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기판; 및 상기 기판 상에 란탄족 물질을 도핑하여 형성된 비정질 반도체 박막; 을 포함하고,상기 비정질 반도체 박막은, 란탄족 물질의 비정질 산화물 및 비정질 란탄족 물질을 포함하는, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극
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제1항에 있어서,상기 란탄족 물질은, la, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극
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제1항에 있어서,상기 란탄족 물질은, 상기 비정질 반도체 박막에 란탄족 원소가 치환되거나 또는 합금의 형태로 도핑된 것인, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극
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제1항에 있어서,상기 란탄족 물질은, Sm 원소 또는 Sm을 포함하는 합금인 것인, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극
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제1항에 있어서,상기 비정질 반도체 박막의 두께는 50 nm 내지 400 nm인 것인,란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극
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제1항에 있어서,상기 비정질 반도체 박막 내에 국부적으로 분포된 나노결정 닷을 포함하고, 상기 나노결정 닷은, 1 nm 내지 20 nm의 입경을 갖고, 상기 비정질 반도체 박막 및 상기 나노결정 닷은, 1:0
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제1항에 있어서,상기 기판은, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트 및 폴리비닐알코올로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 폴리머를 포함하는 유연 기판, 사파이어 기판, 실리콘 기판 및 고내열성 유리기판으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극
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제1항에 있어서,상기 투명전극은, 80 % 이상의 광투과도 및 10 -4 Ω·cm 이하의 전기저항을 갖는 것인, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극
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파우더 형태의 란탄족 도핑 물질 타켓을 이용하여 기판 상에 란탄족 물질이 도핑하여 비정질 반도체 박막을 성장시키는 단계; 를 포함하는, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 비정질 박막을 성장시키는 단계는, 600 ℃ 이하에서 비활성 기체 분위기에서 수행되고,상기 비정질 박막을 성장시키는 단계는, Sm 또는 Sm이 함유된 화합물을 이용하여 도핑하는 것인, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 비정질 박막을 성장시키는 단계는, 200 ℃ 이하에서 수행되는 것인, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 비정질 반도체 박막을 열처리하여 상기 비정질 박막 내에서 국부적으로 분포된 나노결정 닷을 형성하는 단계; 를 더 포함하고, 상기 나노결정 닷을 형성하는 단계는, 200 ℃ 내지 650 ℃에서 30초 내지 5분 동안 열처리하는 것인,란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 나노결정 닷을 형성하는 단계는, 50 ℃ 내지 100 ℃ 승온 속도로 가열하고, 비활성 기체 분위기에서 수행되고,상기 비활성 기체 분위기는 아르곤, 질소 또는 이 둘을 포함하는 것인, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극의 제조방법
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