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NiTe계 박막 제조방법 및 그로 인해 제조된 전도성 기판

  • 기술번호 : KST2018010866
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 NiTe2-x 화합물 타겟을 이용하여 투명 기판 상에 스퍼터링하는 단계; 상기 기판 상에 NiTe2-x 그레인(grain)이 형성되는 단계; 상기 그레인들이 연결되고 층상 결정구조로 적층되는 단계; 및 화학적 액상 박리(Chemical exfoliation)를 이용하여 상기 NiTe2-x 최상부 층상 결정부터 박리함으로써 NiTe계 박막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 x는 -0.1003c# x 003c#1.0 의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 NiTe계 박막 제조방법 및 그로 인해 제조된 전도성 기판을 제공한다.
Int. CL C23C 14/58 (2006.01.01) C23C 14/18 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01) C23C 14/54 (2018.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 5/14 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180086036 (2018.07.24)
출원인 한국기술교육대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0088348 (2018.08.03) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2016-0139924 (2016.10.26)
관련 출원번호 1020160139924
심사청구여부/일자 Y (2018.07.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기술교육대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 천안시 동남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김석준 충남 아산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인오암 대한민국 대전광역시 서구 문예로 **, *층 ***호(둔산동, 오성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기술교육대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 천안시 동남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2018.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0731531-03
2 등록결정서
Decision to grant
2018.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0602798-29
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5234295-28
4 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5004438-75
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번호 청구항
1 1
Ni:Te = 44:56 ~ 42:58인 합금 분말로 제조된 Ni-Te계 화합물 타겟에 RF 파워 50W 내지 90W를 인가하여 투명 기판 상에 스퍼터링하는 단계; 상기 기판 상에 Ni-Te계 그레인(grain)이 형성되는 단계; 상기 그레인들이 연결되고 층상 결정구조로 적층되는 단계; 및 화학적 액상 박리(Chemical exfoliation)를 이용하여 Ni-Te계 최상부 층상 결정부터 박리함으로써 Ni:Te = 44:56 ~ 42:58인 Ni-Te계 박막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 합금 분말은 α2 상의 NiTe 결정구조 또는 β1 상의 NiTe2 결정구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ni-Te계 박막 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 Ni-Te계 박막은 P-3m1 그룹에 포함되고, 격자 상수 a, c가 Ni-Te계 금속 화합물 대비 10% 이내로 차이가 나는 상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 Ni-Te계 박막 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 투명 기판 상에 스퍼터링하는 것은 Ni-Te계 화합물 타겟을 이용하는 대신, Ni 타겟과 Te 타겟을 동시에 이용하여 코스퍼터링하는 것을 특징으로 하는 Ni-Te계 박막 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 Ni-Te계 박막은 10nm 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 Ni-Te계 박막 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 Ni-Te계 박막은 400nm 내지 700nm의 파장 범위 내에서 평균 투과율이 80%이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 Ni-Te계 박막 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 Ni-Te계 박막은 50μΩ·㎝ 이하의 저항값을 가지는 것을 특징으로 하는 Ni-Te계 박막 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 화학적 액상 박리는 라우릴 피롤리돈(N-dodecyl-pyrrolidone), 벤조산벤질(Benzyl Benzoate), N-옥틸 피롤리돈(N-Octyl-pyrrolidone), N-비닐 피롤리디논(N-vinyl-Pyrrolidinone), 벤질 에터르(Benzyl Ether), 디메틸-이미다졸리디논(dimethyl-imidazolidinone), 사이클로헥사논(Cyclohexanone), 클로로벤젠(Chlorobenzene), 디메칠설폭사이드(Dimethylsulphoxide), 벤조나이트릴(Benzonitrile), 클로로포름(Chloroform), 브로모벤젠(Bromobenzene), N-메칠 피롤리디논(N-methyl-pyrrolidinone), 디메칠포름아미드(dimethylformamide), 사이클로헥실 피롤리돈(cyclohexyl pyrrolidone), 디메틸아세트아미드(dimethylacetamide), 포름아미드(Formamide), N-메틸포름아미드(N-methylformamide), 이소프로판올(isopropanol), 메탄올(methanol), 및 아세톤(acetone)으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 용매를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 Ni-Te계 박막 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 화학적 액상 박리는 90분 내지 360분 동안 초음파분산(sonication)을 함으로써 수행하는 것을 특징으로 하는 Ni-Te계 박막 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 스퍼터링은 10-4torr 내지 10torr의 진공도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 Ni-Te계 박막 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 투명 기판은 유리 기판 또는 플렉서블한 투명 기판인 것을 특징으로 하는 Ni-Te계 박막 제조방법
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1 KR1020180045499 KR 대한민국 FAMILY

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