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(a) 페로브스카이트 전구체를 용매에 용해시켜 전구체 용액을 준비하는 단계; (b) 상기 페로브스카이트 전구체 용액을 기판 상에 코팅하는 단계;(c) 상기 기판 상에 형성된 페로브스카이트 전구체 용액 코팅층 상에 반용매(anti-solvent)를 접촉시켜 페로브스카이트 전구체의 반응속도를 조절하는 단계; 및(d) 상기 페로브스카이트 전구체 용액 코팅층에 반용매를 접촉시켜 페로브스카이트를 결정화하여 페로브스카이트층을 형성하는 단계; 를포함하는 페로브스카이트층 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반용매가 하기 구조식 1로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제2항에 있어서,상기 반용매가 끓는점(Boiling Point)이 70℃ 미만인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반용매가 다이에틸에테르(Diethyl ether, DEE) 및 메톡시프로판(Methoxypropane) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제4항에 있어서,상기 반용매가 다이에틸에테르(Diethyl ether, DEE)인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (d) 이후,건조 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제6항에 있어서,상기 건조가 25 내지 70℃ 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (b) 에서,상기 코팅이 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 로드 코팅, 및 바코팅 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제8항에 있어서,상기 코팅이 스핀 코팅인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (b)에서,상기 기판이 전자전달층을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (c) 가,(c-1) 상기 기판 상에 형성된 페로브스카이트 전구체 용액 코팅층 상에 반용매(anti-solvent)를 접촉시키는 단계; 및(c-2) 스핀코팅을 종료하는 단계; 를 포함하는페로브스카이트층 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (c)에서,상기 기판 상에 형성된 페로브스카이트 전구체 용액 코팅층 상에 반용매(anti-solvent)를 접촉시키는 것이 상기 페로브스카이트 전구체 용액 코팅층 상에 반용매가 분사되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제11항에 있어서,상기 단계 (c-1)이 단계 (c-2)를 수행하기 3 내지 20초 전에 수행되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제13항에 있어서,상기 단계 (c-1)이 단계 (c-2)를 수행하기 5초 전에 수행되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (d) 에서,상기 페로브스카이트 전구체 용액 코팅층에 반용매를 접촉시키는 것이 상기 페로브스카이트 전구체 용액 코팅층을 반용매에 침지시키는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제1항에 있어서,상기 상기 페로브스카이트 전구체 용액 코팅층에 반용매를 접촉시키는 시간이 10초 내지 15분인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제16항에 있어서,상기 상기 페로브스카이트 전구체 용액 코팅층에 반용매를 접촉시키는 시간이 30초 내지 15분인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제1항에 있어서, 페로브스카이트층이 광흡수층인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트층 제조방법
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제18항에 따른 페로브스카이트층 제조방법을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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