맞춤기술찾기

이전대상기술

광흡수층 조성물, 이를 포함하는 투명태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018012277
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광흡수층 조성물, 이를 포함하는 투명태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명의 실시예를 따르는 하기 [화학식 1]로 표시되는 투명태양전지 광흡수층 조성물을 제공하며, 상기 화학식 1에서, A는 Bi(비스무스), Cu(구리), Ag(은), Zn(아연) 및 Sn(주석) 중 적어도 하나를 포함하고, 0≤m≤ 0.5, 0003c#x≤ 2, 0003c#n≤ 0.75, 0003c#z≤ 1 및 0003c#y≤ 3이다. 003c#화학식 1003e#(AmSb1-m)x(On(SzSe1-z)1-n)y
Int. CL C09K 11/88 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC C09K 11/88(2013.01) C09K 11/88(2013.01) C09K 11/88(2013.01) C09K 11/88(2013.01) C09K 11/88(2013.01)
출원번호/일자 1020170022885 (2017.02.21)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0096872 (2018.08.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.21)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 길은경 대한민국 대구광역시 달서구
2 성시준 대한민국 대구광역시 수성구
3 강진규 대한민국 대구광역시 수성구
4 김대환 대한민국 대구광역시 수성구
5 이상주 대한민국 대구광역시 동구
6 최용찬 대한민국 대구광역시 달성군 유가면 테크

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0178361-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.12.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.12.22 수리 (Accepted) 9-1-2017-0047206-87
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0378690-53
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.08.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0773368-29
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2018-0773355-36
7 등록결정서
Decision to grant
2018.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0657528-97
8 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2018.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-5022273-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
10 nm 이하의 표면 거칠기(roughness) 값을 갖는 기판;상기 기판 상에 형성되는 제1전극;상기 제1전극 상에 형성되는 전자전달층;상기 전자전달층 상에 형성되는 Sb2(O0
3 3
제 2항에 있어서, 상기 기판은 유리, 금속박막 및 고분자 기판 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명태양전지
4 4
삭제
5 5
제 2항에 있어서, 상기 광흡수층은 30 내지 500 nm 두께인 것을 특징으로 하는 투명태양전지
6 6
제 2항에 있어서, 상기 전자전달층은 이산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO) 및 아연옥시설파이드(Zinc oxysulfide, Zn(O,S)) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명태양전지
7 7
제 2항에 있어서, 상기 정공전달층은 요오드화구리(CuI), 산화구리(I)(Cu2O), 산화구리(II)(CuO), 티오시안구리(CuSCN), 산화니켈(NiO) 및 산화주석(SnO2) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명태양전지
8 8
제 2항에 있어서, 상기 전자전달층 및 정공전달층은 5 내지 50 nm 두께인 것을 특징으로 하는 투명태양전지
9 9
제 2항에 있어서, 상기 정공전달층은 티오펜계, 파라페닐렌비닐렌계, 카바졸계 및 트리페닐아민계 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명태양전지
10 10
10 nm 이하의 표면 거칠기(roughness) 값을 갖는 기판을 형성하는 단계(단계 1);상기 기판 상에 제1전극을 형성하고, 제1전극 상부에 전자전달층을 형성하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 형성된 전자전달층 상에 Sb2(O0
11 11
제 10항에 있어서, 상기 단계 3에 의해 형성된 광흡수층은 100 내지 550℃의 온도에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 투명태양전지 제조방법
12 12
제 10항에 있어서, 상기 단계 2 및 단계 4에 의해 형성된 전자전달층 및 정공전달층은 350 ℃ 이하의 온도에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 투명태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 대구경북과학기술원 유무기 융합 멀티 플랫폼 기반 고성능 태양전지 기술 개발 유무기 융합 멀티 플랫폼 기반 고성능 태양전지 기술 개발