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양자우물 구조를 채용한 광자 검출기

  • 기술번호 : KST2018010775
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자우물 구조를 채용한 광자 검출기에 관한 것이다. 본 발명에 의한 광자 검출기는, n+ InP를 포함하는 기판, 기판 상부에 형성되는 버퍼층, 버퍼층 상부에 형성되며 InGaAs를 포함하는 흡수층, 흡수층 상부에 형성되고, n+ InP를 포함하는 전하층, 전하층 상에 형성된 증배층 및 상기 증배층 상부에 형성되고, p+ InP를 포함하는 확산층으로 구성된다. 이러한 구성의 광자검출기는 증배층의 양자우물층에서도 빛의 흡수가 가능하므로 기존의 흡수층 두께를 줄여 터널링 현상을 줄이고, 높은 광전류와 낮은 암전류를 얻을 수 있는 효과를 가질 수 있다.
Int. CL G01J 1/44 (2006.01.01) H01L 31/107 (2006.01.01)
CPC G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01)
출원번호/일자 1020170010391 (2017.01.23)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1933777-0000 (2018.12.21)
공개번호/일자 10-2018-0086667 (2018.08.01) 문서열기
공고번호/일자 (20190405) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.01.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안도열 대한민국 서울특별시 송파구
2 서현석 대한민국 서울특별시 마포구
3 박승환 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인청맥 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **, *층(역삼동, MK빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0077872-58
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.03.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0248180-38
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.12.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0022869-03
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0106975-14
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0350642-81
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-0471231-89
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0471210-20
9 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2018.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0118526-21
10 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2018.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0140309-92
11 출원심사처리보류통지서
Notice of Deferment of Processing of Application Examination
2018.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0793083-27
12 등록결정서
Decision to grant
2018.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0877986-88
13 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-1308755-35
14 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5008748-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n+ InP를 포함하는 기판;상기 기판 상부에 형성되고, InGaAs를 포함하는 흡수층;상기 흡수층 상부에 형성되고, n+ InP를 포함하는 전하층;상기 전하층 상에 형성된 증배층; 및상기 증배층 상부에 형성되고, p+ InP를 포함하는 확산층;을 포함하고,상기 증배층은, n InP를 포함하는 하부 장벽층 및 상부 장벽층; 및 상기 하부 장벽층 및 상부 장벽층 사이에 형성되고, 두께 및 도핑농도가 동일한 InGaAs 우물과 InP 장벽으로 구성되는 다수의 양자 우물을 포함하는 것을 특징으로 하는 광자 검출기
2 2
제1 항에 있어서,상기 증배층은 1
3 3
제1항에 있어서, 상기 흡수층은 1
4 4
제1 항에 있어서,상기 흡수층 및 상기 전하층 사이에 형성된 그레이딩층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광자 검출기
5 5
제4 항에 있어서,상기 그레이딩층은 In1-xGaxAsyP1-y를 포함하는 것을 특징으로 하는 광자 검출기(0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1)
6 6
제1 항에 있어서,상기 기판과 상기 흡수층 사이에 n InP를 포함하는 버퍼층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광자 검출기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 고려대학교산학협력단 정보통신기술인력양성(R&D) 무결점 보안을 위한 지상/위성 양자통신 기술 개발
2 과학기술정보통신부 서울시립대학교산학협력단 정보보호핵심원천기술개발(R&D) 위성통신을 위한 자유공간 양자암호시스템의 중력효과
3 과학기술정보통신부 에스케이텔레콤(주) ICT융합산업원천기술개발사업(R&D) 양자암호통신망 구축을 통한 신뢰성 검증기술 및 QKD 고도화를 위한 핵심요소기술 개발