| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
전해질 염이 용해되어 있는 유기용매에 치환기가 붙은 골격원소들의 사슬로 이루어진 선형 고분자를 포함하는 가교제와 열분해에 의해 결합이 끊어져서 라디칼을 생성하는 열개시제를 혼합하여 전해질 전구체를 형성하는 단계;양극, 분리막 및 음극을 포함하는 조립체를 형성하는 단계;상기 조립체를 상기 전해질 전구체에 담그고 가열하여 상기 전해질 전구체에 대하여 고분자 반응이 이루어지게 하는 단계; 및상기 조립체를 꺼내고 건조하여 겔(gel) 상태의 울트라커패시터용 전해질을 포함하는 울트라커패시터를 수득하는 단계를 포함하며,상기 조립체를 형성하는 단계는,상기 양극과 상기 음극을 나란히 배치하고, 상기 양극과 상기 음극을 하나의 분리막으로 감아서 상기 양극과 상기 음극을 감싸는 분리막이 8자 형태를 이루게 하며, 8자 형태를 이루는 분리막의 외부를 분리막으로 감아서 최외각의 분리막이 원기둥 형태를 이루도록 하여 양극, 분리막 및 음극을 포함하는 조립체를 제조하는 단계를 포함하고,상기 양극은 상기 분리막에 의해 4면이 감싸져 있고, 상기 음극은 상기 분리막에 의해 4면이 감싸져 있는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터의 제조방법
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제10항에 있어서, 상기 양극을 감싸는 분리막의 외측을 덮고 있는 상기 울트라커패시터용 전해질과, 상기 양극을 감싸는 분리막의 내측에 위치하는 상기 울트라커패시터용 전해질은 서로 점도 차이를 나타내고,상기 음극을 감싸는 분리막의 외측을 덮고 있는 상기 울트라커패시터용 전해질과, 상기 음극을 감싸는 분리막의 내측에 위치하는 상기 울트라커패시터용 전해질은 서로 점도 차이를 나타내는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터의 제조방법
|
| 13 |
13
제10항에 있어서, 상기 가교제는 폴리비닐클로라이드(poly(vinylchloride)), 폴리메틸메타크릴레이트(poly(methyl methacrylate)), 폴리에틸렌글리콜메타크릴레이트(poly(ethyleneglycol methacrylate)) 및 폴리에틸렌글리콜디메타크릴레이트(poly(ethyleneglycol dimethacrylate))로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터의 제조방법
|
| 14 |
14
제10항에 있어서, 상기 열개시제는 벤조일퍼옥사이드(Benzoyl peroxide), 아세틸퍼옥사이드(Acetyl peroxide), 디라우릴퍼옥사이드(Dilauryl peroxide), 디-터트-부틸포옥사이드(Di-tert-butyl peroxide), 큐밀하이드록사이드(Cumyl hydroxide), 과산화수소(Hydrogen peroxide), 포타슘퍼설페이트(Potassium persulfate), 라우로일퍼록사이드(Lauroyl peroxide), 아조비스이소부티로니트릴(Azobisisobutyronitrile) 및 디메틸진크(Dimetylzinc)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터의 제조방법
|
| 15 |
15
제10항에 있어서, 상기 전해질 염은 테트라에틸암모늄테트라플루오로보레이트(tetraethylammonium tetrafluoroborate, TEABF4), 트리에틸메틸암모늄테트라플루오로보레이트(Triethylmethylammonium tetrafluoroborate, TEMABF4), 테트라부틸암모늄(Tetrabutyl ammonium), 테트라메틸암모늄(Tetramethyl ammonium), 테트라부틸암모늄테트라플루오로보레이트(tetrabutylammonium tetrafluoroborate, Bu4NBF4), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨비스(트리플루오로메틸설포닐)이미드(1-Ethyl-3-methylimidazolium bis(trifluoromethylsulfonyl)imide, EMIMTFSI), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨테트라플루오로보레이트(1-Ethyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate, EMIMBF4), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨헥사플루오로포스페이트(1-Butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate, EMIMPF6), 스피로비피롤리디늄테트라플루오로보레이트(Spirobipyrrolidinium tetrafluoroborate, SBPBF4), 리튬퍼클로레이트(Lithium perchlorate, LiClO4), 리튬테트라플루오로보레이트(Lithium tetrafluoroborate, LiBF4), 리튬헥사플루오로포스페이트(Lithium hexafluorophosphate, LiPF6), Li(CF3SO2)2, 리튬비스(트리플루오로메탄설폰이미드)(Lithium bis(trifluoromethanesulfonimide), LiN(CF3SO2)2), 리튬비스(옥살라토)보레이트(Lithium bis(oxalato)borate, LIBOB), 리튬비스(트리플루오로메탄)설폰이미드(Lithium bis(trifluoromethane)sulfonimide, LiTFSI), 리튬트리플루오로메탄설포네이트(lithium trifluoromethanesulfonate, LiCF3SO3) 및 리튬헥사플루오로아세네이트(Lithium hexafluoroarsenate, LiAsF6)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터의 제조방법
|
| 16 |
16
제10항에 있어서, 상기 가교제 100중량부에 대하여 상기 열개시제 0
|
| 17 |
17
제10항에 있어서, 상기 전해질 염과 상기 유기용매의 전체 함량 100중량부에 대하여 상기 가교제 5∼80중량부가 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 울트라커패시터의 제조방법
|
