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기판;상기 기판 상에 배치되고, 제1 도전형을 갖는 제1 열전소재;상기 기판 상에서 제1 열전소재의 일측에 배치되고, 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 갖는 제2 열전소재; 및상기 제1 열전소재 및 상기 제2 열전소재 중 적어도 하나 상에 배치되는 적어도 하나의 메타물질 흡수체를 포함하되,상기 메타물질 흡수체는 절연층 및 상기 절연층 상의 전도성 나노구조체를 포함하는 열전소자
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제 1 항에 있어서,상기 메타물질 흡수체는 반사층을 더 포함하되,상기 반사층 및 상기 전도성 나노구조체는 상기 절연층을 사이에 두고 서로 이격되는 열전소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 열전소재 및 상기 제2 열전소재는 서로 접하고,상기 메타물질 흡수체는 상기 제1 열전소재와 상기 제2 열전소재의 접합면 상에 위치하는 열전소자
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제 1 항에 있어서,상기 절연층은 상기 제1 열전소재 및 상기 제2 열전소재 중 적어도 하나와 접하고,상기 전도성 나노구조체는 외부로부터 광을 수신하고, 상기 제1 열전소재 및 상기 제2 열전소재 중 적어도 하나를 통해 상기 광을 공명흡수(resonance absorption)하는 열전소자
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 나노구조체는 상기 절연층의 일부를 노출하는 개구부를 갖는 열전소자
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 나노구조체의 폭은 상기 절연층의 폭과 동일한 열전소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 열전소재 및 상기 제2 열전소재는 서로 이격되고,상기 제1 열전소재 및 상기 제2 열전소재를 전기적으로 연결하는 전극을 더 포함하는 열전소자
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제 7 항에 있어서,상기 전극은 상기 제1 열전소재 및 상기 제2 열전소재 상에 배치되고,적어도 하나의 상기 메타물질 흡수체는 상기 전극 상에 배치되는 열전소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 제1 저온영역, 제2 저온영역 및 상기 제1 및 제2 저온영역들 사이에 위치하는 제1 고온영역을 포함하고,상기 제1 열전소재는 상기 제1 저온영역으로부터 상기 제1 고온영역으로 연장되고,상기 제2 열전소재는 상기 제2 저온영역으로부터 상기 제1 고온영역으로 연장되고,상기 메타물질 흡수체는 상기 제1 고온영역 상에 배치되는 열전소자
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제 9 항에 있어서,상기 제1 저온영역, 상기 제1 고온영역 및 상기 제2 저온영역은 일 방향으로 배열되는 열전소자
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제 9 항에 있어서,상기 제1 열전소재 및 상기 제2 열전소재는 서로 접하되,상기 제1 열전소재와 상기 제2 열전소재의 접합면은 상기 제1 고온영역 상에 위치하는 열전소자
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제 11 항에 있어서,상기 제1 고온영역 상에 다수의 메타물질 흡수체가 배치되되,상기 제1 고온영역 상에서 단위 면적당 메타물질 흡수체의 수는 상기 접합면과 멀어질수록 감소하는 열전소자
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제 11 항에 있어서,상기 적어도 하나의 메타물질 흡수체는제1 전도성 나노구조체를 포함하는 제1 메타물질 흡수체; 및제2 전도성 나노구조체를 포함하는 제2 메타물질 흡수체를 포함하되,상기 제1 메타물질 흡수체와 상기 접합면 사이의 거리는 상기 제2 메타물질 흡수체와 상기 접합면 사이의 거리보다 가깝고,상기 제1 전도성 나노구조체의 폭은 상기 제2 전도성 나노구조체의 폭보다 작은 열전소자
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제 9 항에 있어서,상기 기판은 제2 고온영역을 더 포함하고,상기 기판 상에 배치되고, 상기 제2 저온영역으로부터 상기 제2 고온영역으로 연장되는 제3 열전소재를 더 포함하되,상기 제3 열전소재는 상기 제1 도전형을 갖는 열전소자
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제 14 항에 있어서,상기 제1 고온영역 및 상기 제2 고온영역은 서로 이격되는 열전소자
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