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(a) 용매, 유기반도체, 절연성 고분자를 포함하는 혼합용액을 제조하는 단계; 및(b) 상기 혼합용액을 기판 상에 스핀 코팅하고 건조시켜 유기반도체층/절연성 고분자층/기판 적층체를 제조하는 단계; 를 포함하고,상기 유기반도체의 표면에너지가 상기 절연성 고분자의 표면에너지보다 작고,단계 (b)에서, 상기 스핀 코팅 시간을 조절하여 상기 유기반도체와 절연성 고분자의 수직 상분리 및 상기 유기반도체의 결정성장을 제어하는 것인,결정성장이 제어된 유기반도체 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 용매가 끓는점이 상온보다 높은 것을 특징으로 하는 결정성장이 제어된 유기반도체 적층체의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 용매가 끓는점이 50 내지 500℃인 것을 특징으로 하는 결정성장이 제어된 유기반도체 적층체의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 용매가 유기반도체 및 절연성 고분자를 모두 용해시키는 것을 특징으로 하는 결정성장이 제어된 유기반도체 적층체의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 용매가 1
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제1항에 있어서,상기 기판의 표면이 친수성인 것을 특징으로 하는 결정성장이 제어된 유기반도체 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기반도체가 분자량이 100 내지 50,000인 것을 특징으로 하는 결정성장이 제어된 유기반도체 적층체의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 유기반도체가 트리아이소프로필실리에티닐 펜타센(Triisopropylsilylethynyl pentacene, TIPS-pentacen), 2,8-디플루오르-5,11―비스(트라이에틸실릴에티닐)안트라디싸이오펜(2,8-Difluoro-5,11-bis(triethylsilylethynyl)anthradithiophene, F-TES ADT), 5,11-비스(트라이에틸실릴에티닐)안트라디싸이오펜(5,11-Bis(triethylsilylethynyl)anthradithiophene, TES-ADT), 2,7-다이옥틸벤조싸이오벤조싸이오펜(2,7-Dioctylbenzothienobenzothiophene, C8-BTBT), 및 2,7-다이데킬벤조싸이오벤조싸이오펜(2,7-didecylbenzothienobenzothiophene, C10-BTBT) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 결정성장이 제어된 유기반도체 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 절연성 고분자가 열가소성 고분자인 것을 특징으로 하는 결정성장이 제어된 유기반도체 적층체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 열가소성 고분자가 폴리(메틸메타크릴레이트)(Poly(methyl methacrylate), PMMA), 폴리(α-메틸스티렌)(poly(α-methylstyrene), PαMS), 폴리스티렌(poly styrene, PS), 폴리스티렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 폴리염화비닐(Polyvinyl Chloride) 및 폴리염화비닐리덴(polyvinylidene chloride) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 결정성장이 제어된 유기반도체 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기반도체와 절연성 고분자의 표면에너지 차이에 따라 유기반도체층과 절연성 고분자층의 수직 상분리 및 유기반도체층의 결정화 시간을 조절하는 것을 특징으로 하는 결정성장이 제어된 유기반도체 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기반도체와 절연성 고분자 사이의 표면에너지 차이가 낮을수록 스핀코팅시간을 길게 조절하는 것을 특징으로 하는 결정성장이 제어된 유기반도체 적층체의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 스핀코팅 시간이 1 내지 500초인 것을 특징으로 하는 결정성장이 제어된 유기반도체 적층체의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 스핀코팅 시간이 3 내지 100초인 것을 특징으로 하는 결정성장이 제어된 유기반도체 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (b) 에서, 상기 혼합용액에서 상기 용매의 증발에 의해 상기 수직 상분리가 형성되는 것을 특징으로 하는 결정성장이 제어된 유기반도체 적층체의 제조방법
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(a) 용매, 유기반도체, 절연성 고분자를 포함하는 혼합용액을 제조하는 단계;(b) 상기 혼합용액을 기판 상에 스핀 코팅하고 건조시켜 유기반도체층/절연성 고분자층/기판 적층체를 제조하는 단계; 및(c) 상기 유기반도체층 상에 소스전극과 드레인 전극을 형성하여 유기전계효과트랜지스터를 제조하는 단계; 를 포함하고,상기 유기반도체의 표면에너지가 상기 절연성 고분자의 표면에너지보다 작고,단계 (b)에서, 상기 스핀 코팅 시간을 조절하여 상기 유기반도체와 절연성 고분자의 수직 상분리 및 상기 유기반도체의 결정성장을 제어하는 것인,유기전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제16항에 있어서,상기 기판이 실리카층과 n 또는 p 도핑된 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계효과 트랜지스터의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 n 또는 p 도핑된 실리콘층이 게이트 전극으로 작용하는 것을 특징으로 하는 유기전계효과 트랜지스터의 제조방법
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