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기판;상기 기판 위에 형성된 박막 트랜지스터층;상기 박막 트랜지스터층 위에 형성된 반사형 애노드;상기 반사형 애노드 위에 오픈 마스크로 형성되는 청색 유기발광다이오드층;상기 청색 유기발광다이오드층 위에 형성된 투명 캐소드; 상기 투명 캐소드 위에 형성되고, 상기 청색 유기발광다이오드층에서 발광된 광의 파장을 변환시키는 색변환층; 및상기 색변환층 위에 형성된 보호층을 포함하여 구성되며,상기 색변환층은,상기 청색 유기발광다이오드층에서 방출된 청색광이 투과하는 투과부;상기 청색 유기발광다이오드층에서 방출된 청색광을 녹색광으로 변환하는 녹색 양자점 물질을 포함하는 녹색 변환부; 및상기 청색 유기발광다이오드층에서 방출된 청색광을 적색광으로 변환하는 적색 양자점 물질을 포함하는 적색 변환부를 포함하고,상기 투과부, 상기 녹색 변환부 및 상기 적색 변환부는 수평으로 배열되며, 상기 색변환층의 두께는 0
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청구항 1에 있어서,상기 보호층은 SiNx, SiOx, AlOx 중 어느 하나를 포함하는 재질인 것을 특징으로 하는 양자점 디스플레이 장치
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청구항 3에 있어서,상기 보호층은 PECVD, 스퍼터링, 증발증착법, ALD 중 어느 하나의 공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 양자점 디스플레이 장치
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청구항 4에 있어서,상기 색변환층 및 상기 보호층 사이에 개재되고, 유기물질로 구성된 유기물 코팅층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 디스플레이 장치
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청구항 5에 있어서,상기 유기물 코팅층은 잉크젯 코팅, 롤 코팅 중 하나의 방법으로 형성된 것을 특징으로 하는 양자점 디스플레이 장치
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청구항 6에 있어서,상기 유기물 코팅층은 상기 유기물질이 광경화 공정으로 경화된 것을 특징으로 하는 양자점 디스플레이 장치
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청구항 1에 있어서,상기 박막 트랜지스터층의 활성층은 산화 아연을 포함하는 산화물 반도체 재질인 것을 특징으로 하는 양자점 디스플레이 장치
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청구항 1에 있어서,상기 박막 트랜지스터층의 활성층은 실리콘을 포함하는 재질인 것을 특징으로 하는 양자점 디스플레이 장치
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기판 위에 박막 트랜지스터층을 형성하는 단계;상기 박막 트랜지스터층 위에 반사형 애노드를 형성하는 단계;상기 반사형 애노드 위에 청색 유기발광다이오드층을 오픈 마스크를 사용하여 형성하는 단계;상기 청색 유기발광다이오드층 위에 투명 캐소드를 형성하는 단계; 및상기 투명 캐소드 위에 상기 청색 유기발광다이오드층에서 발광된 광의 파장을 변환시키는 색변환층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며,상기 색변환층을 형성하는 단계는,상기 청색 유기발광다이오드층에서 방출된 청색광이 투과하는 투과부를 형성하는 단계;상기 청색 유기발광다이오드층에서 방출된 청색광을 녹색광으로 변환하는 녹색 양자점 물질을 포함하는 녹색 변환부를 형성하는 단계;상기 청색 유기발광다이오드층에서 방출된 청색광을 적색광으로 변환하는 적색 양자점 물질을 포함하는 적색 변환부를 형성하는 단계; 및상기 색변환층 위에 보호층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 투과부, 상기 녹색 변환부 및 상기 적색 변환부는 수평으로 배열 되며, 상기 색변환층의 두께는 0
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청구항 10에 있어서,상기 보호층은 SiNx, SiOx, AlOx 중 어느 하나를 포함하는 재질인 것을 특징으로 하는 양자점 디스플레이 장치의 제조 방법
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청구항 12에 있어서,상기 보호층을 형성하는 단계는 PECVD, 스퍼터링, 증발증착법, ALD 중 어느 하나의 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 디스플레이 장치의 제조 방법
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청구항 13에 있어서,상기 보호층을 형성하는 단계 전에, 상기 색변환층 위에 유기물질로 유기물 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 디스플레이 장치의 제조 방법
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청구항 14에 있어서,상기 유기물 코팅층을 형성하는 단계는 잉크젯 코팅, 롤 코팅 중 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 디스플레이 장치의 제조 방법
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청구항 15에 있어서,상기 유기물 코팅층을 형성하는 단계는 상기 유기물질을 광경화 공정으로 경화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 디스플레이 장치의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 박막 트랜지스터층의 활성층은 산화 아연을 포함하는 산화물 반도체 재질인 것을 특징으로 하는 양자점 디스플레이 장치의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 박막 트랜지스터층의 활성층은 실리콘을 포함하는 재질인 것을 특징으로 하는 양자점 디스플레이 장치의 제조 방법
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