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플로팅 게이트를 공유하는 제1 터널접합소자 및 제2 터널접합소자를 포함하며, 전하 이완현상을 이용하여 상기 플로팅 게이트의 전하를 조절하는 플로팅 게이트(floating-gate, FG) 적분기;트랜지스터의 게이트 전압을 조절하여, 상기 플로팅 게이트 적분기로부터 출력되는 플로팅 게이트 전압을 증폭시키는 전압 증폭기;상기 전압 증폭기의 출력 전압을 다시 증폭하여 스파이크(spike) 전압을 생성하는 전압 출력부; 및상기 스파이크 전압이 게이트에 인가되어 상기 스파이크 전압의 극성을 반전시키며, 상기 제2 터널접합소자에 인가되어 상기 플로팅 게이트의 전하를 리셋시키는 극성 반전기를 포함하는, 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로
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제1항에 있어서,상기 제1 터널접합소자 및 상기 제2 터널접합소자의 터널링 현상을 이용하여, 상기 플로팅 게이트에 전하를 주입하는, 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로
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제1항에 있어서,상기 제1 터널접합소자의 터널링 장벽의 두께를 제어하여, 상기 플로팅 게이트의 전하 이완 시간을 조절하는, 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로
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제3항에 있어서,상기 제1 터널접합소자의 터널링 장벽의 두께가 두꺼워질수록, 상기 플로팅 게이트의 전하가 이완되는 시간이 줄어드는, 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로
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제1항에 있어서, 상기 플로팅 게이트 적분기는,상기 플로팅 게이트의 전극을 게이트 전극으로 사용하며, 채널 전기전도도를 제어하여 상기 전압 증폭기의 게이트의 입력 전압을 제어하는 트랜지스터를 포함하는, 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로
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제1항에 있어서, 상기 전압 출력부로부터 출력되는 스파이크 전압은 100 Hz 미만의 활동 전위(action potential)를 갖는, 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로
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제1항에 있어서,상기 전압 출력부는 포지티브 피드백(positive feedback) 캐패시터(Capacitor)를 포함하는, 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로
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제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 따른 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로들이 다수 개 연결된, 뉴로모르픽 시스템
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제8항에 있어서, 상기 인공뉴런 회로들의 입력 전압은 동시에 입력되는, 뉴로모르픽 시스템
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제8항에 있어서, 상기 인공뉴런 회로들의 입력 전압은 각각 임의로 입력되는, 뉴로모르픽 시스템
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플로팅 게이트를 공유하는 제1 터널접합소자 및 제2 터널접합소자를 포함하는 플로팅 게이트(floating-gate, FG) 적분기; 상기 플로팅 게이트 적분기로부터 출력되는 플로팅 게이트 전압을 증폭시키는 전압 증폭기; 상기 전압 증폭기의 출력 전압을 다시 증폭하여 스파이크(spike) 전압을 생성하는 전압 출력부; 및 상기 스파이크 전압이 게이트에 인가되어 상기 스파이크 전압의 극성을 반전시키며, 상기 제2 터널접합소자에 인가되어 상기 플로팅 게이트의 전하를 리셋시키는 극성 반전기를 포함하는, 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로의 제어 방법에 있어서,상기 제1 터널접합소자 및 상기 제2 터널접합소자의 터널링 현상을 이용하여, 상기 플로팅 게이트에 전하를 주입하는 단계;상기 제1 터널접합소자의 전하 이완현상을 이용하여 상기 플로팅 게이트의 전하를 조절하는 단계; 및상기 제1 터널접합소자의 터널링 장벽의 두께를 제어하여, 상기 플로팅 게이트의 전하 이완 시간을 조절하는 단계를 포함하는, 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로의 제어 방법
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제11항에 있어서,상기 제1 터널접합소자의 터널링 장벽의 두께가 두꺼워질수록, 상기 플로팅 게이트의 전하가 이완되는 시간이 줄어드는, 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로의 제어 방법
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제11항에 있어서,상기 전압 증폭기가 포함하는 트랜지스터의 게이트 전압을 조절하여, 전압 진폭의 특성을 제어하는 단계를 더 포함하는, 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로의 제어 방법
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제11항에 있어서,상기 플로팅 게이트 적분기는 상기 플로팅 게이트의 전극을 게이트 전극으로 사용하는 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 트랜지스터의 채널 전기전도도를 제어하여 상기 전압 증폭기의 게이트의 입력 전압을 제어하는 단계를 더 포함하는, 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로의 제어 방법
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제11항에 있어서, 상기 전압 출력부로부터 출력되는 스파이크 전압은 100 Hz 미만의 활동 전위(action potential)를 갖는, 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로의 제어 방법
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제11항에 있어서,상기 전압 출력부는 캐패시터(Capacitor)를 포함하여 포지티브 피드백(positive feedback)하는 단계를 더 포함하는, 플로팅 게이트 적분기를 이용한 고집적 저전력 소모 인공뉴런 회로의 제어 방법
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