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기판; 상기 기판 상에 위치되고, 크랙을 포함한 전도성층; 및상기 기판과 상기 전도성층 사이에 형성되거나, 상기 전도성층 상에 위치되는 자가 치유 고분자층을 포함하며, 상기 고분자층은 상기 크랙이 위치한 부분을 제외한 전도성층 상에 위치하고,상기 고분자의 유리 전이 온도(Tg)는 상온 이하인,상기 고분자층의 복원력을 통하여, 상기 크랙의 추가 성장을 억제하고, 크랙을 복원하는,반복 사용에도 민감도 저하가 없는 크랙 센서
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제1항에 있어서,상기 고분자층은 외부에너지가 조사될 때, 복원력이 향상되는, 크랙 센서
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제1항에 있어서,상기 고분자층은 열, 빛, 전기 에너지 중 적어도 하나가 조사될 때, 복원력이 향상되는, 크랙 센서
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제1항에 있어서,상기 고분자층에 외부에너지가 국부적으로 조사될 때, 국부적으로 상기 크랙이 복원되는, 크랙 센서
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제1항에 있어서,상기 복원력은 상기 고분자의 Diacid 및 Diamine에 의한 반응에 의하여 생성된 작용기에 의하여 형성된, 크랙 센서
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제1항에 있어서,상기 복원력은, 상기 고분자에 포함된 산소와 수소의 결합에 의하여 형성되는, 크랙 센서
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제1항에 있어서,상기 고분자층은 용액공정에 의하여 형성되는, 크랙 센서
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제1항에 있어서,외부자극에 의해 상기 크랙의 전기적 단락 또는 개방이 발생하여, 상기 전도성층의 전기적 저항값이 변화되는 크랙 센서
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제1항에 있어서,상기 크랙의 깊이가 나노 또는 마이크로미터 크기인, 크랙 센서
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제1항에 있어서,상기 전도성층은, 백금, 니켈, 구리, 금, 은, 철, 크롬, 마그네슘, 아연, 주석, 알루미늄, 코발트, 망간, 텅스텐, 카드뮴, 팔라듐, 및 탄소 중 1종 이상의 전도성 물질 또는 이들의 1종 이상 혼합물을 포함하는, 크랙 센서
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제1항에 있어서,상기 센서는, 기계적 센서, 화학적 센서 및 가스 센서 중 하나인, 크랙 센서
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제1항의 크랙 센서를 포함하는 전자 소자
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