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제1 산화물층; 상기 제1 산화물층 상에 형성된 금속층; 및 상기 금속층 상에 형성된 제2 산화물층; 을 포함하고, 상기 제1 산화물층 및 제2 산화물층은, 할로젠-도핑된 산화주석(halogen-doped tin oxide)을 포함하고, 자외선 파장 영역 대 가시광선 영역의 광투과율 비율이 1:0
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제1항에 있어서, 상기 할로젠-도핑된 산화주석(halogen-doped tin oxide)은 FTO(fluorine doped tin oxide)이고, 상기 할로젠은, 0
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제1항에 있어서,상기 금속층은, Ag, Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, Cd, In, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Mn, Co 및 Sn으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 자외선 투명전극
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제1항에 있어서,상기 제1 산화물층 및 상기 제2 산화물층은, 각각, 10 nm 내지 100 nm의 두께를 갖는 것인, 자외선 투명전극
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제1항에 있어서,자외선 파장 영역에서 광투과율이 80% 이상인 것인, 자외선 투명전극
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제1 산화물층을 형성하는 단계;상기 제1 산화물층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층 상에 제2 산화물층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 산화물층 및 제2 산화물층은, 할로젠-도핑된 산화주석(halogen-doped tin oxide)을 포함하고, 자외선 파장 영역 대 가시광선 영역의 광투과율 비율이 1:0
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