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반도체층;상기 반도체층의 제1영역에 배치되며 중간층과 하나 이상의 금속층을 포함하는 제1컨택부;상기 반도체의 제2영역에 배치되며 하나 이상의 금속층을 포함하는 제2컨택부; 상기 제1컨택부 및 상기 제2컨택부 사이에 배치되는 액티브 영역을 포함하며, 상기 제1컨택부 및 상기 제2컨택부는 비대칭인, 암전류가 감소된 포토 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제1컨택부는 캐소드에 연결되며, 상기 제2컨택부는 애노드에 연결되는, 암전류가 감소된 포토 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 중간층은 상기 반도체층의 전도대 오프셋이 작거나 혹은 없는 물질을 포함하는, 암전류가 감소된 포토 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 중간층은 TiO2를 포함하는, 암전류가 감소된 포토 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 반도체층은 저마늄(Ge)을 포함하는, 암전류가 감소된 포토 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 반도체층 상에 층간절연막이 배치되며, 상기 제1영역 및 상기 제2영역에서 상기 층간절연막이 식각된, 암전류가 감소된 포토 다이오드
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반도체층 상에 층간절연막을 증착하는 단계; 상기 층간절연막 중 제1영역을 식각하는 단계; 상기 식각된 제1영역 및 상기 층간절연막 상에 중간층을 증착하는 단계; 상기 제1영역을 제외한 중간층을 식각하여 상기 층간절연막을 노출시키는 단계; 상기 층간절연막 중에서 상기 제1영역과 이격되는 제2영역을 식각하는 단계; 및상기 제1영역의 상기 중간층 상에 제1금속층을 증착하고, 상기 제2영역의 상기 반도체상에 제2금속층을 증착하는 단계를 포함하는, 암전류가 감소된 포토 다이오드를 제조하는 방법
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제7항에 있어서, 상기 중간층을 증착하는 단계는 상기 반도체층의 전도대 오프셋이 작거나 혹은 없는 물질로 상기 중간층을 증착하는 단계를 포함하는, 암전류가 감소된 포토 다이오드를 제조하는 방법
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제7항에 있어서, 상기 중간층은 TiO2를 포함하는, 암전류가 감소된 포토 다이오드를 제조하는 방법
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제7항에 있어서, 상기 제1영역을 식각하는 단계 및 상기 제2영역을 식각하는 단계는 습식 식각(wet etching) 공정에 따라 식각하는 단계를 포함하는, 암전류가 감소된 포토 다이오드를 제조하는 방법
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제7항에 있어서, 상기 제1영역을 제외한 중간층을 식각하여 상기 층간절연막을 노출시키는 단계는건식 식각(dry etching) 공정에 따라 식각하는 단계를 포함하는, 암전류가 감소된 포토 다이오드를 제조하는 방법
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