된 색변환부;상기 제1 기판의 타면 위에 형성된 투명한 제1 전극부;상기 제1 전극부 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제1 청색 발광부; 및상기 제1 청색 발광부 위에 형성된 제2 전극부를 포함하여 구성되며,상기 색변환부는 상기 제1 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있고,상기 제1 전극부는 상기 제1 기판에 접하는 금속층 및 상기 제1 청색 발광부에 접하는 ITO 재질의 제1 투명 전극층을 포함하며,상기 제1 투명 전극층의 두께를 1nm 내지 150nm 사이에서 변경함으로써, 미소공진효과에 의해서 제1 청색 발광부에서 발산된 청색광의 발광 피크점이 조절된 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자
10 10
청구항 9에 있어서,상기 제1 전극부는, 상기 금속층 및 상기 제1 기판 사이에 ITO 재질의 제2 투명 전극층을 더 포함하는 OLED 조명 소자
11 11
삭제
12 12
청구항 9에 있어서,상기 금속층은 Ag 재질인 OLED 조명 소자
13 13
청구항 9에 있어서,상기 색변환부에 분산된 양자점 물질이, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에 하나 이상인 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자
14 14
제2 기판;상기 제2 기판 위에 형성된 제3 전극부;상기 제3 전극부 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제2 청색 발광부;상기 제2 청색 발광부 위에 형성된 투명한 제4 전극부; 및상기 제4 전극부 위에 형성된 색변환부를 포함하여 구성되며,상기 색변환부는 상기 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있고,상기 제4 전극부는 상기 제2 청색 발광부에 접하는 금속층 및 상기 색변환부에 접하는 제3 유전체층을 포함하는 MD(Metal/Dielectric) 전극이며, 상기 제2 청색 발광부는, 상기 제3 전극부 위에 형성된 정공 주입층; 상기 정공 주입층 위에 형성된 정공 전달층; 상기 정공 전달층 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기 발광 물질을 포함하는 청색 발광층; 상기 청색 발광층 위에 형성된 전자 전달층; 및 상기 전자 전달층 위에 형성된 전자 주입층을 포함하고, 상기 정공 주입층의 두께를 1nm 내지 150nm 사이에서 변경함으로써, 미소공진효과에 의해서 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 발광 피크점이 조절된 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자
15 15
청구항 14에 있어서,상기 색변환부 및 상기 제3 유전체층 사이에 상기 제3 유전체층 내 유기물질을 보호하는 봉지층을 더 포함하고,상기 봉지층은, 유기층 및 무기층을 다층 구조로 적층한 구조인 OLED 조명 소자
16 16
청구항 15에 있어서,상기 유기층은, 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 재질인 OLED 조명 소자
17 17
청구항 15에 있어서,상기 유기층은, 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 수지에 상기 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있는 구조인 OLED 조명 소자
18 18
청구항 15에 있어서,상기 무기층은, SiO₂, SiNx 및 Al₂O₃ 중에서 선택된 하나의 재질인 OLED 조명 소자
19 19
삭제
20 20
청구항 14에 있어서,상기 금속층은 Ag 재질인 OLED 조명 소자
21 21
청구항 14에 있어서,상기 정공 주입층은, MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질인 OLED 조명 소자
22 22
청구항 14에 있어서,상기 정공 주입층은, CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료인 OLED 조명 소자
23 23
청구항 14에 있어서,상기 색변환부에 분산된 양자점 물질이, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에 하나 이상인 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자
24 24
제2 기판;상기 제2 기판 위에 형성된 제3 전극부;상기 제3 전극부 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제2 청색 발광부;상기 제2 청색 발광부 위에 형성된 투명한 제4 전극부; 및상기 제4 전극부 위에 형성된 색변환부를 포함하여 구성되며,상기 색변환부는 상기 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산되어 있고,상기 제4 전극부는 상기 제2 청색 발광부에 접하는 금속층 및 상기 색변환부에 접하는 ITO 재질의 제3 투명 전극층을 포함하며, 상기 제2 청색 발광부는, 상기 제3 전극부 위에 형성된 정공 주입층; 상기 정공 주입층 위에 형성된 정공 전달층; 상기 정공 전달층 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기 발광 물질을 포함하는 청색 발광층; 상기 청색 발광층 위에 형성된 전자 전달층; 및 상기 전자 전달층 위에 형성된 전자 주입층을 포함하고, 상기 정공 주입층의 두께를 1nm 내지 150nm 사이에서 변경함으로써, 미소공진효과에 의해서 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 발광 피크점이 조절된 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자
25 25
삭제
26 26
청구항 24에 있어서,상기 금속층은 Ag 재질인 OLED 조명 소자
27 27
청구항 24에 있어서,상기 정공 주입층은, MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질인 OLED 조명 소자
28 28
청구항 24에 있어서,상기 정공 주입층은, CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료인 OLED 조명 소자
29 29
청구항 24에 있어서,상기 색변환부에 분산된 양자점 물질이, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에 하나 이상인 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자
30 30
투명한 재질인 제1 기판의 일면 상에 금속층 및 제1 유전체층을 순차적으로 적층하여 MD(Metal/Dielectric) 전극 구조의 제1 전극부를 형성하는 단계;상기 제1 전극부 상에 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제1 청색 발광부를 형성하는 단계;상기 제1 청색 발광부 상에 제2 전극부를 형성하는 단계; 및상기 제1 기판의 타면 상에 청색광을 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산된 색변환부를 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 기판의 일면에 제1 유전체층을 1nm 내지 150nm의 두께 범위에서 조절하여 형성함으로써, 미소공진효과에 의해서 제1 청색 발광부에서 발산된 청색광의 발광 피크점을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
31 31
삭제
32 32
청구항 30에 있어서,상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층을 Ag 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
33 33
청구항 30에 있어서,상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 유전체층을 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
34 34
청구항 30에 있어서,상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 유전체층을 CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
35 35
청구항 30에 있어서,상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층의 적층 전에 상기 제1 기판의 일면 상에 제2 유전체층을 적층하고,상기 제2 유전체층을 형성하는 과정에서, MoO3, WO3, Ni2O3, V2O5, SiO₂ 및 SiNx 중에서 선택된 하나의 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
36 36
청구항 30에 있어서,상기 색변환부를 형성하는 단계에서, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에서 선택된 하나 이상의 양자점 물질을 분산시키는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
37 37
투명한 재질인 제1 기판의 일면 상에 금속층 및 ITO 재질의 제1 투명 전극층을 순차적으로 적층하여 제1 전극부를 형성하는 단계;상기 제1 전극부 상에 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제1 청색 발광부를 형성하는 단계;상기 제1 청색 발광부 상에 제2 전극부를 형성하는 단계; 및상기 제1 기판의 타면 상에 청색광을 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산된 색변환부를 형성하는 단계를 포함하며,상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 기판의 일면에 상기 제1 투명 전극층을 1nm 내지 150nm의 두께 범위에서 조절하여 형성함으로써, 미소공진효과에 의해서 제1 청색 발광부에서 발산된 청색광의 발광 피크점을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
38 38
삭제
39 39
청구항 37에 있어서,상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층을 Ag 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
40 40
청구항 37에 있어서,상기 제1 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층의 적층 전에 상기 제1 기판의 일면 상에 제2 유전체층을 적층하고,상기 제2 유전체층을 형성하는 과정에서, MoO3, WO3, Ni2O3, V2O5, SiO₂ 및 SiNx 중에서 선택된 하나의 재질을 사용하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
41 41
청구항 37에 있어서,상기 색변환부를 형성하는 단계에서, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에서 선택된 하나 이상의 양자점 물질을 분산시키는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
42 42
제2 기판의 일면 상에 제3 전극부를 형성하는 단계;상기 제3 전극부 상에 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제2 청색 발광부를 형성하는 단계;상기 제2 청색 발광부 상에 금속층 및 제3 유전체층을 순차적으로 적층하여 MD(Metal/Dielectric) 전극 구조의 제4 전극부를 형성하는 단계;상기 제4 전극부 상에 청색광을 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산된 색변환부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제2 청색 발광부를 형성하는 단계는, 상기 제3 전극부 위에 정공 주입층을 형성하는 단계; 상기 정공 주입층 위에 정공 전달층을 형성하는 단계; 상기 정공 전달층 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기 발광 물질을 포함하는 청색 발광층을 형성하는 단계; 상기 청색 발광층 위에 전자 전달층을 형성하는 단계; 및 상기 전자 전달층 위에 전자 주입층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 정공 주입층을 형상하는 단계에서, 상기 정공 주입층의 두께를 1nm 내지 150nm의 범위에서 조절하여 형성함으로써, 미소공진효과에 의해서 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 발광 피크점을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
43 43
삭제
44 44
청구항 42에 있어서,상기 제4 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층을 Ag 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
45 45
청구항 42에 있어서,상기 정공 주입층을 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
46 46
청구항 42에 있어서,상기 정공 주입층을 CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
47 47
청구항 42에 있어서,상기 색변환부를 형성하는 단계에서, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에서 선택된 하나 이상의 양자점 물질을 분산시키는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
48 48
청구항 42에 있어서,상기 제4 전극부를 형성하는 단계 이후 색변환부를 형성하는 단계 전에,상기 제4 전극부 내 유기물질을 보호하는 봉지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
49 49
청구항 48에 있어서,상기 봉지층을 형성하는 단계는, 유기층 및 무기층을 다층 구조로 적층하는 단계를 포함하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
50 50
청구항 49에 있어서,상기 유기층은, 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 재질인 OLED 조명 소자의 제조 방법
51 51
청구항 49에 있어서,상기 유기층은, 아크릴레이트(Acrylate) 계열의 수지에 상기 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 적어도 일부를 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질을 분산하여 형성하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
52 52
청구항 49에 있어서,상기 무기층은, SiO₂, SiNx 및 Al₂O₃ 중에서 선택된 하나의 재질인 OLED 조명 소자의 제조 방법
53 53
제2 기판의 일면 상에 제3 전극부를 형성하는 단계;상기 제3 전극부 상에 청색광을 발광하는 유기발광물질을 포함하는 제2 청색 발광부를 형성하는 단계;상기 제2 청색 발광부 상에 금속층 및 ITO 재질의 제3 투명 전극층을 순차적으로 적층하여 제4 전극부를 형성하는 단계;상기 제4 전극부 상에 청색광을 상대적으로 파장이 긴 빛으로 변환하는 양자점 물질이 분산된 색변환부를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제2 청색 발광부를 형성하는 단계는, 상기 제3 전극부 위에 정공 주입층을 형성하는 단계; 상기 정공 주입층 위에 정공 전달층을 형성하는 단계; 상기 정공 전달층 위에 형성되고 청색광을 발광하는 유기 발광 물질을 포함하는 청색 발광층을 형성하는 단계; 상기 청색 발광층 위에 전자 전달층을 형성하는 단계; 및 상기 전자 전달층 위에 전자 주입층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 정공 주입층을 형상하는 단계에서, 상기 정공 주입층의 두께를 1nm 내지 150nm의 범위에서 조절하여 형성함으로써, 미소공진효과에 의해서 제2 청색 발광부에서 발산된 청색광의 발광 피크점을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
54 54
삭제
55 55
청구항 53에 있어서,상기 제4 전극부를 형성하는 단계에서, 상기 금속층을 Ag 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
56 56
청구항 53에 있어서,상기 정공 주입층을 MoO3, WO3, Ni2O3 및 V2O5 중에서 선택된 하나의 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
57 57
청구항 53에 있어서,상기 정공 주입층을 CuPc, TDATA, m-MTDATA, TDAPB, 2-TNATA 및 HATCN 중에서 선택된 유기(Organic) 재료로 형성하는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
58 58
청구항 53에 있어서,상기 색변환부를 형성하는 단계에서, 청색광을 적색광으로 변환하는 양자점 물질과 청색광을 녹색광으로 변환하는 양자점 물질 중에서 선택된 하나 이상의 양자점 물질을 분산시키는 것을 특징으로 하는 OLED 조명 소자의 제조 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국생산기술연구원(재단) 국가과학기술연구회연구운영비지원 대면적 박막 인쇄형 유기 영상 센서 모듈 개발