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발전부와 연결부로 구획되는 발전 영역을 갖는 개구형 투광타입 CIGS박막 태양 전지의 제조 방법에 있어서,(a) 투명 모재를 준비하는 단계;(b) 상기 투명 모재 상에 투명 전도층을 형성하는 단계;(c) 상기 투명 전도층 상에서 상기 발전부에 후면전극층을 형성하고, 상기 투명 전도층 중 상기 연결부의 일부를 패터닝하여 투명 모재 노출 영역을 형성하는 단계;(d) 상기 투명 전도층 및 상기 후면전극층 상에 CIGS 흡수층, 버퍼(Buffer)층 및 IZO(intrinsic-ZnO)층을 순차적으로 형성하는 단계;(e) 상기 후면전극층, 상기 CIGS 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 IZO층에서 상기 연결부 중 상기 투명 모재 노출 영역을 제외한 일부를 제거하여 투명 전도층 노출 영역을 형성하는 단계; 및(f) 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 (c) 단계는, 상기 투명 모재가 선택적으로 남겨지고 상기 투명 전도층이 제거되어 상기 투명 모재 노출 영역이 형성되도록, 적외선 대역의 레이저를 상기 투명 모재의 후방에서 전방으로 조사함으로써 레이저 패터닝을 수행하고,상기 (c) 단계의 적외선 대역의 레이저는, 상기 투명 전도층에 대한 기화가 이루어지도록 펄스 폭 100 ps 이상, 10 ns 미만의 펄스 폭 및 shot energy density 60~100 nJ/um2의 출력 범위로 설정되는 펄스 레이저이고, 상기 투명 전도층의 기화 압력이 상기 투명 모재와 상기 투명 전도층 사이의 경계면으로부터 전방으로 작용되도록 상기 투명 모재와 상기 투명 전도층 사이의 경계면에 포커스가 맞추어 지며,상기 (e) 단계는, 상기 투명 전도층 및 상기 투명 모재가 선택적으로 남겨지고 상기 CIGS 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 IZO층이 제거되도록, 가시광선 대역의 레이저를 상기 투명 모재의 후방에서 전방으로 조사함으로써 레이저 패터닝을 수행하고,상기 (e) 단계의 가시광선 대역의 레이저는, 상기 CIGS 흡수층에 대한 기화가 이루어지도록 펄스 폭 10 ns 이상, 100 ns 미만의 펄스 폭 및 shot energy density 10~30 nJ/um2의 출력 범위로 설정되는 펄스 레이저이고, 상기 CIGS 흡수층의 기화 압력이 상기 투명 전도층과 상기 CIGS 흡수층 사이의 경계면으로부터 전방으로 작용되도록 상기 투명 전도층과 상기 CIGS 흡수층 사이의 경계면에 포커스가 맞추어 지는 것인, 개구형 투광타입 CIGS박막 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (d) 단계에서, 상기 CIGS 흡수층은 상기 투명 모재 노출 영역을 통해 상기 투명 모재에 접촉되는 것인, 개구형 투광타입 CIGS박막 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (f) 단계에서,상기 전면전극층은, 이웃하는 발전부와 연결되지 않도록 상기 연결부에서 연속성이 단절되게 형성되는 것인, 개구형 투광타입 CIGS박막 태양 전지의 제조 방법
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발전부와 연결부로 구획되는 발전 영역을 갖는 개구형 투광타입 CIGS박막 태양 전지의 제조 방법에 있어서,(a) 투명 모재를 준비하는 단계;(b) 상기 투명 모재 상에 후면전극층을 형성하고, 상기 후면전극층 중 상기 연결부의 일부를 패터닝하여 제1 투명 모재 노출 영역을 형성하는 단계;(c) 상기 투명 모재 및 상기 후면전극층 상에 CIGS 흡수층, 버퍼(Buffer)층 및 IZO(intrinsic-ZnO)층을 순차적으로 형성하는 단계;(d) 상기 후면전극층, 상기 CIGS 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 IZO층에서 상기 연결부 중 상기 제1 투명 모재 노출 영역을 제외한 일부를 제거하여 제2 투명 모재 노출 영역을 형성하는 단계;(e) 상기 CIGS 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 IZO층에서 상기 연결부 중 상기 제2 투명 모재 노출 영역을 기준으로 상기 발전부의 반대측 일부를 제거하여, 상기 후면전극층의 일부의 전면을 컨택부로서 노출시키는 단계; 및(f) 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 (b) 단계는, 상기 투명 모재가 선택적으로 남겨지고 상기 후면전극층이 제거되어 상기 제1 투명 모재 노출 영역이 형성되도록, 적외선 대역의 레이저를 상기 투명 모재의 후방에서 전방으로 조사함으로써 레이저 패터닝을 수행하고,상기 (b) 단계의 적외선 대역 레이저는, 상기 후면전극층에 대한 기화가 이루어지도록 이루어지도록 펄스 폭 100 ps 이상, 10 ns 미만의 펄스 폭 및 shot energy density 60~100 nJ/um2의 출력 범위로 설정되는 펄스 레이저이고, 상기 후면전극층의 기화 압력이 상기 투명 모재와 상기 후면전극층 사이의 경계면으로부터 전방으로 작용되도록 상기 투명 모재와 상기 후면전극층 사이의 경계면에 포커스가 맞추어 지며,상기 (d) 단계는, 상기 투명 모재가 선택적으로 남겨지고 상기 후면전극층, 상기 CIGS 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 IZO층이 제거되도록, 적외선 대역의 레이저를 상기 투명 모재의 후방에서 전방으로 조사함으로써 레이저 패터닝을 수행하고,상기 (d) 단계의 적외선 대역 레이저는, 상기 CIGS 흡수층에 대한 기화가 이루어지도록 이루어지도록 펄스 폭 100 ps 이상, 10 ns 미만의 펄스 폭 및 shot energy density 60~100 nJ/um2의 출력 범위로 설정되는 펄스 레이저이고, 상기 CIGS 흡수층의 기화 압력이 상기 투명 모재와 상기 후면전극층 사이의 경계면으로부터 전방으로 작용되도록 상기 투명 모재와 상기 후면전극층 사이의 경계면에 포커스가 맞추어 지는 것인, 개구형 투광타입 CIGS박막 태양 전지의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 CIGS 흡수층은 상기 제1 투명 모재 노출 영역을 통해 상기 투명 모재에 접촉되는 것인, 개구형 투광타입 CIGS박막 태양 전지의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 (f) 단계에서,상기 전면전극층은, 층간의 전기 절연을 위해 상기 CIGS 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 IZO층과 함께 패터닝되어, 이웃하는 발전부와 연결되지 않도록 상기 연결부에서 연속성이 단절되게 형성되는 것인, 개구형 투광타입 CIGS박막 태양 전지의 제조 방법
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발전부와 연결부로 구획되는 발전 영역을 갖는 개구형 투광타입 CIGS박막 태양 전지의 제조 방법에 있어서,(a) 투명 모재를 준비하는 단계;(b) 상기 투명 모재 상에서 상기 발전부에 후면전극층을 형성하는 단계;(c) 상기 투명 모재 및 상기 후면전극층 상에 CIGS 흡수층, 버퍼(Buffer)층 및 IZO(intrinsic-ZnO)층을 순차적으로 형성하는 단계;(d) 상기 CIGS 흡수층의 적어도 일부가 상기 투명 모재와 접촉하도록, 상기 CIGS 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 IZO층에서 상기 연결부 중 일부를 제거하여 투명 모재 노출 영역을 형성하는 단계; 및 (e) 상기 CIGS 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 IZO층에서 상기 연결부 중 상기 투명 모재 노출 영역을 기준으로 상기 발전부의 반대측 일부를 제거하여, 상기 후면전극층의 일부의 전면을 컨택부로서 노출시키는 단계; 및(f) 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 (d) 단계는, 상기 투명 모재가 선택적으로 남겨지고 상기 CIGS 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 IZO층이 제거되도록, 가시광선 대역의 레이저를 상기 투명 모재의 후방에서 전방으로 조사함으로써 레이저 패터닝을 수행하고,상기 (d) 단계의 가시광선 대역의 레이저는 상기 CIGS 흡수층에 대한 기화가 이루어지도록 펄스 폭 10 ns 이상, 100 ns 미만의 펄스 폭 및 shot energy density 10~30 nJ/um2의 출력 범위로 설정되는 펄스 레이저이고, 상기 CIGS 흡수층의 기화 압력이 상기 투명 모재와 상기 CIGS 흡수층 사이의 경계면으로부터 전방으로 작용되도록 상기 투명 모재와 상기 CIGS 흡수층 사이의 경계면에 포커스가 맞추어지는 것인, 개구형 투광타입 CIGS박막 태양 전지의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 (f) 단계에서,상기 전면전극층은, 층간의 전기 절연을 위해 상기 CIGS 흡수층, 상기 버퍼층 및 상기 IZO층과 함께 패터닝되어, 이웃하는 발전부와 연결되지 않도록 상기 연결부에서 연속성이 단절되게 형성되는 것인, 개구형 투광타입 CIGS박막 태양 전지의 제조 방법
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