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3차원 플래시 메모리 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018011103
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고압 초임계 기반 산화물 조성비 최적화 기술을 적용하여 종횡비가 매우 큰 3차원 플래시 메모리 소자의 유전체 필러(Dielectric filler)를 초임계 증착 또는 고압 치밀화(Densification) 공정으로 형성하는 3차원 플래시 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로, 유전체를 충진하는 유전체 필러(Dielectric filler)를 저온 고압 열처리로 충진하여, 3차원 플래시 메모리 소자의 특성과 신뢰성을 개선할 수 있다.
Int. CL H01L 27/11582 (2017.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11582(2013.01) H01L 27/11582(2013.01) H01L 27/11582(2013.01) H01L 27/11582(2013.01)
출원번호/일자 1020170015051 (2017.02.02)
출원인 주식회사 에이치피에스피, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0090085 (2018.08.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.02)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에이치피에스피 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에이치피에스피 경기도 수원시 권선구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0112801-94
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2017.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0619222-60
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0165082-74
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0448439-38
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0448438-93
6 등록결정서
Decision to grant		 2018.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0643890-27
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2020-5232298-77
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번호 청구항
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갭에 유전체를 충진하는 3차원 플래시 메모리 소자의 제조방법으로서,(a) 기판상에 컨트롤 게이트를 위한 층간 절연막과 희생층을 다층으로 적층하여 몰딩 구조체를 형성하는 단계;(b) 상기 몰딩 구조체를 에칭하여 갭을 형성하는 단계;(c) 상기 층간 절연막 및 희생층의 내벽에 게이트 절연막을 형성하는 단계,(d) 상기 게이트 절연막 내벽에 채널을 형성하는 단계;(e) 상기 채널의 내부에 유전체 필러를 고압 치밀화 공정으로 충진하는 단계;(f) 상기 희생층을 제거하는 단계;를 포함하여 구성되고,상기 단계 (e)는 (e1) 상기 채널의 내부에 폴리실라제인 용액을 이용하여 스핀 온 글래스(SOG) 절연막을 도포하는 단계,(e2) 상기 절연막의 용매 성분을 제거하기 위해 일정 온도에서 프리 베이크를 실시하는 단계,(e3) 고압 상태에서 습식 열처리인 열처리를 실행하는 단계를 포함하며,상기 유전체를 충진하는 유전체 필러(Dielectric filler)를 저온 고압 열처리로 충진하고,상기 저온 고압 열처리는 1~20기압 및 100~500℃ 온도 조건에서 실행되며,상기 열처리는 H2O를 이용하여 30분 동안 실행되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리 소자의 제조방법
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제1항에서,상기 유전체 필러는 산화막인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리 소자의 제조방법
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삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
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제1항에서,상기 단계 (e2)는 50~350℃ 범위에서 20분~40분 동안 실행되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리 소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN108389864 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 TW201841353 TW 대만 DOCDBFAMILY
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