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차폐형 게이트 구조의 전력 MOSFET
- 기술번호 : KST2018010804
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 전력 반도체에 관한 것이다. 본 발명의 일측면에 따르면, 차폐형 게이트 구조를 갖는 전력 반도체가 제공된다. 차폐형 게이트 구조를 갖는 전력 반도체는, 제1 도전형 EPI층, 상기 제1 도전형 EPI층의 상면에 형성된 복수의 제2 도전형 웰, 상기 복수의 제2 도전형 웰에 형성된 제1 도전형 소스 영역, 상기 복수의 제2 도전형 웰 사이에 상기 복수의 제2 도전형 웰보다 깊게 형성된 트렌치, 상기 트렌치의 하부에 형성된 차폐형 게이트, 상기 차폐형 게이트의 상부에 형성된 트렌치 게이트 및 상기 차폐형 게이트 및 상기 트렌치 게이트를 상기 제1 도전형 EPI층 및 상기 복수의 제2 도전형 웰로부터 전기적으로 절연시키기 위해서 상기 차폐형 게이트 및 상기 트렌치 게이트를 둘러싸도록 형성된 게이트 산화막을 포함하되, 상기 차폐형 게이트와 상기 트렌치 게이트는 상기 게이트 산화막에 의해 전기적으로 절연된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 29/40 (2006.01.01) H01L 29/10 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 29/7813(2013.01) H01L 29/7813(2013.01) H01L 29/7813(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020170011238 (2017.01.24) |
| 출원인 | 극동대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2018-0087535 (2018.08.02) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 공개 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | N |
| 심사청구항수 | 5 |