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신틸레이터 기판; 및 상기 신틸레이터 기판 상에 형성되는 신틸레이터층을 포함하고,상기 신틸레이터층은, 상기 신틸레이터층을 복수개의 픽셀로 분할하는 격벽과 상기 격벽의 측면에 형성되며 상기 신틸레이터층의 부식을 방지하는 부식 방지막을 포함하며,상기 신틸레이터층에서, 상기 격벽에 의해 구획되는 상기 픽셀 내에는 페로브스카이트 화합물이 충진되고,상기 페로브스카이트 화합물은 페로브스카이트 나노결정입자 및 상기 페로브스카이트 나노결정입자의 표면에 형성된 유기 리간드를 포함하며,상기 페로브스카이트 나노결정입자의 입자 크기는 1 ㎚ 내지 20 nm 범위인 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제1항에 있어서, 상기 부식 방지막은 금속 산화물 또는 반도체 산화물인 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제1항에 있어서, 상기 부식 방지막과 격벽 사이에 반사막이 더 형성되고,상기 반사막은 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제1항에 있어서, 상기 부식 방지막은, 상기 신틸레이터 기판과 접촉되는 부분에 더 형성되는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제1항에 있어서, 상기 격벽은 폴리다이메틸실록세인(PDMS; Polydimethylsiloxane), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA; Poly(methylmethacrylate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; Polyethyleneterephthalate), 폴리스티렌(PS; Polystyrene), 폴리이미드 (PI; polyimide) 및 폴리우레탄(PUA; Polyurethane)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제1항에 있어서, 상기 격벽은 임프린팅(imprinting) 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제1항에 있어서, 상기 신틸레이터 기판은 폴리다이메틸실록세인(PDMS; Polydimethylsiloxane), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA; Poly(methylmethacrylate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; Polyethyleneterephthalate), 폴리스티렌(PS; Polystyrene), 폴리이미드 (PI; polyimide), 탄소섬유강화플라스틱 (Carbon Fiber Reinforced Plastic, CFRP) 및 폴리우레탄(PUA; Polyurethane)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 화합물은 A3M2X9, AMX3, AM2X7, A3MX6 또는 A'2An-1MnX3n+1(n은 적어도 1이상)의 구조를 포함하며,상기 A 및 A'는 1가의 양이온이고, 상기 M은 금속 양이온이며, 상기 X는 1가의 음이온인 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제8항에 있어서, 상기 A 또는 A'는 C1~24의 직쇄 또는 측쇄 알킬, 아민기(-NH3), 수산화기(-OH), 시아노기(-CN), 할로겐기, 니트로기(-NO), 메톡시기(-OCH3) 또는 이미다졸리움기가 치환된 C1~24의 직쇄 또는 측쇄 알킬, Li+, Na+, K+, Rb+, Cs+, Fr+, Cu(I) +, Ag(I)+ 및 Au(I)+으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제8항에 있어서, 상기 M은 2가의 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토류 금속, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Al, Sb, Bi 및 Po로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제8항에 있어서, 상기 X는 F-, Cl-, Br-, I-, SCN- 및 BF4-으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제8항에 있어서, 상기 페로브스카이트 나노결정입자는 A'', M' 또는 X'가 도핑된 페로브스카이트 화합물일 수 있고,상기 A''는 1가의 양이온이고, 상기 M'은 금속 양이온이며, 상기 X'는 1가의 음이온인 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제1항에 있어서, 상기 페로브스카이트 나노결정입자는 코어-쉘 구조의 페로브스카이트 나노결정입자인 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제15항에 있어서, 상기 코어-쉘 구조의 페로브스카이트 나노결정입자의 쉘은 무기물 반도체, 유기물 고분자 물질 및 유기 저분자 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제15항에 있어서, 상기 코어-쉘 구조의 페로브스카이트 나노결정입자는 코어 물질보다 밴드갭이 큰 쉘 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제15항에 있어서, 상기 코어-쉘 구조의 페로브스카이트 나노결정입자는 그래디언트 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제8항에 있어서, 상기 신틸레이터층은 유기 바인더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제19항에 있어서, 상기 유기 바인더는 폴리비닐 부티랄 수지, 폴리비닐 클로라이드 수지, 아크릴 수지, 페녹시 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리비닐 포르말 수지, 폴리아미드 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리비닐 아세테이트 수지, 폴리우레탄 수지 및 에폭시 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제19항에 있어서, 상기 신틸레이터층에는,상기 페로브스카이트 화합물 및 상기 유기 바인더가 90:10 내지 10:90의 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제8항에 있어서, 상기 신틸레이터층은 무기 바인더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제22항에 있어서, 상기 무기 바인더는 TiO2 나노입자, SiO2 나노입자, Al2O3 나노입자, VO2 나노입자, 층상구조 화합물, 금속알콕사이드 및 금속할라이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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제22항에 있어서, 상기 신틸레이터층에는,상기 페로브스카이트 화합물 및 상기 무기 바인더가 90:10 내지 10:90의 중량비로 포함되는 것을 특징으로 하는 신틸레이터 패널
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입사된 엑스선(X-ray)을 가시광선으로 변환하는 제1항 내지 제11항 및 제14항 내지 제24항 중 어느 한 항에 따른 신틸레이터(scintillator) 패널; 상기 신틸레이터 패널의 하부에 배치되고, 상기 가시광선을 전기적 신호로 변환하는 광전변환부; 및 상기 광전변환부의 하부에 배치되는 엑스선 검출기 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
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제25항에 있어서, 상기 신틸레이터 패널 및 상기 광전변환부 사이에 렌즈를 더 포함하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 엑스선 검출기
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엑스선을 발생시키는 엑스선 발생기; 상기 엑스선을 검출하는 제25항에 따른 엑스선 검출기; 상기 엑스선 검출기를 구동시키는 구동부; 및 엑스선 검출 전압을 처리하는 데이터 처리부를 포함하는 엑스선 시스템
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제27항에 있어서,상기 엑스선 시스템은 엑스선 회절 분석 장치(XRD)인 것을 특징으로 하는 엑스선 시스템
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제27항에 있어서,상기 엑스선 시스템은 비파괴 검사 장치인 것을 특징으로 하는 엑스선 시스템
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