| 1 |
1
하기 화학식 1로 표시되는 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서, X는 O 이고,R1 및 R2는 헤테로아릴로 치환된 아릴 또는, 비치환 또는 아릴로 치환된 헤테로아릴이고,여기서,“아릴”은 6원 내지 10원으로 구성된 기를 의미하고,“헤테로아릴”은 산소, 황 및 질소(4차 질소 포함)로부터 선택된 1 내지 4개의 헤테로 원자를 갖는 5원 내지 14원으로 구성된 기를 의미하고,R3 및 R4는 독립적으로 아릴 또는 헤테로아릴로부터 선택된다
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 피리딘, 피리미딘, 페닐피리딘, 다이페닐트리아졸, 다이피리딜벤젠, 페닐테트라진, 트리페닐다이아졸, 다이페닐트리아졸, 다이페닐옥사졸, 다이페닐싸이아졸, 페닐옥사다이아졸 및 페닐싸이아다이아졸 로 이루어진 군에서 선택되는 화합물
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함한다:[화학식 2]
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 포함한다:[화학식 3]
|
| 5 |
5
4-브로모디벤조퓨란, 아이오소벤젠-디아세테이트 및 아이오딘을 반응시켜 하기 화학식 4의 화합물을 합성하는 과정;[화학식 4]피리딘-3-보로닉에시드, 1,3,5-트리브로모벤젠, 탄산나트륨 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐을 반응시켜 하기 화학식 5의 화합물을 합성하는 과정;[화학식 5]상기 화학식 5의 화합물, 비스(피나콜라토)디보론, 아세트산칼륨 및 [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐디클로로메탄을 반응시켜 하기 화학식 6의 화합물을 합성하는 과정; 및[화학식 6]상기 화학식 4의 화합물, 상기 화학식 6의 화합물, 인산칼륨, 트리스(디벤질리딘아세톤)디팔라듐 및 SPhos을 반응시켜 하기 화학식 2의 화합물을 합성하는 과정을 포함하는 화합물의 제조방법
|
| 6 |
6
4-브로모디벤조퓨란, 아이오소벤젠-디아세테이트 및 아이오딘을 반응시켜 하기 화학식 4의 화합물을 합성하는 과정;[화학식 4]상기 화학식 4의 화합물, 비스(피나콜라토)디보론, 아세트산칼륨 및 [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐디클로로메탄을 반응시켜 하기 화학식 7의 화합물을 합성하는 과정;[화학식 7]마그네슘, 아이오딘, 테트라하이드로퓨란 및 브로모벤젠을 반응시켜 하기 화학식 8의 화합물을 합성하는 과정;[화학식 8]상기 화학식 7의 화합물, 상기 화학식 8의 화합물, 탄산나트륨 및 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐을 반응시켜 하기 화학식 9의 화합물을 합성하는 과정; 및[화학식 9]상기 화학식 9의 화합물, 피리딘-3-보로닉에시드, 인산칼륨, 트리스(디벤질리딘아세톤)디팔라듐 및 SPhos을 반응시켜 하기 화학식 3의 화합물을 합성하는 과정을 포함하는 화합물의 제조방법
|
| 7 |
7
애노드 전극; 캐소드 전극 및상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 개재되는 한 층 이상의 유기박막층을 포함하고,상기 유기박막층 중 적어도 어느 한 층은 제1항 내지 제4항 중 적어도 어느 한 항에 따른 화합물을 포함하는 유기발광소자
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 유기박막층은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 정공저지층(HBL), 전자수송층(ETL), 및 전자주입층(EIL)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 것을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자
|
