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(a) 전극이 형성된 기판의 일면 이상을 시토신-염기가 15 내지 32개로 구성된 폴리-시토신 DNA로 기능화시키는 단계;(b) 단계(a)의 기판과 시토신-염기가 15 내지 32개로 구성된 폴리-시토신 DNA로 기능화된 비즈를 챔버(chamber)에 넣는 단계;(c) 챔버에 금속을 포함 또는 미포함하는 피검용액을 넣고 기판에 전압을 인가하는 단계;(d) 비즈의 움직임을 측정하여 영상신호 정보를 수득하는 단계;(e) 단계(d)에서 수득한 영상신호 정보로부터 그레이스케일 값을 구하는 단계;(f) 단계 (e)에서 얻은 그레이스케일 값을 이용하여 파열 순간을 검출하는 단계; 및(g) 파열지점의 전압(unbinding voltage)을 측정하고 변환과정을 거쳐 파열 힘(FU; unbinding force)을 구하는 단계를 포함하는, 은이온 검출 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계(a)의 기판은 미세유체 칩(microfluidic chip)인 것을 특징으로 하는, 은이온 검출방법
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제2항에 있어서,미세유체 칩은 절연기판을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 은이온 검출방법
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제3항에 있어서, 절연기판은 이산화규소(SiO2, 실리카)가 증착된 실리콘인 것을 특징으로 하는, 은이온 검출방법
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제1항에 있어서,상기 단계(b)의 챔버는 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS)로 제조되는 것을 특징으로 하는, 은이온 검출방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (f)는 전압을 인가함으로써 발생하는 비즈의 부양 변위(levitation displacement)와 그레이스케일 값 강도의 변화를 매칭하고, 기준치를 넘어서 변동(fluctuation)이 발생하는 순간을 파열 순간으로 정의함을 특징으로 하는, 은이온 검출방법
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제12항에 있어서, 상기 기준치는
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제1항에 있어서, 상기 단계 (g)의 변환과정은 하기 [식 2]를 이용하여 수행되고,[식 2]변환과정을 거쳐 파열 힘(FU : unbinding force)을 구하며,상기 식에서, εm은 매질의 유전율(permittivity)이며, Re는 파열 전압(unbinding force)이고, εp*은 복합체 소분자 유전율(complex particle permittivity)이며, εm*은 복합체 배지 유전율(complex medium permittivity)이고, r은 마이크로스피어 지름(microsphere radius)이며, Erms는 유한요소 시뮬레이션(finite element simulation, COMSOL Multiphysics 3
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제1항에 있어서, 상기 (g)단계의 평균 파열힘(003c#FU003e#) 값과 은이온 농도가 비례하는 것을 특징으로 하는, 은이온 검출방법
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(a) 전극이 형성된 기판의 일면 이상을 시토신-염기가 15 내지 32개로 구성된 폴리-시토신 DNA로 기능화시키는 단계;(b) 단계(a)의 기판과 시토신-염기가 15 내지 32개로 구성된 폴리-시토신 DNA로 기능화된 비즈를 챔버(chamber)에 넣는 단계;(c) 챔버에 금속을 포함 또는 미포함하는 피검용액을 넣고 기판에 전압을 인가하는 단계;(d) 비즈의 움직임을 측정하여 영상신호 정보를 수득하는 단계;(e) 단계(d)에서 수득한 영상신호 정보로부터 그레이스케일 값을 구하는 단계;(f) 단계 (e)에서 얻은 그레이스케일 값을 이용하여 파열 순간을 검출하는 단계; (g) 파열지점의 전압(unbinding voltage)을 측정하고 변환과정을 거쳐 파열 힘(FU; unbinding force)을 구하는 단계; 및(h) 단계 (g)에서 구한 파열힘 값과 포아송 통계분석방법(Poisson statistics)을 이용한 분자간 결합력 측정 방법
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제16항에 있어서, 상기 단계 (h)의 포아송 통계분석방법은 하기 003c#식 2003e#를 이용하여 수행되고, [식 2]m = nF, σ= nF2F = σ2 / m상기 식에서 F는 분자간 결합력이고,m 은 파열 힘(FU)의 평균이며,σ2 은 편차(variance)임을 특징으로 하는 분자간 결합력 측정 방법
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시토신-염기가 15 내지 32개로 구성된 폴리-시토신 DNA로 기능화된 기판 및 시토신-염기가 15 내지 32개로 구성된 폴리-시토신 DNA로 기능화된 비즈(beads)가 들어 있는 챔버;상기 챔버 밑에 위치하되, 전극부를 구비하며, 상기 전극부에 전압을 인가하여 전기장을 형성하는 전계생성부;상기 챔버 위 또는 일측에 위치되어, 상기 챔버 내를 촬상하는 카메라; 상기 카메라로부터 수신된 영상신호로부터 그레이스케일 값을 측정하고, 그레이스케일 값을 이용해 파열 순간을 검출하는 측정부; 및상기 측정부에서 측정한 파열 지점의 전압(unbinding voltage)을 측정하고 변환과정을 거쳐 파열 힘(FU; unbinding force)을 구하는 분석부를 포함하는, 은이온 측정장치
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제18항에 있어서, 상기 측정부는 전압을 인가함으로써 발생하는 비즈의 부양 변위(leviation displacement)와 그레이스케일 값 강도의 변화를 매칭하고, 기준치를 넘어서 변동(fluctuation)이 발생하는 순간을 파열순간으로 정의함을 특징으로 하는, 은이온 측정장치
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제25항에 있어서, 상기 기준치는하기 [식 1]의 가우스 분포를 따르는 그레이스케일 값의 변동(fluctuation)을 측정하되, 변동 레벨(fluctuation level)은 μ± 2σ로 나타내어지고,[식 1]상기 식에서, χ는 그레이스케일 값이고,μ는 그레이스케일 값의 평균이며, σ는 그레이스케일 값의 표준 편차인 것을 특징으로 하는, 은이온 측정장치
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제18항에 있어서, 변환과정은 하기 [식 2]를 이용하여 수행되고,[식 2]변환과정을 거쳐 파열 힘(FU : unbinding force)을 구하며,상기 식에서, εm 은 배지의 유전율(medium permittivity)이며, Re는 파열 전압(unbinding force)이고, εp*은 복합체 소분자 유전율(complex particle permittivity)이며, εm*은 복합체 배지 유전율(complex medium permittivity)이고, r은 마이크로스피어 지름(microsphere radius)이며, E는 유한요소 시뮬레이션(finite element simulation, COMSOL Multiphysics 3
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제18항에 있어서, 상기 분석부는 평균 파열힘(003c#FU003e#) 값과 은이온 농도가 비례하는 것을 이용해 은이온을 검출하는 것을 특징으로 하는, 은이온 측정장치
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