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하이브리드 메모리 시스템 및 그 제어 방법

  • 기술번호 : KST2018011598
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하이브리드 메모리 시스템을 개시한다. 상기 하이브리드 메모리 시스템은, 휘발성 메모리; 비휘발성 메모리; 및 상기 휘발성 메모리의 리프레쉬 인터벌(refresh interval)에 대응하여 상기 휘발성 메모리와 상기 비휘발성 메모리 사이의 페이지 이동(page migration)에 기준이 되는 페이지의 쓰기 대비 읽기 비(read to write ratio)에 대한 임계치(threshold)를 설정하고, 상기 임계치를 기준으로 상기 휘발성 메모리와 상기 비휘발성 메모리 사이의 페이지 이동(page migration)을 결정하는 메모리 컨트롤러;를 포함한다.
Int. CL G06F 13/16 (2006.01.01)
CPC G06F 13/1668(2013.01) G06F 13/1668(2013.01)
출원번호/일자 1020170020598 (2017.02.15)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0094372 (2018.08.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정성우 대한민국 서울특별시 강남구
2 공영호 대한민국 서울특별시 동대문구
3 정재훈 대한민국 서울특별시 성북구
4 조훈희 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-0157322-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
휘발성 메모리;비휘발성 메모리; 및상기 휘발성 메모리의 리프레쉬 인터벌(refresh interval)에 대응하여 상기 휘발성 메모리와 상기 비휘발성 메모리 사이의 페이지 이동(page migration)에 기준이 되는 페이지의 쓰기 대비 읽기 비(read to write ratio)에 대한 임계치를 설정하고, 상기 임계치를 기준으로 상기 휘발성 메모리와 상기 비휘발성 메모리 사이의 페이지 이동(page migration)을 결정하는 메모리 컨트롤러;를 포함하는 하이브리드 메모리 시스템
2 2
제 1 항에 있어서,상기 휘발성 메모리 및 상기 비휘발성 메모리는 서로 다른 물리적 주소를 가지고 동일한 계층(hierarchy)에서 메인 메모리를 구성하는 하이브리드 메모리 시스템
3 3
제 1 항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 쓰기 대비 읽기 비가 상기 임계치 이상인 페이지를 상기 비휘발성 메모리로 이동시키고, 상기 쓰기 대비 읽기 비가 상기 임계치 미만인 페이지를 상기 휘발성 메모리로 이동시키는 하이브리드 메모리 시스템
4 4
제 1 항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 미리 설정된 주기마다 상기 리프레쉬 인터벌을 확인하고, 각 페이지의 쓰기 대비 읽기 비에 따라 이동을 수행하는 하이브리드 메모리 시스템
5 5
제 1 항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 상기 휘발성 메모리의 온도에 따라 변경되는 상기 리프레쉬 인터벌에 대응하여 상기 쓰기 대비 읽기 비에 대한 상기 임계치를 변경하는 하이브리드 메모리 시스템
6 6
제 1 항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 상기 리프레쉬 인터벌이 미리 설정된 기준치보다 긴지 짧은지에 따라 상기 쓰기 대비 읽기 비에 대한 상기 임계치를 높이거나 낮추는 하이브리드 메모리 시스템
7 7
제 6 항에 있어서,상기 미리 설정된 기준치는 상기 리프레쉬 인터벌의 짧아짐에 의해 상기 비휘발성 메모리의 접근 시간(access time)이 상기 휘발성 메모리보다 짧아지는 시간으로 설정되는 하이브리드 메모리 시스템
8 8
제 7 항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 상기 리프레쉬 인터벌이 상기 미리 설정된 기준치보다 긴 경우 읽기-인텐시브(read-intensive)한 페이지를 상기 비휘발성 메모리로 이동시키고, 상기 리프레쉬 인터벌이 상기 미리 설정된 기준치보다 짧은 경우 읽기-인텐시브한 페이지와 쓰기-인텐시브(write-intensive)한 페이지를 상기 비휘발성 메모리로 이동시키는 하이브리드 메모리 시스템
9 9
제 1 항에 있어서,상기 메모리 컨트롤러는 페이지 초기 할당 시 모든 페이지를 우선적으로 휘발성 메모리에 배치시키는 하이브리드 메모리 시스템
10 10
(a) 리프레쉬 인터벌에 대응하여 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리 사이의 페이지 이동(page migration)에 기준이 되는 페이지의 쓰기 대비 읽기 비(read to write ratio)에 대한 임계치(threshold)를 설정하는 단계; 및(b) 상기 임계치를 기준으로 상기 휘발성 메모리와 상기 비휘발성 메모리 사이의 페이지 이동(page migration)을 결정하는 단계;를 포함하는 하이브리드 메모리 시스템의 제어 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 (a)는 미리 설정된 주기마다 리프레쉬 인터벌을 확인하는 단계; 및상기 리프레쉬 인터벌이 미리 설정된 기준치보다 긴지 짧은지에 따라 상기 쓰기 대비 읽기 비에 대한 상기 임계치를 변경하는 단계;를 포함하는 하이브리드 메모리 시스템의 제어 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 미리 설정된 기준치는 상기 리프레쉬 인터벌의 짧아짐에 의해 상기 비휘발성 메모리의 접근 시간(access time)이 상기 휘발성 메모리보다 짧아지는 시간으로 설정된 하이브리드 메모리 시스템의 제어 방법
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 (b)는상기 리프레쉬 인터벌이 상기 미리 설정된 기준치보다 긴 경우 읽기-인텐시브(read-intensive)한 페이지를 상기 비휘발성 메모리로 이동시키고, 상기 리프레쉬 인터벌이 상기 미리 설정된 기준치보다 짧은 경우 읽기-인텐시브한 페이지와 쓰기-인텐시브(write-intensive)한 페이지를 상기 비휘발성 메모리로 이동시키는 하이브리드 메모리 시스템의 제어 방법
14 14
제 10 항에 있어서,상기 휘발성 메모리와 상기 비휘발성 메모리에 페이지 초기 할당 시 모든 페이지를 우선적으로 상기 휘발성 메모리에 배치시키는 단계;를 더 포함하는 하이브리드 메모리 시스템의 제어 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 (b)는미리 설정된 주기의 일부 구간에 접근한 페이지 중 이동할 페이지를 결정하는 과정을 더 포함하는 하이브리드 메모리 시스템의 제어 방법
16 16
제 10 항에 있어서, 상기 (b)는이전 주기에서 이동시킨 페이지를 다음 주기에서 이동시키는 것을 제한하는 과정을 더 포함하는 하이브리드 메모리 시스템의 제어 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10198211 US 미국 FAMILY
2 US20180232173 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10198211 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2018232173 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.