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위상 집속 효과를 이용하여 전자빔을 생성하는 방법 및 선형 가속기

  • 기술번호 : KST2018010940
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 가속관을 지나는 전자빔의 위상 조절을 통해 전자빔을 집속함으로써 전자석을 사용하지 않고서도 양질의 전자빔을 생성할 수 있는 선형 가속기가 제공된다. 선형 가속기는, 전자빔을 방출하는 전자총 및 전자빔이 입사되어 가속되는 가속관을 포함하고, 상기 가속관은, 전자빔의 진행 방향의 에너지 스프레드를 감소시키고 전자빔의 단면을 확산시키는 하나 이상의 번칭 셀 및 전자빔의 진행 방향의 에너지 스프레드를 증가시키고 전자빔의 단면을 집속시키는 하나 이상의 디-번칭 셀을 포함하며, 번칭 셀 및 상기 디-번칭 셀은 교번하여 배치된다. 따라서, 의료용 전자 가속기가 부피 및 무게로 인해 치료용 로봇 팔이나 갠트리 시스템에 많은 부하를 주는 문제점을 해결할 수 있다.
Int. CL H01J 37/21 (2006.01.01) H05H 9/00 (2006.01.01)
CPC H01J 37/21(2013.01) H01J 37/21(2013.01)
출원번호/일자 1020170014010 (2017.01.31)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0089191 (2018.08.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.01.31)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 채종서 대한민국 서울특별시 용산구
2 신승욱 대한민국 부산광역시 부산진구
3 전우정 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 인비전 특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0103506-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0042144-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0197767-24
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0500206-17
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0500205-72
8 등록결정서
Decision to grant
2018.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0530768-48
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번호 청구항
1 1
전자빔을 방출하는 전자총 및 상기 전자빔이 입사되어 가속되는 가속관을 포함하는 선형 가속기로서, 상기 가속관은, 상기 전자빔의 진행 방향의 에너지 스프레드를 감소시키고 상기 전자빔의 단면을 확산시키는 하나 이상의 번칭 셀; 및상기 전자빔의 진행 방향의 에너지 스프레드를 증가시키고 상기 전자빔의 단면을 집속시키는 하나 이상의 디-번칭 셀을 포함하고, 상기 번칭 셀 및 상기 디-번칭 셀은 교번하여 배치되어 상기 전자빔에 대한 집속을 수행하는, 선형 가속기
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 번칭 셀은 상기 전자빔의 입자들 중 선행하는 입자에, 상기 전자빔의 입자들 중 후행하는 입자에 가해지는 전기장보다 낮은 전기장을 가하도록 구성되는, 선형 가속기
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 디-번칭 셀은 상기 전자빔의 입자들 중 선행하는 입자에, 상기 전자빔의 입자들 중 후행하는 입자에 가해지는 전기장보다 높은 전기장을 가하도록 구성되는, 선형 가속기
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 번칭 셀은 상기 전자빔의 위상을 대표하는 입자가 상기 전기장의 산마루 (crest) - 여기서, 상기 산마루의 위상은 0 임 - 에 선행하는 음의 빔 위상 (beam phase) 을 가지도록 구성되는, 선형 가속기
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 디-번칭 셀은 상기 전자빔의 위상을 대표하는 입자가 상기 전기장의 산마루 - 여기서, 상기 산마루의 위상은 0 임 - 에 후속하는 양의 빔 위상 (beam phase) 을 가지도록 구성되는, 선형 가속기
6 6
제 2 항에 있어서, 상기 번칭 셀은 상기 전자빔의 위상을 대표하는 입자가 0 의 빔 위상 (beam phase) 을 가지도록 하는 기준 길이보다 짧은 빔 진행 방향 길이를 가지는, 선형 가속기
7 7
제 3 항에 있어서, 상기 디-번칭 셀은 상기 전자빔의 위상을 대표하는 입자가 0 의 빔 위상 (beam phase) 을 가지도록 하는 기준 길이보다 긴 빔 진행 방향 길이를 가지는, 선형 가속기
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 번칭 셀은 상기 디-번칭 셀보다 1 개 더 구비되는, 선형 가속기
9 9
위상 집속 효과를 기반으로 전자빔을 생성하는 방법으로서, 전자총에서 방출된 전자빔을 가속관으로 입사시키는 단계;상기 가속관 내에서, 상기 전자빔의 진행 방향의 에너지 스프레드를 감소시키고 상기 전자빔의 단면을 확산시키는 번칭 단계; 및상기 가속관 내에서, 상기 전자빔의 진행 방향의 에너지 스프레드를 증가시키고 상기 전자빔의 단면을 집속시키는 디-번칭 단계를 포함하고, 상기 번칭 단계 및 상기 디-번칭 단계는 교번하여 반복되어 상기 전자빔에 대한 집속을 수행하는, 전자빔 생성 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 번칭 단계는 상기 전자빔의 입자들 중 선행하는 입자에, 상기 전자빔의 입자들 중 후행하는 입자에 가해지는 전기장보다 낮은 전기장을 가하는, 전자빔 생성 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 디-번칭 단계는 상기 전자빔의 입자들 중 선행하는 입자에, 상기 전자빔의 입자들 중 후행하는 입자에 가해지는 전기장보다 높은 전기장을 가하는, 전자빔 생성 방법
12 12
제 10 항에 있어서, 상기 번칭 단계는 상기 전자빔의 위상을 대표하는 입자가 상기 전기장의 산마루 (crest) - 여기서, 상기 산마루의 위상은 0 임 - 에 선행하는 음의 빔 위상 (beam phase) 을 가지도록 하는, 전자빔 생성 방법
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 디-번칭 단계는 상기 전자빔의 위상을 대표하는 입자가 상기 전기장의 산마루 - 여기서, 상기 산마루의 위상은 0 임 - 에 후속하는 양의 빔 위상 (beam phase) 을 가지도록 하는, 전자빔 생성 방법
14 14
제 10 항에 있어서, 상기 번칭 단계는, 상기 전자빔의 위상을 대표하는 입자가 0 의 빔 위상 (beam phase) 을 가지도록 하는 기준 길이보다 짧은 빔 진행 방향 길이를 가지는 번칭 셀에 의해 수행되는, 전자빔 생성 방법
15 15
제 11 항에 있어서, 상기 디-번칭 단계는, 상기 전자빔의 위상을 대표하는 입자가 0 의 빔 위상 (beam phase) 을 가지도록 하는 기준 길이보다 긴 빔 진행 방향 길이를 가지는 디-번칭 셀에 의해 수행되는, 전자빔 생성 방법
16 16
제 9 항에 있어서, 상기 번칭 단계는 상기 디-번칭 단계보다 1 회 더 수행되는, 전자빔 생성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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