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공진 구조를 이용한 전력증폭기용 저손실 정합 회로

  • 기술번호 : KST2018011818
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요약 일 실시예에 따르면, 공진 구조를 이용한 전력증폭기용 저손실 정합 회로는, 두 개의 전송 기판들; 상기 두 개의 전송 기판들 각각이 출력하는 출력 신호를 결합하는 결합 전송 선로; 및 상기 두 개의 전송 기판들 각각에 형성되는 커패시터 기능부 및 인덕터를 포함하고, 상기 커패시터 기능부는, 상기 두 개의 전송 기판들 각각의 메탈 평면에 생성된 단일폐곡선 홈에 의해 상기 메탈 평면 중 외부 메탈 평면으로부터 고립된 내부 메탈 평면으로 형성되며, 상기 인덕터는, 상기 커패시터 기능부에 직렬 연결된다.
Int. CL H03F 1/56 (2006.01.01) H01P 3/08 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170089403 (2017.07.14)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0095424 (2018.08.27) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170021731   |   2017.02.17
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.14)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김민철 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 이선우 대한민국 울산광역시 중구
3 김태정 대한민국 경기도 안산시 단원구
4 황성운 대한민국 경기도 안산시 상록구
5 김정현 대한민국 경기도 성남시 분당구
6 강성윤 대한민국 경기도 시흥시 진말로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0673921-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0014773-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0401002-13
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0752898-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0752897-23
7 등록결정서
Decision to grant
2018.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0757783-35
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
공진 구조를 이용한 전력증폭기용 저손실 정합 회로에 있어서, 두 개의 전송 기판들; 상기 두 개의 전송 기판들 각각을 통하여 출력되는 출력 신호를 결합하는 결합 전송 선로; 및 상기 두 개의 전송 기판들 각각에 형성되는 커패시터 기능부 및 인덕터를 포함하고, 상기 커패시터 기능부는, 상기 두 개의 전송 기판들 각각의 메탈 평면에 생성된 단일폐곡선 홈에 의해 상기 메탈 평면 중 외부 메탈 평면으로부터 고립된 내부 메탈 평면으로 형성되며, 상기 인덕터는, 상기 커패시터 기능부에 직렬 연결되는, 전력증폭기용 저손실 정합 회로
2 2
제1항에 있어서,상기 커패시터 기능부 및 상기 인덕터는, 직렬 공진을 발생시켜, 상기 두 개의 전송 기판들 각각의 입력단 및 출력단 사이의 임피던스 정합을 수행하고 상기 두 개의 전송 기판들 각각의 입력단으로 입력되는 입력 신호 중 고조파 성분을 제거하는, 전력증폭기용 저손실 정합 회로
3 3
제2항에 있어서,상기 커패시터 기능부의 커패시터 용량 및 상기 인덕터의 인덕턴스 값은, 상기 커패시터 기능부 및 상기 인덕터가 발생시키고자 하는 직렬 공진의 공진 주파수 대역에 기초하여 결정되고, 상기 커패시터 기능부 및 상기 인덕터가 발생시키고자 하는 직렬 공진의 공진 주파수 대역은, 상기 고조파 성분의 주파수 대역에 따라 결정되는, 전력증폭기용 저손실 정합 회로
4 4
제3항에 있어서,상기 단일폐곡선 홈의 폭, 길이 또는 형상 중 적어도 어느 하나는, 상기 커패시터 기능부가 갖고자 하는 커패시터 용량에 기초하여 조절되는, 전력증폭기용 저손실 정합 회로
5 5
제3항에 있어서,상기 단일폐곡선 홈의 폭, 길이 또는 형상 중 적어도 어느 하나는, 상기 커패시터 기능부 및 상기 인덕터가 발생시키고자 하는 직렬 공진의 공진 주파수 대역에 기초하여 조절되는, 전력증폭기용 저손실 정합 회로
6 6
제2항에 있어서,상기 커패시터 기능부 및 상기 인덕터 각각은, 상기 고조파 성분의 주파수 대역에 기초하여 상기 두 개의 전송 기판들 각각에 복수 개 형성되는, 전력증폭기용 저손실 정합 회로
7 7
제6항에 있어서,상기 두 개의 전송 기판들 각각에 형성되는 복수의 커패시터 기능부들 각각은, 직렬 공진의 공진 주파수 대역이 서로 다르도록 서로 다른 커패시터 용량을 갖는, 전력증폭기용 저손실 정합 회로
8 8
제1항에 있어서,상기 커패시터 기능부가 상기 두 개의 전송 기판들 각각에 형성되는 위치는, 상기 커패시터 기능부와 직렬 연결되는 상기 인덕터가 갖고자 하는 인덕턴스 값에 기초하여 결정되는, 전력증폭기용 저손실 정합 회로
9 9
제1항에 있어서,상기 두 개의 전송 기판들 각각에 형성되는 상기 커패시터 기능부는, 서로 대칭되는 구조를 갖는, 전력증폭기용 저손실 정합 회로
10 10
제1항에 있어서,상기 단일폐곡선 홈은, 상기 두 개의 전송 기판들 각각의 메탈 평면 중 일부가 라인(Line) 형상으로 제거되어 생성되는, 전력증폭기용 저손실 정합 회로
11 11
공진 구조를 이용한 저손실 정합 회로에 있어서, 회로 기판; 상기 회로 기판의 메탈 평면에 생성된 단일폐곡선 홈에 의해 상기 메탈 평면 중 외부 메탈 평면으로부터 고립된 내부 메탈 평면으로 형성되는 커패시터 기능부; 및 상기 커패시터 기능부에 직렬 연결되는 인덕터를 포함하고, 상기 커패시터 기능부 및 상기 인덕터는, 직렬 공진을 발생시켜, 상기 회로 기판의 입력단 및 출력단 사이의 임피던스 정합을 수행하고 상기 회로 기판의 입력단으로 입력되는 입력 신호 중 고조파 성분을 제거하며, 상기 고조파 성분의 주파수 대역에 기초하여 상기 회로 기판에 복수 개 형성되는 저손실 정합 회로
12 12
삭제
13 13
제11항에 있어서,상기 커패시터 기능부의 커패시터 용량 및 상기 인덕터의 인덕턴스 값은, 상기 커패시터 기능부 및 상기 인덕터가 발생시키고자 하는 직렬 공진의 공진 주파수 대역에 기초하여 결정되고, 상기 커패시터 기능부 및 상기 인덕터가 발생시키고자 하는 직렬 공진의 공진 주파수 대역은, 상기 고조파 성분의 주파수 대역에 따라 결정되는, 저손실 정합 회로
14 14
제13항에 있어서,상기 단일폐곡선 홈의 폭, 길이 또는 형상 중 적어도 어느 하나는, 상기 커패시터 기능부가 갖고자 하는 커패시터 용량에 기초하여 조절되는, 저손실 정합 회로
15 15
삭제
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1 교육부 (재)한국연구재단 산학협력선도대학(LINC)육성사업 / LINK(기업지원) / 기술개발과제(5차) ERICA 상용 GaN HEMT 증폭소자를 이용한 Ku-band 고출력 TRM 개발