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에피층;상기 에피층 상의 적어도 일부분에 형성된 보호층;상기 보호층의 측면 및 상단 일부를 둘러싸는 차단막;상기 차단막 상에 형성된 제1 금속층; 및 상기 보호층 및 상기 제1 금속층 상에 형성된 제2 금속층; 을 포함하고,상기 제2 금속층은, 패터닝된 부분을 통해서 빛의 형태를 제어하는 것인, 조준경용 마이크로 발광다이오드 광원
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제1항에 있어서,상기 차단막은, 절연물질을 포함하는 것인, 조준경용 마이크로 발광다이오드 광원
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제1항에 있어서,상기 차단막은, 단일 또는 복수개의 절연막 및 금속막을 포함하는 다층구조를 포함하는 것인, 조준경용 마이크로 발광다이오드 광원
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제1항에 있어서, 상기 제1 금속층은, 상기 에피층과 접촉하고, 상기 제2금속층은, 발광다이오드의 상부 전극에 전류를 주입하는 전극 역할을 하는 것인, 조준경용 마이크로 발광다이오드 광원
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에피층을 준비하는 단계; 에피층 상에 보호층을 형성하는 단계; 보호층을 패터닝하는 단계; 차단막을 형성하는 단계; 제1 금속층을 형성하는 단계; 제2 금속층을 형성하는 단계; 및 제2 금속층을 패터닝하는 단계; 를 포함하고, 상기 제2 금속층은, 패터닝된 부분을 통해서 빛의 형태를 제어하는 것인,조준경용 마이크로 발광다이오드 광원의 제조방법
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