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저항 변화 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2018011456
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저항 변화 메모리 소자에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 추가적인 트랜지스터를 사용하거나 전극 물질을 바꾸지 않고, 임계적 의의를 갖는 동작 조건으로 저항 변화 메모리 소자를 동작함으로써, 저항 변화 메모리 소자의 문제점을 극복하는 저항 변화 메모리 소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/12(2013.01) H01L 45/12(2013.01) H01L 45/12(2013.01)
출원번호/일자 1020170018639 (2017.02.10)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0092645 (2018.08.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.10)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 대구광역시 수성구
2 성창혁 대한민국 경상남도 김해시 김해대

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0140100-08
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0044276-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0215788-06
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0610915-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 가변 저항막; 및상기 가변 저항막 상에 형성된 상부 전극을 포함하는 저항 변화 메모리 소자에서,상기 저항 변화 메모리 소자의 셋(set) 동작시 게이트-소스 전압( gate-to-source voltage)이 0
2 2
제1항에 있어서,상기 가변 저항막은 하프늄(Hf) 원소의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 상부 전극은 저항이 변하는 상기 가변 저항막과 접하며 상기 가변 저항막과 산소를 교환하는 역할을 수행하도록 구성되는 것을 특징으로 하는저항 변화 메모리 소자
4 4
제3항에 있어서,상기 상부 전극은 티타늄(Ti)인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 하부 전극은 티타늄 질화물(TiN)인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 차세대 메모리용 RRAM 기술