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실리콘 용탕을 수용하는 도가니;상기 실리콘 용탕으로부터 실리콘 단결정 잉곳을 생성할 수 있도록 시드를 회전시키면서 들어 올리는 결정 성장 장치; 및상기 잉곳의 측방에 설치되고, 상기 잉곳의 성장을 부분적으로 방해하는 성장 저해 장치;를 포함하고,상기 성장 저해 장치는,상기 잉곳이 비원형으로 형성될 수 있도록 상기 잉곳의 둘레 일측방에 고정적으로 배치되고, 상기 잉곳이 제 1 회전 각도일 때, 전력이 인가 또는 강화되어 자기력선이 생성 또는 강화되고, 상기 잉곳이 제 2 회전 각도일 때, 전력이 차단 또는 약화되어 자기력선이 소멸 또는 약화되는 제 1 전자석 프레임; 및상기 잉곳의 둘레 타측방에 고정적으로 배치되고, 상기 잉곳이 상기 제 1 회전 각도일 때, 전력이 차단 또는 약화되어 자기력선이 소멸 또는 약화되고, 상기 잉곳이 상기 제 2 회전 각도일 때, 전력이 인가 또는 강화되어 자기력선이 생성 또는 강화되는 제 2 전자석 프레임;을 포함하고,상기 제 1 전자석 프레임 및 상기 제 2 전자석 프레임은 상기 잉곳의 회전 각도에 따라 순차적으로 전력이 인가 또는 강화되거나, 순차적으로 전력이 차단 또는 약화되는, 비원형 실리콘 잉곳 제조 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 잉곳의 회전 각도를 측정하는 센서; 및상기 센서로부터 회전 각도 신호를 인가받아서 상기 잉곳이 상기 제 1 각도로 판단될 때, 상기 제 1 전자석 프레임에 전력 강화 제어 신호를 인가하고, 상기 제 2 전자석 프레임에 전력 약화 제어 신호를 인가하는 제어부;를 포함하는, 비원형 실리콘 잉곳 제조 시스템
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도가니에 실리콘 용탕을 준비하는 용탕 준비 단계;시드를 회전 및 들어 올리면서 상기 실리콘 용탕으로부터 실리콘 단결정 잉곳을 생성하는 결정 성장 단계; 및상기 잉곳이 비원형을 이루도록 상기 잉곳의 성장을 부분적으로 방해하는 성장 저해 장치들 중 일부만 상기 잉곳의 회전 각도에 따라 작동시키는 성장 저해 단계;를 포함하고,상기 성장 저해 단계는,상기 잉곳이 비원형으로 형성될 수 있도록 상기 잉곳의 회전 각도가 제 1 각도일 때, 상기 잉곳의 둘레 일측방에 고정적으로 배치되는 제 1 전자석 프레임에 전력을 인가 또는 강화하여 자기력선을 생성 또는 강화시키고, 상기 잉곳의 둘레 타측방에 고정적으로 배치되는 제 2 전자석 프레임의 전력을 차단 또는 약화하여 자기력선을 소멸 또는 약화시키는 제 1 각도 대응 단계; 및상기 잉곳의 회전 각도가 제 2 각도일 때, 상기 제 1 전자석 프레임의 전력을 차단 또는 약화하여 자기력선을 소멸 또는 약화시키고, 상기 제 2 전자석 프레임에 전력을 인가 또는 강화하여 자기력선을 생성 또는 강화시키고, 제 2 각도 대응 단계;를 포함하고,상기 제 1 각도 대응 단계 및 상기 제 2 각도 대응 단계는 상기 잉곳의 회전 각도에 따라 순차적으로 전력이 인가 또는 강화되고 순차적으로 전력이 소멸 또는 약화 되는, 비원형 실리콘 잉곳 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 결정 성장 단계 이후에,센서를 이용하여 상기 잉곳의 회전 각도를 측정하는 각도 측정 단계;를 더 포함하고,상기 성장 저해 단계는,상기 센서로부터 회전 각도 신호를 인가받아서 상기 잉곳이 상기 제 1 각도로 판단될 때, 제 1 각도 대응 단계를 수행하고, 상기 잉곳이 상기 제 2 각도로 판단될 때, 제 2 각도 대응 단계를 수행하는, 비원형 실리콘 잉곳 제조 방법
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