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소스기판 상에 상호 이격되도록 위치한 복수개의 기능층들 상에 전사막을 위치시키는 단계;프로브를 이용해, 복수개의 기능층들 중의 제1전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계;하면에 제1전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 소스기판으로부터 이격시키는 단계;하면에 제1전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판 상에 위치시키는 단계;제1전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계; 및제1전사대상물이 타겟기판 상에 위치한 상태로, 전사막을 타겟기판으로부터 이격시키는 단계;를 포함하는, 전자장치 제조방법
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소스기판 상에 상호 이격되도록 위치한 복수개의 기능층들 상에 전사막을 위치시키는 단계;프로브를 이용해, 복수개의 기능층들 중의 제1전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계;프로브를 이용해, 복수개의 기능층들 중의 제2전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제2전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계;하면에 제1전사대상물과 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 소스기판으로부터 이격시키는 단계;하면에 제1전사대상물과 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판에 대해 얼라인하여 타겟기판 상에 위치시키는 단계;제1전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계;제1전사대상물이 타겟기판 상에 위치하고 제2전사대상물이 전사막의 하면에 밀착된 상태로, 전사막을 타겟기판으로부터 이격시키는 단계;하면에 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판에 대해 얼라인하여 타겟기판 상에 위치시키는 단계;제2전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제2전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계; 및제1전사대상물과 제2전사대상물이 타겟기판 상에 위치한 상태로, 전사막을 타겟기판으로부터 이격시키는 단계;를 포함하는, 전자장치 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,복수개의 기능층들은,튜브, 와이어 또는 막대 형태를 포함하는, 1차원 마이크로 소재층 또는 1차원 나노 소재층; 또는그래핀, 전이금속 칼코겐 화합물(transition metal dichalcogenide), 육각붕화질소 또는 흑린을 포함하는, 2차원 마이크로 소재층 또는 2차원 나노 소재층;을 포함하는, 전자장치 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,전사막은 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethylsiloxane), 싸이토프(CYTOP), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA; polymethylmethacrylate), 에틸락테이트(ethyl lactate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리프로필렌카보네이트(PPC; poly propylene carbonate), 폴리이미드(PI; polyimide), 파라아라미드피브리드(para-aramid fibrid), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리염화비닐(PVC; polyvinyl chloride), 폴리비닐아세테이트(PVAc; poly(vinyl acetate)), 실리카겔(silica-gel) 또는 폴리우레탄아크릴레이트(PUA; polyurethane acrylate)를 포함하는, 전자장치 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 제1온도는, 상기 제1전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 제2온도와 상이한, 전자장치 제조방법
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제5항에 있어서,제1온도가 제2온도보다 높은, 전자장치 제조방법
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제5항에 있어서,제1온도는 50℃ 이상 130℃ 이하이고, 제2온도는 10℃ 이상 30℃ 이하인, 전자장치 제조방법
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제1항에 있어서,소스기판 상의 잔여 기능층들 상에 전사막을 다시 위치시키는 단계;프로브를 이용해, 잔여 기능층들 중의 제2전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제2전사대상물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계;하면에 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 소스기판으로부터 이격시키는 단계;하면에 제2전사대상물이 밀착된 상태로 전사막을 타겟기판 상에 위치시키는 단계;제2전사대상물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제2전사대상물을 타겟기판 상에 위치시키는 단계; 및제2전사대상물이 타겟기판 상에 위치한 상태로, 전사막을 타겟기판으로부터 이격시키는 단계;를 더 포함하는, 전자장치 제조방법
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기판 상에 기능층을 형성하는 단계;기판 상의 제1불순물 상에 전사막을 위치시키는 단계;프로브를 이용해, 제1불순물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1불순물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계;하면에 제1불순물이 밀착된 상태로 전사막을 기판으로부터 이격시키는 단계;하면에 제1불순물이 밀착된 상태로 전사막을 제거기판 상에 위치시키는 단계;제1불순물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1불순물을 제거기판 상에 위치시키는 단계; 및제1불순물이 제거기판 상에 위치한 상태로, 전사막을 제거기판으로부터 이격시키는 단계;를 포함하는, 불순물 제거방법
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기판 상에 기능층을 형성하는 단계;기판 상의 제1불순물 상에 전사막을 위치시키는 단계;프로브를 이용해, 제1불순물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제1불순물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계;하면에 제1불순물이 밀착된 상태로 전사막을 기판으로부터 이격시키는 단계;기판 상의 제2불순물 상에 전사막을 다시 위치시키는 단계;프로브를 이용해, 제2불순물에 대응하는 전사막의 부분에 압력을 인가하여, 제2불순물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계; 및하면에 제2불순물이 밀착된 상태로 전사막을 기판으로부터 이격시키는 단계;를 포함하는, 불순물 제거방법
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제9항 또는 제11항에 있어서,전사막은 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethylsiloxane), 싸이토프(CYTOP), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA; polymethylmethacrylate), 에틸락테이트(ethyl lactate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리프로필렌카보네이트(PPC; poly propylene carbonate), 폴리이미드(PI; polyimide), 파라아라미드피브리드(para-aramid fibrid), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET; polyethylene terephthalate), 폴리염화비닐(PVC; polyvinyl chloride), 폴리비닐아세테이트(PVAc; poly(vinyl acetate)), 실리카겔(silica-gel) 또는 폴리우레탄아크릴레이트(PUA; polyurethane acrylate)를 포함하는, 불순물 제거방법
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제9항 또는 제11항에 있어서,상기 제1불순물을 전사막의 하면에 밀착시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 제1온도는, 상기 제1불순물을 제거기판 상에 위치시키는 단계가 수행될 시의 주변환경의 제2온도와 상이한, 불순물 제거방법
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제13항에 있어서,제1온도가 제2온도보다 높은, 불순물 제거방법
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제13항에 있어서,제1온도는 50℃ 이상 130℃ 이하이고, 제2온도는 10℃ 이상 30℃ 이하인, 불순물 제거방법
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