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정적 메모리의 셀 어레이를 구성하며 복수의 셀들을 포함하고 상기 복수의 셀들이 공유하는 대지전압에 기초하여 상기 셀 어레이를 구성하는 개수가 결정되는 복수의 서브 어레이; 및상기 복수의 서브 어레이들 각각에 구비되고, 상기 복수의 서브 어레이 중 선택된 셀을 포함하는 서브 어레이에서 비 선택된 셀의 대지전압을 플로팅 시켜, 상기 선택된 셀의 대지전압을 상승시키는 플로팅부를 포함하는비선택 비트라인 전하에 의한 셀 대지전압 상승을 이용한 정적 메모리
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제1항에 있어서,상기 플로팅부는쓰기 동작 시 선택된 서브 어레이에서 상기 비 선택된 셀의 대지전압을 플로팅 시킴으로써, 비트라인으로부터 상기 비 선택된 셀의 대지전압 노드로 전류가 흘러 상기 선택된 셀의 대지전압을 상승시키는비선택 비트라인 전하에 의한 셀 대지전압 상승을 이용한 정적 메모리
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제1항에 있어서,상기 플로팅부는읽기 또는 대기 동작 시 상기 서브 어레이의 모든 대지전압을 접지시키는비선택 비트라인 전하에 의한 셀 대지전압 상승을 이용한 정적 메모리
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제1항에 있어서,상기 복수의 서브 어레이들 중 쓰기 동작을 수행하려는 셀이 속한 서브 어레이를 선택하는 선택부를 더 포함하는 비선택 비트라인 전하에 의한 셀 대지전압 상승을 이용한 정적 메모리
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제1항에 있어서,상기 대지전압은 상기 서브 어레이 내의 셀 사이에만 서로 공유되는 구조인비선택 비트라인 전하에 의한 셀 대지전압 상승을 이용한 정적 메모리
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제1항에 있어서,상기 플로팅부는 풋스위치로 구성되는 것을 특징으로 하는비선택 비트라인 전하에 의한 셀 대지전압 상승을 이용한 정적 메모리
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제1항에 있어서,상기 셀 어레이를 구성하는 서브 어레이의 개수는 상기 셀의 대지전압의 상승 속도와 최종 상승된 대지전압을 고려하여 결정되는비선택 비트라인 전하에 의한 셀 대지전압 상승을 이용한 정적 메모리
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정적 메모리의 셀 어레이를 구성하며 복수의 셀들을 포함하고 상기 복수의 셀들이 공유하는 대지전압에 기초하여 상기 셀 어레이를 구성하는 개수가 결정되는 복수의 서브 어레이 중 선택하려는 셀이 속한 서브 어레이를 선택하는 단계; 및상기 선택된 서브 어레이에서 비 선택된 셀의 대지전압을 플로팅 시켜, 상기 선택된 셀의 대지전압을 상승시키는 단계를 포함하는 비선택 비트라인 전하에 의한 셀 대지전압 상승을 이용한 정적 메모리의 쓰기 보조 방법
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제8항에 있어서,상기 선택하려는 셀의 대지전압을 상승시키는 단계는쓰기 동작 시 상기 선택된 서브 어레이에서 상기 비 선택된 셀의 대지전압을 플로팅 시킴으로써, 비트라인으로부터 상기 비 선택된 셀의 대지전압 노드로 전류가 흘러 상기 선택된 셀의 대지전압을 상승시키는비선택 비트라인 전하에 의한 셀 대지전압 상승을 이용한 정적 메모리의 쓰기 보조 방법
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제8항에 있어서,읽기 또는 대기 동작 시 상기 선택된 서브 어레이의 모든 대지전압을 접지시키는 단계를 더 포함하는 비선택 비트라인 전하에 의한 셀 대지전압 상승을 이용한 정적 메모리의 쓰기 보조 방법
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