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고온 슈퍼커패시터용 전극, 그 제조방법 및 상기 고온 슈퍼커패시터용 전극을 적용한 고온 슈퍼커패시터

  • 기술번호 : KST2018012693
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 전극활물질, 상기 전극활물질 100중량부에 대하여 도전재 0.1∼20중량부 및 상기 전극활물질 100중량부에 대하여 바인더 1∼20중량부를 포함하며, 상기 전극활물질은 산소관능기의 함량이 1.5∼5원자%를 이루는 고온 슈퍼커패시터용 전극, 그 제조방법 및 상기 고온 슈퍼커패시터용 전극을 적용한 고온 슈퍼커패시터에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 전극활물질에 존재하는 산소관능기가 최소화됨으로써 전기화학적 성능의 저하를 막을 수 있고, 고온 슈퍼커패시터의 전극활물질로 사용할 경우에 전해액의 가스 발생을 줄일 수 있으며, 슈퍼커패시터의 고온에서 축전비용량이 높고 분해전압이 높아질 수 있다.
Int. CL H01G 11/34 (2013.01.01) H01G 11/36 (2013.01.01) H01G 11/86 (2013.01.01) H01G 11/52 (2013.01.01) H01G 11/78 (2013.01.01)
CPC H01G 11/34(2013.01) H01G 11/34(2013.01) H01G 11/34(2013.01) H01G 11/34(2013.01) H01G 11/34(2013.01) H01G 11/34(2013.01)
출원번호/일자 1020170029894 (2017.03.09)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0103251 (2018.09.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.03.09)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노광철 대한민국 경남 진주시 초장로**번길 **,
2 김주연 대한민국 경상남도 김해시 해
3 한조아 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고길수 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, *층 (서초동)(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0234601-97
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0041400-26
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0263442-37
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0378701-21
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-0485081-09
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0585026-10
7 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2018.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0092220-35
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2018-0669802-82
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0669788-29
10 등록결정서
Decision to grant		 2018.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0784945-68
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번호 청구항
1 1
전극활물질, 상기 전극활물질 100중량부에 대하여 도전재 0
2 2
삭제
3 3
전극활물질을 준비하는 단계;상기 전극활물질을 열처리하여 상기 전극활물질에 함유된 산소관능기의 함량을 감소시키는 단계;상기 열처리에 의해 산소관능기가 감소된 상기 전극활물질, 도전재, 바인더 및 분산매를 혼합하여 고온 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 제조하는 단계; 상기 고온 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 압착하여 전극 형태로 형성하거나, 상기 고온 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 금속 호일이나 집전체에 코팅하여 전극 형태로 형성하거나, 상기 고온 슈퍼커패시터 전극용 조성물을 롤러로 밀어 시트 상태로 만들고 금속 호일이나 집전체에 붙여서 전극 형태로 형성하는 단계; 및전극 형태로 형성된 결과물을 건조하여 고온 슈퍼커패시터용 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 열처리에 의해 산소관능기가 감소된 상기 전극활물질은 산소관능기의 함량이 1
4 4
제3항에 있어서, 상기 열처리는 500∼1100℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 고온 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 열처리는 환원 또는 비활성 가스 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 고온 슈퍼커패시터용 전극의 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제3항에 있어서, 상기 전극활물질 100중량부에 대하여 도전재 0
9 9
제1항에 기재된 고온 슈퍼커패시터용 전극으로 이루어진 양극; 제1항에 기재된 고온 슈퍼커패시터용 전극으로 이루어진 음극; 상기 양극과 음극 사이에 배치되고 상기 양극과 상기 음극의 단락을 방지하기 위한 분리막; 상기 양극, 상기 분리막 및 상기 음극이 내부에 배치되고 전해액이 주입된 금속 캡; 및상기 금속 캡을 밀봉하기 위한 가스켓을 포함하는 고온 슈퍼커패시터
10 10
단락을 방지하기 위한 제1 분리막과, 제1항에 기재된 고온 슈퍼커패시터용 전극으로 이루어진 양극과, 상기 양극과 음극의 단락을 방지하기 위한 제2 분리막과, 제1항에 기재된 고온 슈퍼커패시터용 전극으로 이루어진 음극이, 순차적으로 적층되어 코일링된 롤 형태를 이루는 권취소자; 상기 음극에 연결된 제1 리드선;상기 양극에 연결된 제2 리드선; 상기 권취소자를 수용하는 금속캡; 및상기 금속 캡을 밀봉하기 위한 실링 고무를 포함하며, 상기 권취소자는 전해액에 함침되어 있는 것을 특징으로 하는 고온 슈퍼커패시터
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 비츠로셀 경제협력권산업육성사업 초고온(1400˚C) 이중층커패시터 개발