맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018011671
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 저항 변화 메모리 소자에 산소 확산 장벽 역할을 수행하는 확산 방지막을 도입하여 CMOS 시스템에 호환되고, 견고한 스위칭 특성으로 파괴 항복 강도를 획기적으로 향상시킨 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01)
출원번호/일자 1020170019260 (2017.02.13)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0093334 (2018.08.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.13)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 대구광역시 수성구
2 박재성 대한민국 서울 송파구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0144228-25
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0043876-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0216594-13
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0520186-50
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0520185-15
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0643424-75
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 전극;상기 하부 전극 표면에 형성된 확산 방지막;상기 확산 방지막 상에 형성된 가변 저항막; 및상기 가변 저항막 상에 형성된 상부 전극을 포함하고,상기 하부 전극은 산화물 형성의 깁스 자유 에너지(ΔG)의 절대값이 200kJ/mol 내지 300kJ/mol인 것을 특징으로 하고,상기 확산 방지막은 상기 하부 전극과 상기 가변 저항막 사이에서 산소 확산을 억제하는 장벽으로서의 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 하부 전극은 루비듐(Ru), 이리듐(Ir) 및 팔라듐(Pd) 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 확산 방지막은 루비듐 산화물(RuOx), 이리듐 산화물(IrOx) 및 팔라듐 산화물(PdOx) 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 가변 저항막은 하프늄 산화물(HfOx)인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 확산 방지막이 100nm 내지 300nm의 활성영역을 갖는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 상부 전극은 금속 전극 또는 산화물 전극인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 저항 변화 메모리 소자는 CMOS(complementarymetal-oxidesemiconductor) 시스템에서 사용하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 저항 변화 메모리 소자의 제조방법에 있어서,하부 전극 표면에 확산 방지막을 형성하는 단계;상기 확산 방지막 상에 가변 저항막을 형성하는 단계; 및상기 가변 저항막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(산업기술) 차세대 메모리용 RRAM 기술