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양극 활물질 및 황화물계 고체 전해질 입자를 포함하는 제1 슬러리와, 음극 활물질 및 황화물계 고체 전해질 입자를 포함하는 제2 슬러리와, 황화물계 고체 전해질 입자를 포함하는 제3 슬러리를 제조하는 단계;상기 제1 슬러리, 상기 제2 슬러리 및 상기 제3 슬러리를 통해 양극층, 음극층 및 고체전해질층을 제조하는 단계; 를 포함하고,상기 제1 슬러리, 상기 제2 슬러리 및 상기 제3 슬러리 중 적어도 하나는 이온성 액체를 포함하는 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 적용한 전고체전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 이온성 액체의 양이온은 Pyrrolidimiun, piperidinium, imidazolium, phosphonium, ammonium 및 pyridinium 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 적용한 전고체전지의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 이온성 액체의 음이온은 BF4-, PF6-, AsF6-, SbF6-, AlCl4-, HSO4-, ClO4-, Cl-, Br-, I-, SO4-, (SCN)2N-, CF3SO3-, CF3CO2-, (SO2F)2N-, (C2F5SO2)2N-, (C2F5SO2)(CF3SO2)N- 및 (CF3SO2)2N- 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 적용한 전고체전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 이온성 액체는 상기 제1 슬러리, 상기 제2 슬러리 및 상기 제3 슬러리에 포함된 고형분에 대비하여 10wt% 이내로 투입되는 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 적용한 전고체전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 슬러리, 상기 제2 슬러리 및 상기 제3 슬러리는 바인더 및 용매를 더 포함하고,상기 제1 슬러리 및 상기 제2 슬러리는 도전재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 적용한 전고체전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 황화물계 고체 전해질 입자는 하기의 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 적용한 전고체전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 이온성 액체가 상기 양극층, 상기 음극층 및 상기 고체전해질층 중 적어도 하나에 포함되는 경우, 상기 이온성 액체는 상기 양극층, 상기 음극층 및 상기 고체전해질층에 형성되는 기공에 충진되는 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 적용한 전고체전지의 제조 방법
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황화물계 고체 전해질 입자를 포함하는 고체전해질층;상기 고체전해질층의 일측면에 배치되며, 양극 활물질 및 황화물계 고체 전해질 입자를 포함하는 양극층;상기 고체전해질층을 중심으로 상기 양극층과 대향하도록 타측면에 배치되며, 음극 활물질 및 황화물계 고체 전해질 입자를 포함하는 음극층;상기 고체전해질층, 상기 양극층 및 상기 음극층 중 적어도 하나는 이온성 액체를 포함하는 것을 특징으로 하는 황화물계 고체전해질을 적용한 전고체전지
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