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내측 영역 및 양측의 외측 영역을 구비한 플라스틱 기판;하부면이 상기 플라스틱 기판의 상기 외측 영역 상부면에 증착되는 한 쌍의 금속 배선; 스트라이프 형상으로서, 패턴부 및 양측의 연결부를 구비하고 상기 플라스틱 기판의 상기 내측 영역 상부면 및 상기 금속 배선의 내측 영역 상부면에 도포되는 전도성 고분자 물질; 및하부면이 상기 한 쌍의 금속 배선의 외측 영역 중 제1 외측 영역 상부면 및 상기 전도성 고분자 물질의 상부면에 적층되는 보호층; 을 포함하고,상기 한 쌍의 금속 배선의 외측 영역 중 상기 보호층이 적층되지 않는 제2 외측 영역 상부면은 상기 전도성 고분자 물질의 변형시 저항 측정을 위하여 노출되며,상기 보호층은상기 패턴부 및 상기 한 쌍의 금속 배선이 복수개인 경우, 상기 패턴부 사이의 단락 및 상기 금속 배선 사이의 단락을 방지하는 것을 특징으로 하는,전도성 고분자 물질을 이용한 힘 센서
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제1항에 있어서,상기 한 쌍의 금속 배선의 증착은캐스팅, 라미네이팅 및 스퍼터링 중 어느 한 방식을 포함하는 것을 특징으로 하는,전도성 고분자 물질을 이용한 힘 센서
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 플라스틱 기판은열 압착 필름 소재인 것을 특징으로 하는,전도성 고분자 물질을 이용한 힘 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 물질은반도체 고농도 전도성 고분자(PEDOT:PSS)를 포함하는 것을 특징으로 하는,전도성 고분자 물질을 이용한 힘 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 배선의 재질은구리, 은 및 금 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,전도성 고분자 물질을 이용한 힘 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 보호층은열용융형 접착제를 포함하는 것을 특징으로 하는,전도성 고분자 물질을 이용한 힘 센서
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제 7 항에 있어서, 상기 열용융형 접착제는썰린을 포함하는 것을 특징으로 하는,전도성 고분자 물질을 이용한 힘 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 보호층은열 압착 필름 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는,전도성 고분자 물질을 이용한 힘 센서
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제 9 항에 있어서, 상기 열 압착 필름 소재는폴리이미드를 포함하는 것을 특징으로 하는,전도성 고분자 물질을 이용한 힘 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 물질은힘이 가해지면 양측에 경사진 단차가 형성되어 길이가 증가되는 것을 특징으로 하는,전도성 고분자 물질을 이용한 힘 센서
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내측 영역 및 양측의 외측 영역을 구비한 플라스틱 기판;하부면이 상기 플라스틱 기판의 상기 외측 영역 상부면에 증착되는 한 쌍의 금속 배선; 스트라이프 형상으로서, 패턴부 및 양측의 연결부를 구비하고 상기 플라스틱 기판의 상기 내측 영역 상부면 및 상기 금속 배선의 내측 영역 상부면에 도포되는 반도체 고농도 전도성 고분자; 및하부면이 상기 한 쌍의 금속 배선의 외측 영역 중 제1 외측 영역 상부면 및 상기 반도체 고농도 전도성 고분자의 상부면에 적층되는 보호층; 을 포함하고,상기 한 쌍의 금속 배선의 외측 영역 중 상기 보호층이 적층되지 않는 제2 외측 영역 상부면은 상기 반도체 고농도 전도성 고분자의 변형시 저항 측정을 위하여 노출되며,상기 반도체 고농도 전도성 고분자는 반도체 폴리머 체인 성분(PEDOT)과 수용성 고분자 성분(PSS)으로 구성되어, 상기 반도체 폴리머 체인 성분(PEDOT) 간의 거리에 따라 저항 값이 변화되며,상기 보호층은상기 패턴부 및 상기 한 쌍의 금속 배선이 복수개인 경우, 상기 패턴부 사이의 단락 및 상기 금속 배선 사이의 단락을 방지하는 것을 특징으로 하는,전도성 고분자 물질을 이용한 힘 센서
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내측 영역 및 양측의 외측 영역을 구비한 플라스틱 기판;하부면이 상기 플라스틱 기판의 상기 외측 영역 상부면에 증착되는 한 쌍의 금속 배선; 스트라이프 형상으로서, 패턴부 및 양측의 연결부를 구비하고 상기 플라스틱 기판의 상기 내측 영역 상부면 및 상기 금속 배선의 내측 영역 상부면에 도포되는 반도체 고농도 전도성 고분자; 및하부면이 상기 한 쌍의 금속 배선의 외측 중 제1 외측 영역 상부면 및 상기 반도체 고농도 전도성 고분자의 상부면에 적층되는 보호층; 을 포함하고,상기 한 쌍의 금속 배선의 외측 영역 중 상기 보호층이 적층되지 않는 제2 외측 영역 상부면은 상기 반도체 고농도 전도성 고분자의 변형시 저항 측정을 위하여 노출되며,상기 플라스틱 기판에 힘이 가해지는 경우, 상기 반도체 고농도 전도성 고분자의 길이가 증가하고, 상기 반도체 고농도 전도성 고분자 내 반도체 폴리머 체인 성분(PEDOT) 간의 간격이 증가하면서 증가된 저항을 통해 상기 가해지는 힘이 인식되며,상기 보호층은상기 패턴부 및 상기 한 쌍의 금속 배선이 복수개인 경우, 상기 패턴부 사이의 단락 및 상기 금속 배선 사이의 단락을 방지하는 것을 특징으로 하는, 전도성 고분자 물질을 이용한 힘 센서
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