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가스감지부; 발광다이오드(LED); 및상기 가스감지부는,가스와 반응하는 반도체 산화물층; 및 상기 반도체 산화물층에 전류를 공급하여 전기전도도 변화를 감지하는 전극;을 포함하고,상기 발광다이오드(LED)는, 상기 반도체 산화물층에 광에너지를 전달하여 전기전도도를 증폭시키고,상기 발광다이오드(LED)는, 상기 가스감지부의 하단에 위치하고,상기 반도체 산화물층은, 박막형이거나 수평형 배열의 입자를 포함하고,상기 가스감지부는, 상기 반도체 산화물층을 투과한 광에너지의 파장을 흡수하여 파장 변화를 더 감지하는 것인,광 융합형 가스센서
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제1항에 있어서,상기 반도체 산화물층은, 금속산화물을 포함하고,상기 금속산화물은, SnO2, TiO2, ZnO, CuO, NiO, CoO, In2O3, WO3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 광 융합형 가스센서
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제1항에 있어서,상기 발광다이오드는, 플립 칩(flip chip) 또는 수직형 칩(vertical Chip) 구조를 포함하는 것인, 광 융합형 가스센서
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제1항에 있어서,상기 반도체 산화물층은, 발광다이오드의 빛을 흡수하여 에너지를 이용하는 것인, 광 융합형 가스센서
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반도체 산화물층과 가스를 접촉하는 단계;발광다이오드(LED)의 광에너지를 상기 반도체 산화물층에 가하여 전기전도도를 증가시키는 단계; 및상기 전기전도도의 변화를 측정하여 가스를 감지하는 단계; 를 포함하고,상기 가스를 감지하는 단계는, 상기 반도체 산화물층을 투과한 광에너지의 파장을 흡수하여 파장 변화를 더 감지하는 것인, 제1항의 광 융합형 가스센서를 이용한, 가스 감지방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 산화물층의 밴드갭은 발광다이오드 빛의 파장보다 더 작은 것인, 광 융합형 가스센서
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제1항에 있어서,상기 반도체 산화물층은 상호 교차형인 것인, 광 융합형 가스센서
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제1항에 있어서,상기 입자는, 금속 나노입자를 포함하거나, 상기 금속 나노입자와 이종의 나노입자를 함께 포함하는 것인, 광 융합형 가스센서
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