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다결정 실리콘 박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2018010757
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다결정 실리콘 박막을 형성하기 위한 촉매로 작용하는 금속을 기판 상에 증착하는 금속층 증착단계; 상기 금속층 증착단계에서 증착된 금속층 상에 산화실리콘층을 증착하는 산화실리콘층 증착단계; 및 상기 금속층 증착단계 및 상기 산화실리콘층 증착단계를 통해 상기 금속층 및 산화실리콘층이 증착된 기판 상에 다결정 실리콘 박막층이 형성되도록 열처리하는 어닐링 단계;를 포함하는 다결정 실리콘 박막 형성 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01) H01L 21/02274(2013.01)
출원번호/일자 1020170011764 (2017.01.25)
출원인 강원대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0087595 (2018.08.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.01.25)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 대한민국 강원도 춘천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤종환 대한민국 강원도 춘천시 근화길**번

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태동 대한민국 서울특별시 구로구 가마산로 ***, ***호(구로동, 대림오피스밸리)
2 특허법인빛과소금 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, *층 ***호 (가산동, 뉴티캐슬)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 강원대학교산학협력단 강원도 춘천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0087620-49
2 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2017.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0710367-39
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0217390-85
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0379222-31
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0379236-70
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0590115-40
7 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.09.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0929035-01
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0929002-05
9 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0686520-02
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5230938-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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다결정 실리콘 박막을 형성하기 위한 촉매로 작용하는 금속을 기판 상에 증착하는 금속층 증착단계;상기 금속층 증착단계에서 증착된 금속층 상에 산화실리콘층을 증착하는 산화실리콘층 증착단계; 및상기 금속층 증착단계 및 상기 산화실리콘층 증착단계를 통해 상기 금속층 및 산화실리콘층이 증착된 기판 상에 다결정 실리콘 박막층이 형성되도록 열처리하는 어닐링 단계;를 포함하고,상기 금속층 증착단계에서, 상기 금속층은 알루미늄(Al)이며,상기 산화실리콘층 증착단계는, 플라즈마 화학기상증착(plasma enhanced chemical vapor deposition ;PECVD, 이하 ‘PECVD’라 칭함) 방법을 사용하며,상기 산화실리콘층 증착단계는, 상기 금속층 증착단계에서 상기 금속층이 증착된 기판을 PECVD 반응기 내에 위치시키고, 상기 PECVD 반응기 내에 혼합가스를 공급하여 상기 금속층 상에 산화실리콘층을 증착하며,상기 혼합가스는 사일렌(SiH4) 및 아산화질소(N2O)를 포함하고,상기 산화실리콘층 증착단계에서 상기 산화실리콘층을 증착하는 동안 상기 금속층이 상기 혼합가스에 포함된 산소 원자에 의해 발생하는 산소 플라즈마에 노출되어 상기 금속층과 상기 산화실리콘층 사이 계면에 산화물층이 형성되는 것을 특징으로 하는다결정 실리콘 박막 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 산화실리콘층 증착단계에서, 상기 산화실리콘층은 SiOx인 Si 풍부 산화물(Si-rich oxide)이고, 여기서, 0003c#x003c#2인 것을 특징으로 하는다결정 실리콘 박막 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 어닐링 단계는, Al-Si 합금 계 공융온도 범위 이하의 온도에서 어닐링(Annealing)하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성 방법
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제6항에 있어서,상기 어닐링 단계는, 500℃ 내지 600℃ 범위 내 온도에서 어닐링하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성 방법
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9 9
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1 WO2018139704 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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