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반도체 열처리방법

  • 기술번호 : KST2018011170
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 확산제어막이 배치되어 설정된 영역에서만 계면의 트랩전하가 패시베이션될 수 있는 반도체 열처리방법이 개시된다.본 명세서에서는 종래의 열처리공정을 통하여 반도체 소자의 모든 영역에서 동일한 조건에서 수소 또는 중수소 열처리가 수행되는 문제점을 해결하기 위하여 수소 또는 중수소가 투과되지 못하는 확산제어막을 배치하여 반도체 소자의 각각의 영역에서 차등적인 수소 또는 중수소 열처리가 수행되도록 하여 반도체 소자에 최적화된 열처리가 수행될 수 있도록 한다.
Int. CL H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01) H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020170015779 (2017.02.03)
출원인 주식회사 에이치피에스피, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0090655 (2018.08.13) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에이치피에스피 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에이치피에스피 경기도 수원시 권선구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0118245-47
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2017.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0619222-60
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0040443-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0187599-71
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0494450-54
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0494449-18
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0617979-37
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.02.18 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2019-0168160-40
10 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2019.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0030020-14
11 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2019.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0048038-90
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.16 수리 (Accepted) 4-1-2020-5232298-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체를 수소 또는 중수소 분위기에서 열처리 하는 반도체 열처리방법에 있어서,상기 반도체의 설정된 영역에서 수소 또는 중수소가 투과를 조절하기 위해 복수의 확산제어막이 구비되되,복수의 상기 확산제어막 중 어느 하나의 확산제어막은 수소 또는 중수소가 투과하지 못하는 두께이며, 다른 하나의 확산제어막은 수소 또는 중수소가 일부 투과하는 두께로 형성되어,각각 설정된 영역에 배치되는 것을 특징으로 포함하는 반도체 열처리방법
2 2
제1항에 있어서,상기 어느 하나의 확산제어막은 설정된 부분에 홀이 형성되어 상기 홀이 형성된 부분에서는 수소 또는 중수소가 투과될 수 있는 것을 특징으로 포함하는 반도체 열처리방법
3 3
제2항에 있어서,상기 홀은 상기 어느 하나의 확산제어막에 설정된 간격을 가지며 복수개 형성되는 것을 특징으로 포함하는 반도체 열처리방법
4 4
제1항에 있어서,상기 어느 하나의 확산제어막은적어도 3nm 이상의 두께를 가지도록 제조되는 것을 특징으로 포함하는 반도체 열처리방법
5 5
제1항에 있어서,상기 확산제어막은SixNy로 제조되는 것을 특징으로 포함하는 반도체 열처리 방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 반도체 열처리방법은(1) 수소 또는 중수소 분위기에서 제1열처리하는 단계;(2) 반도체의 설정된 영역에 상기 확산제어막을 배치하는 단계;(3) 수소 또는 중수소 분위기에서 제2열처리하는 단계를 포함하는 반도체 열처리방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN108389789 CN 중국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN108389789 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 TW201841262 TW 대만 DOCDBFAMILY
3 TWI672746 TW 대만 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.