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제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하는 정공수송층;상기 정공수송층 상에 위치하고, 그래핀 양자점(N-CD)을 포함하는 단수 또는복수의 중간층;상기 중간층 상에 위치하고, 양자점(QD)을 포함하고, 전광변환층(발광층) 및 광전변환층으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 변환층;상기 변환층 상에 위치하는 전자수송층; 및상기 전자수송층 상에 위치하는 제2 전극;을 포함하고,상기 중간층이 에너지 도너의 역할을 하고, 상기 변환층이 상기 에너지의 억셉터 역할을 하며, 상기 중간층의 발광 파장 대역의 중심 피크와 상기 변환층의 흡수 파장 대역의 중심피크의 사이의 파장 차이가 1 내지 300 nm이고, 상기 발광 파장 대역과 상기 흡수 파장 대역이 서로 겹쳐짐으로서 상기 중간층의 상기 에너지가 상기 변환층에 전달되는 것인, 전자소자
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제1항에 있어서,상기 그래핀 양자점(N-CD)은 질소, 붕소, 산소 및 불소로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 원소가 도핑된 그래핀 양자점(N-CD)인 것을 특징으로 하는 전자소자
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제1항에 있어서,상기 그래핀 양자점(N-CD)이 질소, 붕소, 산소 및 불소로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 원소를 갖는 기능기를 포함하는 그래핀 양자점(N-CD)인 것을 특징으로 하는 전자소자
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제1항에 있어서,상기 그래핀 양자점(N-CD)은 크기가 0
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제1항에 있어서,상기 중간층은 두께가 1 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 전자소자
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제1항에 있어서,상기 중간층은 표면 조도가 0
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제2항에 있어서,상기 중간층은 발광대역이 이종원소가 도핑된 그래핀 양자점의 크기에 따라 200 nm 내지 1800 nm 파장범위를 갖는 것을 특징으로 하는 전자소자
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제3항에 있어서,상기 중간층은 발광대역이 그래핀 양자점의 기능기에 따라 200 nm 내지 1800 nm 파장범위를 갖는 것을 특징으로 하는 전자소자
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제1항에 있어서,상기 중간층과 상기 변환층 간의 거리가 10 nm이하인 것을 특징으로 하는 전자소자
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삭제
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제1항에 있어서,상기 양자점(QD)이 Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C, P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSexS1-x(0003c#x003c#1), CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CdZnS, CuInS2, Cu2SnS3, CuBr, CuI, Si3N4, Ge3N4, Al2O3, (Al, Ga, In)2 (S, Se, Te)3, CIGS(CuInxGa(1-x)Se2, 0003c#x003c#1), CGS(CuGaSe2), (ZnS)y(CuxSn1-xS2)1-y (0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1) 및 이들 반도체들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자
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제1항에 있어서,상기 양자점(QD)이 코어/쉘 나노구조체 또는 합금 나노구조체이고,상기 코어/쉘 나노구조체 또는 합금 나노구조체가 각각 독립적으로 CdSe/CdZnS, CdSe/ZnS, CdSe/ZnSe/ZnS, CdSe/CdS(Zn1-yCdy)S/ZnS, CdSe/CdS/ZnCdS/ZnS, InP/ZnS, InP/Ga/ZnS, InP/ZnSe/ZnS, PbSe/PbS, CdSe/CdS, CdSe/CdS/ZnS, CdTe/CdS, CdTe/ZnS, CuInS2/ZnS 또는 Cu2SnS3/ZnS인 것을 특징으로 하는 전자소자
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제1항에 있어서,상기 양자점이 코어/쉘 나노구조체이고,상기 코어/쉘 나노구조체가 상기 양자점(QD)이 셀렌화카드뮴(CdSe)을 포함하는 코어와, 상기 코어의 표면 중 적어도 일부를 덮는 황화아연카드뮴(CdZnS)을 포함하는 쉘을 포함하는 CdSe/CdZnS 코어/쉘 나노구조체인 것을 특징으로 하는 전자소자
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제1항에 있어서,상기 정공수송층이 PVK(poly-n-vinylcarbazole)를 포함하고, 상기 전자수송층이 산화아연(ZnO)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자
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제1항에 있어서,상기 전자소자가 상기 제1 전극 상에 에 위치하는 PEDOT:PSS(폴리에틸렌-디옥시티오펜:폴리스티렌-술포네이트)를 포함하는 정공주입층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자
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제1항에 있어서,상기 전자소자가 발광소자 또는 광전변환소자인 것을 특징으로 하는 전자소자
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제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 PVK(poly-n-vinylcarbazole 폴리-비닐카바졸)를 포함하는 정공수송층을 형성하는 단계; 상기 정공수송층 상에 N-CD(질소 도핑된 그래핀 양자점)을 포함하는 중간층을 형성하는 단계;상기 중간층 상에 셀렌화카드뮴과 황화아연카드뮴을 포함하는 나노 구조체를 포함하는 변환층을 형성하는 단계;상기 변환층 상에 산화아연을 포함하는 전자수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자수송층 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 변환층이 전광변환층(발광층) 및 광전변환층으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 변환층이고,상기 중간층이 에너지 도너의 역할을 하고, 상기 변환층이 상기 에너지의 억셉터 역할을 하며, 상기 중간층의 발광 파장 대역의 중심 피크와 상기 변환층의 흡수 파장 대역의 중심피크의 사이의 파장 차이가 1 내지 300 nm이고, 상기 발광 파장 대역과 상기 흡수 파장 대역이 서로 겹쳐짐으로서 상기 중간층의 상기 에너지가 상기 변환층에 전달되는 것인, 전자 소자의 제조 방법
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제17항에 있어서,상기 전자 소자의 제조방법이,제1 전극을 형성하는 단계 후에 상기 제1 전극 상에 PEDOT:PSS를 포함하는 정공주입층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 전자소자의 제조방법이,상기 제1 전극을 형성하는 단계 전에, 기판을 제공하는 단계;를 추가로 포함하고,상기 제2 전극을 형성하는 단계 후에, 상기 기판을 분리하는 단계; 및 상기 제1 전극의 표면을 플라즈마 처리, 자외선 오존 처리 또는 반응성 이온 에칭(reactive ion etching, RIE) 처리하는 단계;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
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