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고열전도 질화규소 소결체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018012104
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고열전도 질화규소 소결체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Si의 완전 질화를 기준으로 xSi3N4-yA2O3-zB2O3(여기서, x, y, z는 mol%이고, x, y, z 003e# 0, A 및 B는 Y, Sc, Nd 및 Yb로 이루어진 그룹 중에서 선택된 희토류 금속)의 조성식을 따르도록 Si, A2O3, 및 B2O3 원료 분말을 배합하는 단계(S10)와, 상기 배합된 원료 분말을 혼합하는 단계(S20)와, 상기 혼합된 원료 분말을 성형하는 단계(S30)와, 상기 성형된 성형체를 질화하는 단계(S40), 및 상기 질화된 성형체를 소결하는 단계(S50)를 포함하는 질화규소 소결체의 제조방법을 제공함으로써, 소결체 내의 산소량을 저감시켜 고열전도도 발현에 유리하도록 하며, 소결 조건을 제어함으로써 열적, 기계적 특성이 우수한 질화규소 소결체를 제공한다.
Int. CL C04B 35/591 (2006.01.01) C04B 35/626 (2006.01.01)
CPC C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01) C04B 35/591(2013.01)
출원번호/일자 1020170024868 (2017.02.24)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-2052592-0000 (2019.11.29)
공개번호/일자 10-2018-0097987 (2018.09.03) 문서열기
공고번호/일자 (20191206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.02.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진명 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 박영조 대한민국 경상남도 창원시 진해구
3 김해두 대한민국 경상남도 창원시 진해구
4 이재욱 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 고재웅 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 김하늘 대한민국 경상남도 김해시 율하*로 ***,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0193855-70
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0158786-97
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.12.06 수리 (Accepted) 9-1-2018-0065756-22
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0346508-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0723200-08
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.07.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0723201-43
9 등록결정서
Decision to grant		 2019.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0827478-24
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Si의 완전 질화를 기준으로 xSi3N4-ySc2O3-zY2O3(여기서, x, y, z는 mol%이고, x, y, z 003e# 0, 2003c#y+z003c#7인 것이고, y003e#z임)의 조성식을 따르도록 Si, Sc2O3, 및 Y2O3 원료 분말을 배합하는 단계(S10);상기 배합된 원료 분말을 혼합하는 단계(S20);상기 혼합된 원료 분말을 성형하는 단계(S30);상기 성형된 성형체를 질화하는 단계(S40); 및 상기 질화된 성형체를 소결하는 단계(S50);를 포함하는 질화규소 소결체의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 원료 분말에 MgO이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 질화규소 소결체의 제조방법
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1 항 또는 제 2 항의 제조방법에 의해 제조된 질화규소 소결체
8 8
제 7 항에 있어서,상기 소결체는 0
9 9
제 7 항에 있어서,상기 소결체는 70 ~ 120 W/mK의 열전도도를 갖는 질화규소 소결체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 국가과학기술연구회 주요사업 고출력 전자부품의 신뢰성 향상을 위한 미래형 열관리 융복합소재 개발(3/3)