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10 nm 이하의 표면 거칠기(roughness) 값을 갖는 기판;상기 기판 상에 형성되는 제1전극;상기 제1전극 상에 형성되는 전자전달층;상기 전자전달층 상에 형성되는 Sb2(O0
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제 2항에 있어서, 상기 기판은 유리, 금속박막 및 고분자 기판 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명태양전지
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제 2항에 있어서, 상기 광흡수층은 30 내지 500 nm 두께인 것을 특징으로 하는 투명태양전지
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제 2항에 있어서, 상기 전자전달층은 이산화티타늄(TiO2), 산화아연(ZnO) 및 아연옥시설파이드(Zinc oxysulfide, Zn(O,S)) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명태양전지
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제 2항에 있어서, 상기 정공전달층은 요오드화구리(CuI), 산화구리(I)(Cu2O), 산화구리(II)(CuO), 티오시안구리(CuSCN), 산화니켈(NiO) 및 산화주석(SnO2) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명태양전지
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제 2항에 있어서, 상기 전자전달층 및 정공전달층은 5 내지 50 nm 두께인 것을 특징으로 하는 투명태양전지
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제 2항에 있어서, 상기 정공전달층은 티오펜계, 파라페닐렌비닐렌계, 카바졸계 및 트리페닐아민계 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명태양전지
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10
10 nm 이하의 표면 거칠기(roughness) 값을 갖는 기판을 형성하는 단계(단계 1);상기 기판 상에 제1전극을 형성하고, 제1전극 상부에 전자전달층을 형성하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 형성된 전자전달층 상에 Sb2(O0
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11 |
11
제 10항에 있어서, 상기 단계 3에 의해 형성된 광흡수층은 100 내지 550℃의 온도에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 투명태양전지 제조방법
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12
제 10항에 있어서, 상기 단계 2 및 단계 4에 의해 형성된 전자전달층 및 정공전달층은 350 ℃ 이하의 온도에서 열처리되는 것을 특징으로 하는 투명태양전지 제조방법
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