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도파민과 접촉되어 상기 도파민을 산화시키는 전이금속 디칼코게나이드 양자점; 및상기 전이금속 디칼코게나이드 양자점으로부터 상기 도파민의 산화 시 발생되는 전자를 전달받아 환원되는 금속 이온;을 포함하는, 도파민 검출용 나노프로브
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제1항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드 양자점은 MoS2, MoSe2, MoTe2, TiS2, TiSe2, TiTe2, ZrS2, ZrSe2, ZrTe2, VS2, VSe2, VTe2, RuS2, RuSe2, RuTe2, PdS2, PdSe2, PdTe2, HfS2, HfSe2, HfTe2, NbS2, NbSe2, TaS2, TaSe2, NiS2, NiSe2, NiTe2, IrS2, IrSe2, IrTe2, PtS2, PtSe2, PtTe2, WS2, WSe2, WTe2 및 이들의 조합 중에서 선택되는 1종 이상의 재료를 포함하는, 도파민 검출용 나노프로브
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제1항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드 양자점은 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2 및 이들의 조합 중에서 선택되는 1종 이상의 재료를 포함하는, 도파민 검출용 나노프로브
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제1항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드 양자점은 MoS2, WS2 및 이들의 조합 중에서 선택되는 1종 이상의 재료를 포함하는, 도파민 검출용 나노프로브
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제1항에 있어서,상기 금속 이온은 귀금속 양이온 중에서 선택되는, 도파민 검출용 나노프로브
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제1항에 있어서,상기 금속 이온은 Au3+인, 도파민 검출용 나노프로브
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제1항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드 양자점 대 상기 금속 이온의 중량비는 1:1 내지 1:2인, 도파민 검출용 나노프로브
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제1항에 있어서,상기 도파민 검출용 나노프로브의 검출 한계가 0 nM 초과 내지 25 nM 이하인, 도파민 검출용 나노프로브
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제1항에 있어서,상기 도파민 검출용 나노프로브는 5 분 이내에 상기 도파민을 검출하는, 도파민 검출용 나노프로브
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 도파민 검출용 나노프로브; 광원; 및광 측정부;를 포함하는, 도파민 검출용 센서
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11
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 도파민 검출용 나노프로브와 도파민을 접촉시키는 단계; 및상기 도파민 검출용 나노프로브가 방출하는 광을 측정하는 단계;를 포함하는, 도파민의 검출 방법
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제11항에 있어서,상기 도파민 검출용 나노프로브와 도파민을 접촉시키는 단계 이후에, 상기 금속 이온이 금속 나노입자로 전환되는 단계를 더 포함하는, 도파민의 검출 방법
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